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      光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法

      文檔序號(hào):6230997閱讀:562來源:國(guó)知局
      光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法。本發(fā)明的目的在于提供一種正確地辨別光學(xué)薄膜的缺陷中的簇缺陷的方法。本發(fā)明的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法包括以下步驟:拍攝被輸送的光學(xué)薄膜來獲取上述光學(xué)薄膜的圖像(S1);以及根據(jù)上述圖像檢測(cè)異物,當(dāng)在以上述異物中的某一個(gè)異物為中心且半徑為5mm的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述異物的集合判斷為簇缺陷(S2),由此不強(qiáng)化檢測(cè)條件就能夠降低光學(xué)薄膜的次品率。
      【專利說明】光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種薄膜的缺陷檢測(cè)方法。更詳細(xì)地說,涉及一種光學(xué)薄膜中的簇缺陷的檢測(cè)方法。

      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)等各種圖像顯示裝置被大量開發(fā)、使用。
      [0003]另一方面,圖像顯示裝置在上市前在制造過程中產(chǎn)生各種的不良,因此會(huì)經(jīng)過多個(gè)檢查過程,而其中在圖像顯示裝置中使用最多的部件之一為偏振薄膜、相位差薄膜等各種光學(xué)薄膜,因此,光學(xué)薄膜的缺陷是圖像顯示裝置不良的主要原因之一。關(guān)于檢測(cè)光學(xué)薄膜的缺陷,首先辨別是否為缺陷而進(jìn)行正確的判斷,之后,當(dāng)辨別為缺陷時(shí),根據(jù)缺陷進(jìn)行修復(fù)(repair)或者廢棄以及去除缺陷原因等,在制造工序的生產(chǎn)成品率方面的確是重要的部分。
      [0004]在光學(xué)薄膜的制造過程中,通常使用生產(chǎn)線工序,以在產(chǎn)業(yè)中大量生產(chǎn)。因而,在生產(chǎn)線的特定位置處連續(xù)地拍攝光學(xué)薄膜,在拍攝到的部分辨別缺陷,由此進(jìn)行缺陷的檢測(cè)。
      [0005]關(guān)于缺陷辨別,以往,可靠地檢測(cè)各種缺陷是重要的。關(guān)于該情況,在韓國(guó)公開專利第10-2010-0024753號(hào)公報(bào)中公開了一種將包含異物的閉合曲線和異物的面積進(jìn)行比較來辨別線狀的異物的方法。
      [0006]然而,近來,光學(xué)薄膜也隨著大型化的趨勢(shì)而部件成本上升,隨之而來地謀求更正確的缺陷辨別方法,因此,依然謀求能夠正確地辨別缺陷的方法。
      [0007]專利文獻(xiàn)1:韓國(guó)公開專利第10-2010-0024753號(hào)公報(bào)


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008]發(fā)明要解決的問題
      [0009]本發(fā)明的目的在于提供一種正確地辨別光學(xué)薄膜的缺陷中的簇缺陷的方法。
      [0010]用于解決問題的方案
      [0011]1.一種光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,包括以下步驟:步驟SI,拍攝被輸送的光學(xué)薄膜來獲取上述光學(xué)薄膜的圖像;以及步驟S2,根據(jù)上述圖像檢測(cè)異物,當(dāng)在以上述異物中的某一個(gè)異物為中心、半徑比兩個(gè)異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度長(zhǎng)且為5mm以下的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述兩個(gè)以上的異物的集合體判斷為簇缺陷。
      [0012]2.在上述項(xiàng)目I的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,上述半徑為5mm、4mm、3mm、2mm或者 Imnin
      [0013]3.在上述項(xiàng)目I的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,上述異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為30 μ m ?100 μ m。
      [0014]4.在上述項(xiàng)目I的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,上述異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為30 μ m ?50 μ m0
      [0015]5.在上述項(xiàng)目I的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,上述步驟SI的拍攝是通過反射光學(xué)系統(tǒng)方式、透射光學(xué)系統(tǒng)方式、或者反射光學(xué)系統(tǒng)方式和透射光學(xué)系統(tǒng)方式兩個(gè)方式來執(zhí)行的。
      [0016]6.在上述項(xiàng)目I的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,上述步驟S2還包括以下步驟:在判斷為簇缺陷的情況下,對(duì)上述光學(xué)薄膜的與簇缺陷對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行標(biāo)記。
      [0017]發(fā)明的效果
      [0018]本發(fā)明的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法能夠通過提供以下方法來降低光學(xué)薄膜的次品率:在個(gè)別單位的異物時(shí)并非缺陷,但是在上述異物集中于規(guī)定的區(qū)域內(nèi)的情況下,由于這種集中所引起的負(fù)的相乘效果,而可能成為次品的原因,因此將這種狀態(tài)(簇缺陷)判斷為缺陷。
      [0019]在本發(fā)明的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法中,并非公開使檢測(cè)裝置的檢測(cè)條件強(qiáng)化的方法,而公開對(duì)異物簇化的程度進(jìn)行判斷的方法,由此不更換檢測(cè)裝置或者強(qiáng)化檢測(cè)條件就能夠檢測(cè)簇缺陷。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0020]圖1的(a)和(b)是表示反射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。
      [0021]圖2是表示透射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。
      [0022]圖3是實(shí)際拍攝簇缺陷的一個(gè)例示而得到的照片。
      [0023]圖4是概要性地示出簇缺陷的一個(gè)例示的圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0024]本發(fā)明包括步驟(SI)和步驟(S2),其中,在該步驟(SI)中,拍攝被輸送的光學(xué)薄膜來獲取上述光學(xué)薄膜的圖像,在該步驟(S2)中,根據(jù)上述圖像檢測(cè)異物,當(dāng)在以上述異物中的某一個(gè)異物為中心且半徑為5mm的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述異物的集合體判斷為簇缺陷,由此不強(qiáng)化缺陷檢測(cè)條件就能夠降低光學(xué)薄膜的次品率。
      [0025]以下,參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
      [0026]首先,拍攝被輸送的光學(xué)薄膜來獲取上述光學(xué)薄膜的圖像(SI)。
      [0027]通常,通過連續(xù)工序、例如卷對(duì)卷(Roll-to-Roll)工序進(jìn)行輸送從而進(jìn)行光學(xué)薄膜的制造。因而,為了辨別光學(xué)薄膜的缺陷,而在固定方向上輸送的光學(xué)薄膜的上部拍攝光學(xué)薄膜,獲取光學(xué)薄膜的圖像。如果在獲取到的圖像中具有存在異物的區(qū)域,則實(shí)施挑選出這些區(qū)域并辨別是否為缺陷的工序。
      [0028]用于檢測(cè)光學(xué)薄膜的缺陷的攝影裝置的方式例如能夠使用反射光學(xué)系統(tǒng)方式或透射光學(xué)系統(tǒng)方式、或者反射光學(xué)系統(tǒng)方式和透射光學(xué)系統(tǒng)方式。
      [0029]反射光學(xué)系統(tǒng)方式的檢查裝置是指用在檢查對(duì)象上反射的光來執(zhí)行檢查的裝置。具體地說,光源位于檢查薄膜的一側(cè)并將光照射到檢查薄膜,攝影設(shè)備是以上述檢查薄膜為基準(zhǔn)在與上述光源同一側(cè)對(duì)檢查薄膜進(jìn)行拍攝(會(huì)聚在檢查薄膜處反射的光)來獲取檢查影像的裝置。
      [0030]在圖l(a:側(cè)視圖,b:俯視圖)中概要性地示出利用了反射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置的薄膜的缺陷檢測(cè)方法。參照?qǐng)D1,在反射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置中,光源的光的照射方向和攝影設(shè)備的攝影方向位于與作為檢查對(duì)象的檢查薄膜的輸送方向平行的方向。而且,將在上述位置處拍攝到的影像用作檢查影像而檢測(cè)缺陷。
      [0031 ] 透射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置是指用透過檢查對(duì)象的光來執(zhí)行檢查的裝置。具體地說,在檢查薄膜的一側(cè)配置光源并將光照射到檢查薄膜,攝影設(shè)備是以檢查薄膜為基準(zhǔn)在與光源相反的一側(cè)對(duì)檢查薄膜進(jìn)行拍攝(會(huì)聚透過檢查薄膜的光)從而獲取檢查影像的裝置。
      [0032]在圖2中概要性地示出利用了透射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置的薄膜的缺陷檢測(cè)方法。參照?qǐng)D2,在透射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置中,光源和攝影設(shè)備位于與作為檢查對(duì)象的檢查薄膜垂直的方向。而且,將在上述位置處拍攝到的影像用作檢查影像而檢測(cè)缺陷。
      [0033]透射光學(xué)系統(tǒng)檢查裝置能夠根據(jù)所檢查的光學(xué)薄膜的具體的種類,進(jìn)一步追加結(jié)構(gòu)。例如,在檢查對(duì)象的光學(xué)薄膜為偏振薄膜的情況下,能夠?qū)⑴c檢查對(duì)象的偏振薄膜的偏振方向垂直的其它偏振薄膜配置在檢查對(duì)象薄膜的上部。在該情況下,如果檢查對(duì)象的偏振薄膜為合格品,則通過偏振方向相互垂直的兩個(gè)偏振薄膜的光消失,因此能夠得到黑色的影像,但是當(dāng)檢查對(duì)象的偏振薄膜中存在異物時(shí)在該部分處偏振的方向改變,因此,結(jié)果是,產(chǎn)生漏光,能夠得到存在明亮的部分(即,異物部分)的影像。
      [0034]接著,根據(jù)上述圖像檢測(cè)異物,當(dāng)在以上述異物中的某一個(gè)異物為中心且半徑為5mm的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述異物的集合體判斷為簇缺陷(S2)。
      [0035]在本發(fā)明中,“異物”是指偏離光學(xué)薄膜的平均的均勻性的部分,是能夠根據(jù)辨別結(jié)果來判斷為處于正常范圍內(nèi)(合格品性異物)或者判斷為成為產(chǎn)品不良的原因的“缺陷”的部分。
      [0036]關(guān)于從獲取到的圖像中挑選存在異物的區(qū)域,能夠在設(shè)定了光學(xué)薄膜的平均的均勻性之后,使用圖像處理軟件等來對(duì)包含偏離該平均的均勻性的部分(異物部分)的區(qū)域的圖像執(zhí)行挑選。
      [0037]關(guān)于本發(fā)明中所定義的異物的種類,能夠在拍攝到的圖像中劃分為比周邊明亮的部分(亮點(diǎn))與比周邊暗的部分(暗點(diǎn))。這種亮點(diǎn)或者暗點(diǎn)不僅包含在光學(xué)薄膜上觀察到的光學(xué)性的亮點(diǎn)或者暗點(diǎn),還包含由凹凸產(chǎn)生的亮點(diǎn)或者暗點(diǎn)。
      [0038]如上所述,能夠?qū)⑺鶛z測(cè)的異物分類為合格品性異物和成為缺陷的異物。作為合格品性異物的代表性例子,可舉出其大小過小而不會(huì)成為缺陷的情況。因而,根據(jù)光學(xué)薄膜所要求的基準(zhǔn),規(guī)定的大小以下的異物不被判斷為缺陷。
      [0039]另一方面,如果個(gè)別的作為合格品性異物的微細(xì)的異物處于簇狀態(tài),則實(shí)際以產(chǎn)品進(jìn)行使用時(shí)有時(shí)被識(shí)別為不良,因此有時(shí)成為問題。然而,在一直以來的光學(xué)薄膜的缺陷判斷方法中,個(gè)別地挑選單位異物,根據(jù)規(guī)定的基準(zhǔn)來判斷是否為缺陷,因此即使作為合格品性缺陷的微細(xì)的異物處于簇狀態(tài),也無法將其判斷為缺陷。圖3示出這種微細(xì)的異物形成了簇狀態(tài)的例示。如圖3所示,如果微細(xì)異物處于簇狀態(tài),則在以實(shí)際產(chǎn)品進(jìn)行使用時(shí)被識(shí)別為不良,但是在以往的以個(gè)別的異物為對(duì)象的缺陷辨別方法中,難以識(shí)別為缺陷。
      [0040]本發(fā)明提供一種在異物集中于預(yù)定的區(qū)域內(nèi)而形成簇的情況下將其辨別為缺陷的方法,從而解決如上所述的問題點(diǎn)。具體地說,當(dāng)在以從通過檢查用攝影裝置拍攝到的圖像中檢測(cè)到的異物中的、某一個(gè)異物為中心且半徑為5mm的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述異物的集合體判斷為缺陷(以下,稱為簇缺陷)。
      [0041]將用于判斷是否為簇缺陷的簇區(qū)域設(shè)為以中心異物為基準(zhǔn)、半徑為5_的圓。如果半徑超過5mm,則在實(shí)際使用時(shí)幾乎不會(huì)存在被識(shí)別為不良的情況。
      [0042]另一方面,根據(jù)制造出的光學(xué)薄膜的具體的用途的不同,簇區(qū)域的半徑能夠進(jìn)一步變小。簇區(qū)域的半徑越小則被判斷為簇缺陷的情況越少,因此如果對(duì)光學(xué)薄膜不要求無缺陷則簇半徑變得更小。例如,簇區(qū)域的半徑也可以為4mm、3mm、2mm、lmm,但是并不限定于此。
      [0043]在本發(fā)明中,不特別限定形成簇缺陷的單位異物的大小。優(yōu)選的是,具有在圖像中被識(shí)別為異物的大小以上的大小,并且具有在簇區(qū)域內(nèi)存在兩個(gè)以上的大小。例如,異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為ΙΟΟμπι以下,優(yōu)選為50μπι以下。在本發(fā)明中,異物的大小的下限根據(jù)攝影裝置的種類的不同而不同,無論多么微細(xì)的合格品性異物都能夠進(jìn)行檢測(cè),只要在簇區(qū)域內(nèi)集合就成為本發(fā)明中的判斷的對(duì)象,因此不特別進(jìn)行限定,但是例如能夠?yàn)?0 μ m。因而,例如以異物的長(zhǎng)軸為基準(zhǔn),本發(fā)明的異物的大小能夠?yàn)?0μηι?ΙΟΟμπι,優(yōu)選為30 μ m?50 μ m,但是并不限定于此。
      [0044]圖4示出上述簇缺陷的概要性的例示。參照?qǐng)D4,異物1、2、3存在于以異物2為中心、預(yù)定的半徑的圓內(nèi)部,因此在簇區(qū)域內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物,被判斷為簇缺陷。
      [0045]在本發(fā)明中,在上述步驟S2中,能夠還包括以下步驟:在判斷為簇缺陷的情況下,對(duì)上述光學(xué)薄膜的對(duì)應(yīng)部分進(jìn)行標(biāo)記。
      [0046]能夠在光學(xué)薄膜實(shí)際被使用的區(qū)域中執(zhí)行標(biāo)記,或者在加工成最終產(chǎn)品時(shí)去除的剩余的區(qū)域(不實(shí)際使用的區(qū)域)中執(zhí)行標(biāo)記。
      [0047]通過對(duì)產(chǎn)生簇缺陷的部分進(jìn)行標(biāo)記,能夠在之后分類和去除產(chǎn)生簇缺陷的部分時(shí)容易使用。
      [0048]另外,對(duì)上述標(biāo)記的個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù),不僅能夠根據(jù)該計(jì)數(shù)計(jì)算缺陷發(fā)生率從而控制制造工序,還能夠用作將圖像與實(shí)際的光學(xué)薄膜進(jìn)行對(duì)比的指標(biāo),用于確認(rèn)簇缺陷的判斷是否正確地執(zhí)行。
      [0049]本發(fā)明的缺陷辨別方法能夠應(yīng)用于各種光學(xué)薄膜。作為這種光學(xué)薄膜,例如存在偏振薄膜、相位差薄膜等,但是并不限定于此。
      [0050]如上所述,在異物集中于規(guī)定的區(qū)域內(nèi)的情況下,由于上述集中而進(jìn)一步簇化,可能成為次品的原因,因此本發(fā)明提供一種將這種狀態(tài)(簇缺陷)判斷為缺陷的方法,在本發(fā)明的缺陷辨別方法中,在個(gè)別單位的異物時(shí)并非缺陷,但是能夠檢測(cè)上述異物集中于規(guī)定的區(qū)域內(nèi)而引起不良的情況,因此能夠降低光學(xué)薄膜的次品率。
      [0051]如上所述,通過所公開的實(shí)施方式和【專利附圖】

      【附圖說明】了本發(fā)明,本發(fā)明并不限定于此,具有本發(fā)明所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】的常識(shí)的人員在本發(fā)明的技術(shù)思想和權(quán)利要求書的同等范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種修改和變形是顯而易見的。
      【權(quán)利要求】
      1.一種光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,包括以下步驟: 步驟Si,拍攝被輸送的光學(xué)薄膜來獲取上述光學(xué)薄膜的圖像;以及步驟S2,根據(jù)上述圖像檢測(cè)異物,當(dāng)在以上述異物中的某一個(gè)異物為中心、半徑比兩個(gè)異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度長(zhǎng)且為5mm以下的圓內(nèi)存在兩個(gè)以上的異物時(shí),將包含中心的異物的上述兩個(gè)以上的異物的集合判斷為簇缺陷。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,其特征在于, 上述半徑為5mm、4mm、3mm、2mm或者1mm。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,其特征在于, 上述異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為30 μ m?100 μ m。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,其特征在于, 上述異物的長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度為30 μ m?50 μ m。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,其特征在于, 上述步驟Si的拍攝是通過反射光學(xué)系統(tǒng)方式、透射光學(xué)系統(tǒng)方式、或者反射光學(xué)系統(tǒng)方式和透射光學(xué)系統(tǒng)方式兩個(gè)方式來執(zhí)行的。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜的缺陷辨別方法,其特征在于, 上述步驟S2還包括以下步驟:在判斷為簇缺陷的情況下,對(duì)上述光學(xué)薄膜的與簇缺陷對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行標(biāo)記。
      【文檔編號(hào)】G01N21/88GK104237246SQ201410273073
      【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
      【發(fā)明者】裵星俊, 樸宰賢, 許宰寧 申請(qǐng)人:東友精細(xì)化工有限公司
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