單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置制造方法
【專利摘要】單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，它涉及電能表恒定磁場影響試驗裝置。它為解決現(xiàn)有針對電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置主要存在著無法將磁場施加于被檢測表的所有可接觸面和無法實現(xiàn)自動化試驗的問題?？刂破鞯逆I盤控制信號輸入端與控制鍵盤的鍵盤控制信號輸出端相連；控制器的控制信號輸出端與磁場發(fā)生器的控制信號輸入端相連；磁場發(fā)生器的電流信號輸入端與恒流發(fā)生器的電流信號輸出端相連；磁場檢測器的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端與磁場發(fā)生器的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連。它適用于各類單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗。
【專利說明】單相或三相電子式電能表'I'旦定磁場影響試驗裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電能表恒定磁場影響試驗裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]國內(nèi)目前針對電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置主要有三大類，第一類是在亥姆霍茲線圈通入直流電流產(chǎn)生恒定磁場，如蘇州泰思特電子科技有限公司PFMF-4108G，但是其到達樣表的磁感應(yīng)強度很微弱，并且不符合國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17215.32 (2-2) 008/IEC62053-22:2003關(guān)于靜止式電能表恒定磁場影響試驗的要求，即用標(biāo)準(zhǔn)電磁鐵產(chǎn)生的磁場作用于按正常使用時安裝的儀表的所有可觸及表面。其磁勢值為lOOOAt。其缺點是1、無法產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)要求的磁場強度，2、無法滿足標(biāo)準(zhǔn)要求的施加于被檢測表的所有可接觸面。第二類是在巨型C狀電磁鐵線圈中通入直流電流產(chǎn)生恒定磁場，這種結(jié)構(gòu)的試驗裝置同樣存在著
[0003]缺點:1、無法滿足標(biāo)準(zhǔn)要求的施加于被檢測表的所有可接觸。2、無法實現(xiàn)自動化試驗。第三類是將標(biāo)準(zhǔn)電磁鐵通入直流電流產(chǎn)生恒定磁場，手持電磁鐵試驗。目前國內(nèi)多數(shù)廠商及計量院多采用此方法。這種試驗裝置存在的缺點是1、無法避免磁場對人體的傷害。2、無法實現(xiàn)自動化試驗。綜上，現(xiàn)有的針對電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置主要存在著無法將磁場施加于被檢測表的所有可接觸面和無法實現(xiàn)自動化試驗的缺點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有針對電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置主要存在著無法將磁場施加于被檢測表的所有可接觸面和無法實現(xiàn)自動化試驗的問題，而提出了單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置。
[0005]單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，它包括控制器、磁場發(fā)生器、磁場檢測器、恒流發(fā)生器和控制鍵盤；所述控制器的鍵盤控制信號輸入端與控制鍵盤的鍵盤控制信號輸出端相連；控制器的控制信號輸出端與磁場發(fā)生器的控制信號輸入端相連；磁場發(fā)生器的電流信號輸入端與恒流發(fā)生器的電流信號輸出端相連；磁場檢測器的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端與磁場發(fā)生器的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連。
[0006]本發(fā)明實現(xiàn)與電能表校驗裝置的同步控制，為實現(xiàn)試驗設(shè)備自動化提供全面解決方案。單相表實現(xiàn)全部可接觸18點位，三相表實現(xiàn)全部可接觸28點位；
[0007]本申請中磁場發(fā)生器采用兩套雙U型線圈組分別置于單相電能表、三相電能表的所有可觸及表面。T型柱狀鐵、合金、鐵氧體鐵芯，線圈組，并在2cm范圍內(nèi)可以調(diào)節(jié)。磁場檢測器采用特斯拉計對磁場發(fā)生器產(chǎn)生的磁場進行監(jiān)測；恒流發(fā)生器為磁場發(fā)生器提供恒定直流電流?？刂破鲗ぷ鳡顟B(tài)進行全面控制。本試驗裝置在充分考慮國網(wǎng)單相、三相電能表的實驗基礎(chǔ)上，為了兼容其他規(guī)格的靜止式電能表，磁場線圈在三個方向位置可以調(diào)節(jié)，基本上可以滿足市場上正在使用的靜止式電能表的恒定磁場影響試驗要求。，采用對磁場發(fā)生器多層屏蔽措施，為解決設(shè)備產(chǎn)生大量的電磁干擾，提高控制的可靠性，同時采用工業(yè)控制計算機PLC為主控制部件，有效完成復(fù)雜控制，保證可靠性。磁場線圈及鐵心經(jīng)過特殊處理，保證每個磁場線圈特性一致。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為【具體實施方式】一的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2為【具體實施方式】二的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖3為【具體實施方式】三的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖4為【具體實施方式】四的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖5為【具體實施方式】五的控制器的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖6為【具體實施方式】六的控制器的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖7為【具體實施方式】七的控制器的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖8為【具體實施方式】九所述的磁場發(fā)生器的俯視圖；
[0016]圖9為【具體實施方式】九所述的磁場發(fā)生器的仰視圖；
[0017]圖10為【具體實施方式】十所述的磁場發(fā)生器的俯視圖；
[0018]圖11為【具體實施方式】十所述的磁場發(fā)生器的仰視圖；
[0019]圖12為通電螺線管中電流流向示意圖；
[0020]圖13為環(huán)形電流回路原理示意圖；
[0021]圖14為本申請所述場源離散化示意圖。

【具體實施方式】
[0022]【具體實施方式】一:結(jié)合圖1說明本實施方式，本實施方式所述單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，它包括控制器1、磁場發(fā)生器2、磁場檢測器3、恒流發(fā)生器4和控制鍵盤5 ;所述控制器I的鍵盤控制信號輸入端與控制鍵盤5的鍵盤控制信號輸出端相連；控制器I的控制信號輸出端與磁場發(fā)生器2的控制信號輸入端相連；磁場發(fā)生器2的電流信號輸入端與恒流發(fā)生器4的電流信號輸出端相連；磁場檢測器3的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端與磁場發(fā)生器2的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連。
[0023]【具體實施方式】二:結(jié)合圖2說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】一不同點在于它還包括編程器6 ;所述編程器6的編程數(shù)據(jù)信號輸出端與控制器I的編程數(shù)據(jù)信號輸入端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】一相同。
[0024]【具體實施方式】三:結(jié)合圖3說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】一或二不同點在于它還包括I/o擴展機7 ;所述I/O擴展機7的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端與控制器I的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】一或二相同。
[0025]【具體實施方式】四:結(jié)合圖4說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】三不同點在于它還包括指示燈8，指示燈8的驅(qū)動信號輸入端與控制器I的驅(qū)動信號輸出端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】三相同。
[0026]【具體實施方式】五:結(jié)合圖5說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】四不同點在于所述控制器I包括微處理器1-1、輸入信號單元1-2、輸出信號單元1-3、數(shù)據(jù)總線
1-4、恒壓供電電源1-5和存儲器1-6;微處理器1-1的輸入單元數(shù)據(jù)信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線1-4與輸入信號單元1-2的輸入單元數(shù)據(jù)信號輸出端相連；微處理器1-1的輸出單元數(shù)據(jù)信號輸出端通過數(shù)據(jù)總線1-4與輸出信號單元1-3的輸出單元數(shù)據(jù)信號輸入端相連；微處理器1-1的存儲數(shù)據(jù)輸入輸出端通過數(shù)據(jù)總線1-4與存儲器1-6的存儲數(shù)據(jù)輸入輸出端相連；恒壓供電電源1-5的三個供電端分別連接微處理器1-1、輸入信號單元1-2和輸出信號單元1-3的受電端。其它組成和連接方式與【具體實施方式】四相同。
[0027]【具體實施方式】六:結(jié)合圖6說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】五不同點在于它還包括外設(shè)I/o擴展接口 1-7 ;所述外設(shè)I/O擴展接口 1-7的外設(shè)I/O數(shù)據(jù)信號輸出輸入端通過數(shù)據(jù)總線1-4與微處理器1-1的外設(shè)I/O數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連；外設(shè)I/O擴展接口 1-7的外設(shè)I/O信號輸入端即為控制器I的編程數(shù)據(jù)信號輸入端。其它組成和連接方式與【具體實施方式】五相同。
[0028]【具體實施方式】七:結(jié)合圖7說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】五不同點在于它還包括I/o擴展接口 1-8 ;所述I/O擴展接口 1-8的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端通過數(shù)據(jù)總線1-4與微處理器1-1的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】五相同。
[0029]【具體實施方式】八:本實施方式與【具體實施方式】一不同點在于磁場發(fā)生器2米用單相電子式電能表磁場發(fā)生器或三相電子式電能表磁場發(fā)生器。
[0030]【具體實施方式】九:結(jié)合圖8、圖9說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】八不同點在于磁場發(fā)生器2采用單相電子式電能表磁場發(fā)生器，所述單相電子式電能表磁場發(fā)生器包括頂部T型鐵芯線圈陣列2-1、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-2、底端測試探針組
2-3和上端面T型鐵芯線圈陣列2-4;頂部T型鐵芯線圈陣列2-1和兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-2均采用3*1矩形T型鐵芯線圈陣列，上端面T型鐵芯線圈陣列2-4采用3*3矩形T型鐵芯線圈陣列；所述頂部T型鐵芯線圈陣列2-1、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-2、底端測試探針組2-3和上端面T型鐵芯線圈陣列2-4所形成的空腔即為待測電能表測試腔；兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-2分別對稱置于待測電能表兩側(cè)；頂部T型鐵芯線圈陣列2-1置于待測電能表頂端；上端面T型鐵芯線圈陣列2-4垂直設(shè)置于待測電能表的上端面上；底端測試探針組2-3與待測電能表的測試觸點接觸；所述頂部T型鐵芯線圈陣列2-1、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-2、底端測試探針組2-3和上端面T型鐵芯線圈陣列2-4的控制信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線與控制器I的控制信號輸出端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】八相同。
[0031]【具體實施方式】十:結(jié)合圖10、圖11說明本實施方式，本實施方式與【具體實施方式】八不同點在于磁場發(fā)生器2采用三相電子式電能表磁場發(fā)生器，所述三相電子式電能表磁場發(fā)生器包括三相頂部T型鐵芯線圈陣列2-5、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-6、三相底端測試探針組2-7和三相上端面T型鐵芯線圈陣列2-8 ;三相頂部T型鐵芯線圈陣列2-5和兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-6均采用4*1矩形T型鐵芯線圈陣列，三相上端面T型鐵芯線圈陣列2-8采用4*4矩形T型鐵芯線圈陣列；所述三相頂部T型鐵芯線圈陣列2-5、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-6、三相底端測試探針組2-7和三相上端面T型鐵芯線圈陣列2-8所形成的空腔即為待測電能表測試腔；兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-6分別對稱置于待測電能表兩側(cè)；三相頂部T型鐵芯線圈陣列2-5置于待測電能表頂端；三相上端面T型鐵芯線圈陣列2-8垂直設(shè)置于待測電能表的上端面上；三相底端測試探針組2-7與待測電能表的測試觸點接觸；所述三相頂部T型鐵芯線圈陣列2-5、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列2-6、三相底端測試探針組2-7和三相上端面T型鐵芯線圈陣列2-8的控制信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線與控制器I的控制信號輸出端相連。其它組成和連接方式與【具體實施方式】八相同。
[0032]本發(fā)明的工作原理:
[0033]電子式電能表由于現(xiàn)場工作環(huán)境的影響，各項性能參數(shù)常與檢定規(guī)程或標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定基本誤差的參考條件不同。例如，電子式電能表安裝時的環(huán)境溫度、空間磁場和電網(wǎng)電壓頻率都可能在相當(dāng)大的范圍內(nèi)變化。當(dāng)某項條件偏離參考范圍后，此時電能表的誤差與基本誤差的差值稱為該項條件引起的電能表附加誤差。為保證電能表在各種現(xiàn)場環(huán)境中的工作可靠性，電能表標(biāo)準(zhǔn)對各項附加誤差都規(guī)定了允許的極限值。
[0034]首先，根據(jù)待測電能表的類型，將待測電能表放置于磁場發(fā)生器2相應(yīng)的電能表測試腔內(nèi)，并使底端測試探針組與待測電能表的測試觸點接觸；
[0035]通過控制鍵盤5或編程器6向微處理器1-1發(fā)送控制信號，微處理器1-1通過同步信號控制端向磁場發(fā)生器2和恒流發(fā)生器4發(fā)送同步信號，以實現(xiàn)對磁場發(fā)生器2和恒流發(fā)生器4的同步控制；
[0036]微處理器1-1發(fā)送控制信號使磁場發(fā)生器2中的頂部T型鐵芯線圈陣列、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列、底端測試探針組和上端面T型鐵芯線圈陣列得電工作，同時恒流發(fā)生器4向頂部T型鐵芯線圈陣列、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列、底端測試探針組和上端面T型鐵芯線圈陣列通入固定頻率的電流，使磁場發(fā)生器2產(chǎn)生恒定磁場，磁場檢測器3檢測磁場發(fā)生器2產(chǎn)生的恒定磁場是否滿足試驗要求；先將待測電能表先置于檢定規(guī)程或標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定基本誤差的參考條件下，然后按檢定規(guī)程或標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的順序施加激勵值，模擬相同實驗環(huán)境但無恒定磁場影響下電能表正常通電工作時的基本誤差值B1并進行記錄；控制器I還具有單相電能表和三相電能表轉(zhuǎn)換功能，以實現(xiàn)對單相電能表和三相電能表的檢測。在其他影響量為參比條件下，將待測電能表置于磁場發(fā)生器2產(chǎn)生的恒定磁場的中心處，對待測電能表施加基本誤差試驗規(guī)定的激勵值并保持不變，通過恒流發(fā)生器4對磁場發(fā)生器2中的各鐵芯線圈陣列通以一定頻率的電流，并調(diào)節(jié)電流大小以確定磁場發(fā)生器2中的各鐵芯線圈陣列產(chǎn)生的磁感應(yīng)強度大小，并且各鐵芯線圈陣列與正常使用時待測電能表的所有可觸及表面接觸，觀察被測表的顯示值，在一定時間內(nèi)得出電能表受恒定磁場影響基本誤差值B2并進行記錄；此時得到附加誤差=B2-B15
[0037]通過計算得出電能表進行抗干擾度試驗的附加誤差，與電能表規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)進行比對確認其是否滿足要求。本發(fā)明所述裝置還具有過熱保護功能，控制器I可以接收溫度傳感器發(fā)送的溫度信號，并與過熱報警閾值進行比較，如超限則實現(xiàn)對檢測系統(tǒng)的斷電處理，實現(xiàn)對檢測裝置的過熱保護。
[0038]本發(fā)明所述恒定磁場的磁場強度的計算原理:
[0039]磁場強度用，用參數(shù)H進行表示，其與電流有直接關(guān)系，其單位為A/m ;磁感應(yīng)強度，用參數(shù)B進行表示，其與鐵芯材料因素及磁場強度H關(guān)系如下:
[0040]Η=B/uo 公式 I
[0041]μ 0------真空中的磁導(dǎo)率,表征磁介質(zhì)特性的參數(shù)；
[0042]H-------磁場強度；
[0043]B-------磁感應(yīng)強度；
[0044]假定在半徑為r1及r2的兩圓周之間，有一總匝數(shù)為N的均勻密繞平面線圈，將載流螺線管纏繞緊密，則可將它看成由許多同心的圓電流所組成，如圖12所示。為了滿足試驗中線圈要達到一定磁場強度的要求，在線圈中心加入鐵芯以增加磁場強度。通過選定線圈外形，鐵芯高度，繞制線徑，并根據(jù)線徑、負荷、鐵芯尺寸、線圈匝數(shù)等計算出磁密(磁感應(yīng)強度)，得到最佳的安匝數(shù)。
[0045]假設(shè)線圈電流為I，平均半徑為^的環(huán)形回路，如圖13所示，建立軸對稱磁場的基本計算模型，求得沿此環(huán)形電流回路軸線上任一場點P的磁感應(yīng)強度為

【權(quán)利要求】
1.單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它包括控制器(I)、磁場發(fā)生器(2)、磁場檢測器(3)、恒流發(fā)生器(4)和控制鍵盤(5);所述控制器(I)的鍵盤控制信號輸入端與控制鍵盤(5)的鍵盤控制信號輸出端相連；控制器(I)的控制信號輸出端與磁場發(fā)生器(2)的控制信號輸入端相連；磁場發(fā)生器(2)的電流信號輸入端與恒流發(fā)生器(4)的電流信號輸出端相連；磁場檢測器(3)的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端與磁場發(fā)生器(2)的檢測數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它還包括編程器(6);所述編程器(6)的編程數(shù)據(jù)信號輸出端與控制器(I)的編程數(shù)據(jù)信號輸入端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它還包括I/O擴展機(7);所述I/O擴展機(7)的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端與控制器(I)的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它還包括指示燈(8)，指示燈(8)的驅(qū)動信號輸入端與控制器(I)的驅(qū)動信號輸出端相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于所述控制器(I)包括微處理器(1-1)、輸入信號單元(1-2)、輸出信號單元(1-3)、數(shù)據(jù)總線(1-4)、恒壓供電電源(1-5)和存儲器(1-6);微處理器(1-1)的輸入單元數(shù)據(jù)信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線(1-4)與輸入信號單元(1-2)的輸入單元數(shù)據(jù)信號輸出端相連；微處理器(1-1)的輸出單 元數(shù)據(jù)信號輸出端通過數(shù)據(jù)總線(1-4)與輸出信號單元(1-3)的輸出單元數(shù)據(jù)信號輸入端相連；微處理器(1-1)的存儲數(shù)據(jù)輸入輸出端通過數(shù)據(jù)總線(1-4)與存儲器(1-6)的存儲數(shù)據(jù)輸入輸出端相連；恒壓供電電源(1-5)的三個供電端分別連接微處理器(1-1)、輸入信號單元(1-2)和輸出信號單元(1-3)的受電端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它還包括外設(shè)I/O擴展接口(1-7);所述外設(shè)I/O擴展接口(1-7)的外設(shè)I/O數(shù)據(jù)信號輸出輸入端通過數(shù)據(jù)總線(1-4)與微處理器(1-1)的外設(shè)I/O數(shù)據(jù)信號輸出輸入端相連；外設(shè)I/O擴展接口(1-7)的外設(shè)I/O信號輸入端即為控制器(I)的編程數(shù)據(jù)信號輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于它還包括I/O擴展接口(1-8);所述I/O擴展接口(1-8)的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端通過數(shù)據(jù)總線(1-4)與微處理器(1-1)的I/O擴展數(shù)據(jù)輸出輸入端相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于磁場發(fā)生器(2)采用單相電子式電能表磁場發(fā)生器或三相電子式電能表磁場發(fā)生器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于磁場發(fā)生器(2)采用單相電子式電能表磁場發(fā)生器，所述單相電子式電能表磁場發(fā)生器包括頂部T型鐵芯線圈陣列(2-1)、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-2)、底端測試探針組(2-3)和上端面T型鐵芯線圈陣列(2-4);頂部T型鐵芯線圈陣列(2-1)和兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-2)均采用3*1矩形T型鐵芯線圈陣列，上端面T型鐵芯線圈陣列(2-4)采用3*3矩形T型鐵芯線圈陣列；所述頂部T型鐵芯線圈陣列(2-1)、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-2)、底端測試探針組(2-3)和上端面T型鐵芯線圈陣列(2-4)所形成的空腔即為待測電能表測試腔；兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-2)分別對稱置于待測電能表兩側(cè)；頂部T型鐵芯線圈陣列(2-1)置于待測電能表頂端；上端面T型鐵芯線圈陣列(2-4)垂直設(shè)置于待測電能表的上端面上；底端測試探針組(2-3)與待測電能表的測試觸點接觸；所述頂部T型鐵芯線圈陣列(2-1)、兩個側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-2)、底端測試探針組(2-3)和上端面T型鐵芯線圈陣列(2-4)的控制信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線與控制器(I)的控制信號輸出端相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單相或三相電子式電能表恒定磁場影響試驗裝置，其特征在于磁場發(fā)生器(2)采用三相電子式電能表磁場發(fā)生器，所述三相電子式電能表磁場發(fā)生器包括三相頂部T型鐵芯線圈陣列(2-5)、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-6)、三相底端測試探針組(2-7)和三相上端面T型鐵芯線圈陣列(2-8);三相頂部T型鐵芯線圈陣列(2-5)和兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-6)均采用4*1矩形T型鐵芯線圈陣列，三相上端面T型鐵芯線圈陣列(2-8)采用4*4矩形T型鐵芯線圈陣列；所述三相頂部T型鐵芯線圈陣列(2-5)、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-6)、三相底端測試探針組(2-7)和三相上端面T型鐵芯線圈陣列(2-8)所形成的空腔即為待測電能表測試腔；兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-6)分別對稱置于待測電能表兩側(cè)；三相頂部T型鐵芯線圈陣列(2-5)置于待測電能表頂端；三相上端面T型鐵芯線圈陣列(2-8)垂直設(shè)置于待測電能表的上端面上；三相底端測試探針組(2-7)與待測電能表的測試觸點接觸；所述三相頂部T型鐵芯線圈陣列(2-5)、兩個三相側(cè)邊T型鐵芯線圈陣列(2-6)、三相底端測試探針組(2-7)和三相上端面T型鐵芯線 圈陣列(2-8)的控制信號輸入端通過數(shù)據(jù)總線與控制器(I)的控制信號輸出端相連。
【文檔編號】G01R35/04GK104076322SQ201410355491
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】陳世舉, 梅舒玉, 劉宇 申請人:黑龍江省電工儀器儀表工程技術(shù)研究中心有限公司