基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)及方法
【專利摘要】一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)及對應(yīng)測量方法，利用渦流傳感器探測線圈的阻抗在電阻-電感平面中的對應(yīng)點(diǎn)在不同探測距離下形成的提離線的斜率與被測導(dǎo)電膜厚度的關(guān)系來實現(xiàn)厚度測量。所述導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)包括：帶有探測線圈的電渦流傳感器探頭、阻抗測量電路、實現(xiàn)探頭上下移動的微型致動器以及控制測量過程和厚度結(jié)果輸出的控制器。本發(fā)明方法簡單高效，可以非接觸地準(zhǔn)確測量出導(dǎo)電膜的厚度，測量結(jié)果幾乎不受探測距離的影響，厚度測量范圍從幾十nm到幾mm，可以廣泛地用于半導(dǎo)體金屬膜檢測、工業(yè)生產(chǎn)線上的金屬膜在線測量系統(tǒng)以及各種鍍膜工藝的質(zhì)量監(jiān)控或檢測等應(yīng)用中。
【專利說明】基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及渦流傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量 系統(tǒng)及方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 電渦流傳感器是采用施加高頻激勵的探測線圈來在被測導(dǎo)體樣品中產(chǎn)生感應(yīng)渦 流，改變探測線圈的阻抗，不同的距離和不同的樣品屬性會產(chǎn)生不同的渦流，從而使探測線 圈具有不同的阻抗變化。通過測量探測線圈的阻抗（電感和電阻）變化，即可提取被測樣 品的位置（速度）、電阻率、厚度等各種屬性信息。由于電渦流傳感器自身的特點(diǎn)，它具有穩(wěn) 定性高、對環(huán)境污染不敏感、工作溫度范圍寬、頻率響應(yīng)寬、價格便宜等諸多優(yōu)勢，已經(jīng)廣泛 地應(yīng)用于各種實驗研究和工業(yè)現(xiàn)場的位移、振動、角度、速度等的測量，以及缺陷檢查、質(zhì)量 監(jiān)測等在線系統(tǒng)中。
[0003] 各種導(dǎo)電薄膜（銅箔、鋁箔等）的生產(chǎn)線，以及電鍍薄膜和半導(dǎo)體晶片的基板上的 銅膜拋光工藝，都需要一個能夠非接觸的、簡單可靠的導(dǎo)電薄膜厚度測量方法。目前主要采 用的是光學(xué)測量方法、超聲波法和X射線測量方法。
[0004] 光學(xué)傳感器基于光波長來進(jìn)行測量，可以精確地測量各種膜厚，但其系統(tǒng)設(shè)備昂 貴、龐大，系統(tǒng)復(fù)雜，對環(huán)境敏感，而且需要對樣品進(jìn)行特殊的處理才能實現(xiàn)精確測量，難于 廣泛地用于在線生產(chǎn)線中。射線法可以較為準(zhǔn)確的測量非常薄的金屬膜的厚度，但系統(tǒng)昂 貴復(fù)雜，對人體有危害。超聲波法已經(jīng)較為成熟，系統(tǒng)簡單可靠，但只能用于比較厚的物體 測量，而且測量分辨率不高。
[0005] 近十年來，電渦流厚度測量系統(tǒng)開始受到廣泛關(guān)注，采用復(fù)合頻率和脈沖式電渦 流傳感器可以可靠地測量各種導(dǎo)電膜的厚度，系統(tǒng)相對簡單，可以實現(xiàn)非接觸、高速測量。 但由于渦流傳感器對探測距離（提離距離）高度敏感，因此在厚度測量中，通常需要控制探 測距離，或者采用一些特殊的特征信息來減低或者消除探測距離的影響。諸如頻率拐點(diǎn)、脈 沖的過零點(diǎn)和峰值等特征信息已經(jīng)被國內(nèi)外的一些研究者用于導(dǎo)電膜厚度測量。不同結(jié)構(gòu) 的探頭結(jié)構(gòu)和方法以及特征信息被設(shè)計用來實現(xiàn)厚度測量。但所有這些方法仍然存在渦流 傳感器結(jié)構(gòu)復(fù)雜、設(shè)計要求高、信號處理復(fù)雜、不可靠、測量速度慢、測量結(jié)果一定程度上受 探測距離影響等問題。因此簡單可靠、高速，與探測距離無關(guān)的導(dǎo)電膜厚度測量渦流傳感器 仍然是亟待解決的難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 針對上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測 量系統(tǒng)及方法，以快速、精確地對導(dǎo)電膜厚度進(jìn)行測量。
[0007] 為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供了一種基于電渦流傳感 器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，包括：
[0008] 傳感器探測線圈10,位于電渦流傳感器探頭2的下端，用于產(chǎn)生交變磁場，在導(dǎo)電 膜樣品上形成感應(yīng)渦流；
[0009] 阻抗測量電路3,用于給所述傳感器探測線圈10通以高頻交流信號，同時檢測所 述傳感器探測線圈10的電阻R和電感L ;以及
[0010] 控制器4,用于控制所述阻抗測量電路3輸出到所述傳感器探測線圈10的高頻交 流信號的頻率，并根據(jù)所述阻抗測量電路3檢測到的電阻R和電感L求得L0C線斜率，給出 所述導(dǎo)電膜樣品的厚度。
[0011] 其中所述傳感器探測線圈10由圓盤型線圈構(gòu)成。
[0012] 所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，還包括微型致動器6,用于驅(qū)動 所述電渦流傳感器探頭2振動。
[0013] 其中所述微型致動器6為壓電懸臂梁驅(qū)動器、壓電致動器、直線電機(jī)或電磁激振 器。
[0014] 其中所述控制器4控制的所述阻抗測量電路3輸出到所述傳感器探測線圈10的 高頻交流信號的頻率隨著所述導(dǎo)電膜樣品的厚度和電導(dǎo)率作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，需要滿足該頻率 下渦流在目標(biāo)樣品中的透射深度S大于兩倍的目標(biāo)厚度t，即δ >2t。
[0015] 其中所述控制器4根據(jù)所述阻抗測量電路3檢測到的電阻R和電感L求得L0C線 斜率的步驟包括：
[0016] 所述控制器4同步記錄微型致動器6的激勵信號和傳感器探頭2的R和L信號， 獲得探頭振動的半個周期的完整移動距離下的線圈阻抗值R和L ;
[0017] 利用最小二乘法公式進(jìn)行數(shù)值計算，得到R-L直線的斜率K。
[0018] 其中所述控制器4還執(zhí)行下列步驟：
[0019] 計算最小二乘擬合的擬合線性相關(guān)系數(shù)r ;
[0020] 通過所述擬合線性相關(guān)系數(shù)判斷擬合的質(zhì)量，如果所述擬合線性相關(guān)系數(shù)r小于 設(shè)定的值，則認(rèn)為測量不可靠，重新進(jìn)行測量；否則認(rèn)可試驗結(jié)果。
[0021] 其中，在實際測量前，利用公式K = Q 〇 t，通過測量某種已知標(biāo)準(zhǔn)厚度和電阻率 的樣品，所述控制器4即可計算獲得系數(shù)q的值。
[0022] 作為本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明還提供了一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度 測量方法，包括下列步驟：
[0023] 初步調(diào)整傳感器探頭2和導(dǎo)電膜樣品的距離，使其進(jìn)入敏感區(qū)間；
[0024] 控制傳感器探頭2進(jìn)一步移動，同時根據(jù)測得的阻抗信號的變化，初步判斷出傳 感器探頭2的工作距離，并據(jù)此調(diào)整傳感器探頭2與導(dǎo)電膜樣品的工作距離；
[0025] 控制器4調(diào)整DDS信號源11，產(chǎn)生合適頻率和幅度的激勵信號，通過功放放大后驅(qū) 動微型致動器6,激勵傳感器探頭2做上下往復(fù)振動；
[0026] 控制器4同步記錄微型致動器6的激勵信號和傳感器探頭2的R和L信號，獲得 探頭振動的半個周期的完整移動距離下的線圈阻抗值R和L ;
[0027] 利用最小二乘法公式進(jìn)行數(shù)值計算，得到R-L直線的斜率K，換算出導(dǎo)電膜樣品的 厚度。
[0028] 其中，所述厚度測量方法還包括以下步驟：
[0029] 計算最小二乘擬合的擬合線性相關(guān)系數(shù)r ;
[0030] 通過所述擬合線性相關(guān)系數(shù)判斷擬合的質(zhì)量，如果所述擬合線性相關(guān)系數(shù)r小于 設(shè)定的值，則認(rèn)為測量不可靠，重新進(jìn)行測量；否則認(rèn)可試驗結(jié)果。
[0031] 其中，在實際測量前，利用公式K = Q 〇 t，通過測量某種已知標(biāo)準(zhǔn)厚度和電阻率 的樣品，即可計算獲得系數(shù)q的值。
[0032] 其中，所述微型致動器6激勵信號的工作頻率隨著所述導(dǎo)電膜樣品的厚度和電導(dǎo) 率作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，需要滿足該工作頻率下渦流在目標(biāo)樣品中的透射深度S大于兩倍的目 標(biāo)厚度t,即δ > 2t。
[0033] 其中，所述被測導(dǎo)電膜樣品的厚度為幾十nm到幾 mm之間。
[0034] 其中，所述被測導(dǎo)電膜樣品是非磁性導(dǎo)電材料。
[0035] 其中，所述導(dǎo)電膜厚度測量方法的測量速度高達(dá)20kHz以上。
[0036] 其中，所述導(dǎo)電膜厚度測量方法對被測目標(biāo)的縱向振動不敏感，利用被測目標(biāo)有 規(guī)律的縱向振動直接實現(xiàn)獲得L0C提離線，實現(xiàn)厚度測量，無需致動器驅(qū)動探頭做振動。
[0037] 其中，所述導(dǎo)電膜厚度測量方法對被測目標(biāo)的水平移動不敏感，當(dāng)被測目標(biāo)以高 達(dá)100m/ S的速度移動時帶來的測量誤差在0. 01 %以下。
[0038] 其中，所述導(dǎo)電膜厚度測量方法的測量分辨率高達(dá)其厚度的0. 1 %以上，對微米級 薄膜的測量分辨率可以高達(dá)nm級。
[0039] 其中，所述導(dǎo)電膜厚度測量方法由于采用最小二乘法計算測量結(jié)果，對個別數(shù)據(jù) 的測量誤差不敏感，厚度測量的分辨率高于線圈阻抗的測量分辨能力。
[0040] 通過上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)及對 應(yīng)測量方法具有以下有益的技術(shù)效果：測量速度快，測量結(jié)果不受探測距離的影響，厚度與 測量物理量的關(guān)系簡單明確，信息處理簡單，安全無污染，對環(huán)境參數(shù)變化不敏感，可以在 各種惡劣環(huán)境中工作，可以適用的測量范圍大，既可適用于高達(dá)幾 mm的金屬板測量，也可 用于幾十nm的超薄金屬膜厚度的精密測量。此外，被測樣品橫向或者縱向運(yùn)動幾乎不會 影響測量結(jié)果，非常適合工業(yè)現(xiàn)場在線測量和一些先進(jìn)的高速精密厚度測量。本發(fā)明的厚 度測量方法具有任何目前已有電渦流厚度測量方法，或者其它厚度測量方法無可比擬的優(yōu) 勢，可以廣泛地用于半導(dǎo)體金屬膜檢測、工業(yè)生產(chǎn)線上的金屬膜在線測量以及各種鍍膜工 藝的檢測等應(yīng)用中，在各種工業(yè)現(xiàn)場的膜厚質(zhì)量監(jiān)控系統(tǒng)中，也具有非常好的應(yīng)用前景。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041] 圖1是本發(fā)明的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)的簡單結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖2是電渦流傳感器的結(jié)構(gòu)及磁感應(yīng)線分布示意圖；
[0043] 圖3 (a)、圖3 (b)分別是電渦流傳感器工作原理及對應(yīng)的變壓器模型的示意圖；
[0044] 圖4 (a)、圖4 (b)分別是電渦流傳感器渦流強(qiáng)度-厚度曲線及電渦流傳感器等效成 導(dǎo)體環(huán)模型的示意圖；
[0045] 圖5 (a)、圖5 (b)分別是電渦流傳感器不同目標(biāo)材料對應(yīng)的L0C線圖，以及L0C線 斜率K2與電阻率〇的關(guān)系曲線圖；
[0046] 圖6(a)、圖6(b)分別是電渦流傳感器不同厚度的目標(biāo)材料的L0C線圖，以及L0C 線斜率Κ與厚度t的曲線圖；
[0047] 圖7 (a)、圖7 (b)分別是同一厚度、不同電阻率材料的L0C線圖和L0C線斜率K與 電阻率σ的關(guān)系曲線圖；
[0048] 圖8是本發(fā)明的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)的電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡圖； [0049] 圖9(a)_(d)是微型致動器的幾種形式的結(jié)構(gòu)示意圖，分別采用壓電懸臂梁、壓電 堆、直線電機(jī)、電磁鐵作為致動器；
[0050] 圖10左右兩幅圖是本發(fā)明的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)的工作示 意圖，其中左圖是有驅(qū)動器的，右圖是固定不動的；
[0051] 圖11 (a)、圖11(b)分別是探頭振動時的位移X、探頭電感L、電阻R隨時間變化的 曲線圖，以及對應(yīng)的L-R的L0C線的曲線圖；
[0052] 圖12 (a)、圖12(b)分別是探頭目標(biāo)的不同靜態(tài)距離屯下相同振幅時探測線圈的 阻抗R和L隨時間變化的曲線圖，以及對應(yīng)的L-R的L0C線的曲線圖；
[0053] 圖13(a)、圖13(b)分別是有振動干擾時探測線圈的阻抗R和L隨時間變化的曲線 圖，以及對應(yīng)的L-R的L0C線的曲線圖；
[0054] 圖14是測量目標(biāo)高速運(yùn)動時對測量結(jié)果將會產(chǎn)生影響的示意圖；
[0055] 圖15是根據(jù)本發(fā)明的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法對不同厚度樣品 進(jìn)行測量的L0C線斜率K隨時間變化的曲線圖。
[0056] 附圖標(biāo)記說明：
[0057] 1、被測樣品；2、傳感器探頭；3、阻抗測量電路；4、控制器；5、同軸電纜；6、致動器； 7、填充樹脂膠；8、線圈保護(hù)殼；9、空氣介質(zhì)；10、探測線圈；11、DDS信號源；12、V/I變換器； 13、90度移相器；14、鎖定放大器LIA ;15、正交解調(diào)器；16、功率放大器；17、底座；18、PZT 片；19、雙層中空懸臂梁；20、傳感器安裝固定夾；21、壓電致動器；22、直線步進(jìn)電機(jī)；23、勵 磁線圈；24、磁鐵；25、彈簧；26、底座支架。

【具體實施方式】
[0058] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照 附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0059] 本發(fā)明的技術(shù)方案的基本原理如下：
[0060] 一個圓盤型的空心線圈作為渦流傳感器的探測線圈，通過同軸線與阻抗測量電路 相連接。阻抗測量電路給探測線圈施加一個高頻交流電流，同時能以極高的分辨率測量出 探測線圈阻抗的實部（R)和虛部（L)的變化量。
[0061] 當(dāng)探測線圈與樣品之間的距離X增大（或者減?。r，探測線圈在不同距離下的 阻抗在R-L平面中一序列的點(diǎn)形成一條曲線，稱之為提離線（L0C線）。在探測距離X不太 大時（x<0.5r。，其中r。是探測線圈的半徑），工作在高頻的空心探測線圈，對于非鐵磁性 樣品的提離線是一條直線。當(dāng)被測樣品厚度小于該頻率下的透射深度時，提離線的斜率與 被測導(dǎo)電樣品的厚度和電阻率成正比：K = Q 〇 t ;當(dāng)被測樣品厚度超過該頻率下透射深 度S的3倍時，斜率為

【權(quán)利要求】
1. 一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，包括： 傳感器探測線圈（10)，位于電渦流傳感器探頭（2)的下端，用于產(chǎn)生交變磁場，在導(dǎo)電 膜樣品上形成感應(yīng)渦流； 阻抗測量電路（3)，用于給所述傳感器探測線圈（10)通以高頻交流信號，同時檢測所 述傳感器探測線圈（10)的電阻R和電感L;以及 控制器（4)，用于控制所述阻抗測量電路（3)輸出到所述傳感器探測線圈（10)的高頻 交流信號的頻率，并根據(jù)所述阻抗測量電路（3)檢測到的電阻R和電感L求得線圈阻抗在 R-L平面的提離線（LOC)的斜率，給出所述導(dǎo)電膜樣品的厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中所述傳感器 探測線圈（10)由圓盤型線圈構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，還包括微型 致動器（6)，用于驅(qū)動所述電渦流傳感器探頭（2)振動。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中所述微型致 動器（6)為壓電懸臂梁驅(qū)動器、壓電致動器、直線電機(jī)或電磁激振器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中所述控制器 (4)控制的所述阻抗測量電路（3)輸出到所述傳感器探測線圈（10)的高頻交流信號的頻率 隨著所述導(dǎo)電膜樣品的厚度和電導(dǎo)率作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，需要滿足該頻率下渦流在目標(biāo)樣品中 的透射深度S大于兩倍的目標(biāo)厚度t，即δ >2t。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中所述控制器 (4)根據(jù)所述阻抗測量電路（3)檢測到的電阻R和電感L求得LOC線斜率的步驟包括： 所述控制器（4)同步記錄微型致動器（6)的激勵信號和傳感器探頭（2)的R和L信號， 獲得探頭振動的半個周期的完整移動距離下的線圈阻抗值R和L ; 利用最小二乘法公式進(jìn)行數(shù)值計算，得到R-L直線的斜率K。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中所述控制器 (4)還執(zhí)行下列步驟： 計算最小二乘擬合的擬合線性相關(guān)系數(shù)r ; 通過所述擬合線性相關(guān)系數(shù)判斷擬合的質(zhì)量，如果所述擬合線性相關(guān)系數(shù)r小于設(shè)定 的值，則認(rèn)為測量不可靠，重新進(jìn)行測量；否則認(rèn)可試驗結(jié)果。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量系統(tǒng)，其中在實際測量 前，利用公式K = Q 〇 t，通過測量某種已知標(biāo)準(zhǔn)厚度和電阻率的樣品，所述控制器（4)即 可計算獲得系數(shù)(^的值。
9. 一種基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，包括下列步驟： 初步調(diào)整傳感器探頭（2)和導(dǎo)電膜樣品的距離，使其進(jìn)入敏感區(qū)間； 控制傳感器探頭（2)進(jìn)一步移動，同時根據(jù)測得的阻抗信號的變化，初步判斷出傳感 器探頭（2)的工作距離，并據(jù)此調(diào)整傳感器探頭（2)與導(dǎo)電膜樣品的工作距離； 控制器（4)調(diào)整DDS信號源（11)，產(chǎn)生合適頻率和幅度的激勵信號，通過功放放大后驅(qū) 動微型致動器￠)，激勵傳感器探頭（2)做上下往復(fù)振動； 控制器⑷同步記錄微型致動器（6)的激勵信號和傳感器探頭（2)的R和L信號，獲 得探頭振動的半個周期的完整移動距離下的線圈阻抗值R和L ; 利用最小二乘法公式進(jìn)行數(shù)值計算，得到R-L直線的斜率K，換算出導(dǎo)電膜樣品的厚 度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，還包括以下步 驟： 計算最小二乘擬合的擬合線性相關(guān)系數(shù)r ; 通過所述擬合線性相關(guān)系數(shù)判斷擬合的質(zhì)量，如果所述擬合線性相關(guān)系數(shù)r小于設(shè)定 的值，則認(rèn)為測量不可靠，重新進(jìn)行測量；否則認(rèn)可試驗結(jié)果。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，其中在實際測 量前，利用公式K = Q 〇 t，通過測量某種已知標(biāo)準(zhǔn)厚度和電阻率的樣品，即可計算獲得系 數(shù)心的值。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，其中所述微型 致動器（6)激勵信號的工作頻率隨著所述導(dǎo)電膜樣品的厚度和電導(dǎo)率作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，需要 滿足該工作頻率下渦流在目標(biāo)樣品中的透射深度S大于兩倍的目標(biāo)厚度t，即δ >2t。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，其中所述被測 導(dǎo)電膜樣品的厚度為幾十nm到幾 mm之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，所述被測導(dǎo)電 膜樣品是非磁性導(dǎo)電材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，所述導(dǎo)電膜厚 度測量方法的測量速度高達(dá)20kHz以上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，其中所述導(dǎo)電 膜厚度測量方法對被測目標(biāo)的水平移動不敏感，當(dāng)被測目標(biāo)以高達(dá)l〇〇m/ S的速度移動時 帶來的測量誤差在0.01 %以下。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于電渦流傳感器的導(dǎo)電膜厚度測量方法，其中所述導(dǎo)電 膜厚度測量方法的測量分辨率高達(dá)其厚度的〇. 1%以上，對微米級薄膜的測量分辨率可以 高達(dá)nm級。
【文檔編號】G01B7/06GK104154852SQ201410412326
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月20日
【發(fā)明者】馮志華, 王洪波, 李偉, 琚斌 申請人:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)