紅外線檢測裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供紅外線檢測裝置，其結(jié)構(gòu)簡單，放大率較高、且以低電壓進行動作。將作為熱電型紅外線檢測元件的輸出級的NMOS晶體管設(shè)為通過并聯(lián)連接的電阻和電容將源極連接到GND的源極接地放大電路。
【專利說明】紅外線檢測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]圖2示出以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。
[0003]以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置具有熱電型紅外線檢測元件100、電阻107和109、恒壓電路200、輸出端子110。
[0004]熱電型紅外線檢測元件100具有熱電元件101、NMOS晶體管102和電阻103。
[0005]NMOS晶體管102的柵極上連接有熱電元件101和電阻103，漏極上經(jīng)由輸出端子110和電阻109連接有恒壓電路200，源極經(jīng)由電阻107與GND連接。即，熱電型紅外線檢測元件100的輸出級構(gòu)成NMOS晶體管102的源極接地放大電路。
[0006]上述那樣的熱電型紅外線檢測元件100如以下那樣動作來檢測紅外線。
[0007]當(dāng)紅外線被入射到熱電型紅外線檢測元件100時，電阻103將熱電元件101所產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而NMOS晶體管102的柵極電壓上升。當(dāng)柵極電壓上升時，在NMOS晶體管102中流過漏極電流，從而漏極和電阻109的連接點的電壓、即輸出端子110的電壓發(fā)生變動。由此，將NMOS晶體管102設(shè)為了源極接地放大電路，因此通過將電阻109的電阻值設(shè)為恰當(dāng)?shù)闹担瑹犭娦图t外線檢測元件100的輸出級能夠得到期望的放大率(例如參照專利文獻I)。
[0008]【專利文獻I】日本特開平5-340807號公報
[0009]上述紅外線檢測裝置的輸出級利用電阻107與電阻109的電阻值之比確定放大率。即，在增高放大率的情況下，需要相對于電阻107增大電阻109的電阻值。因此，在增高放大率時，電阻109所產(chǎn)生的電壓變高，因此需要增高恒壓電路200輸出的電壓。S卩，以往的紅外線檢測裝置存在無法進行低電壓動作的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明正是為了解決以上那樣的課題而研究的，提供一種放大率較高、且以低電壓進行動作的紅外線檢測裝置。
[0011]為了解決以往的問題，將熱電型紅外線檢測元件的輸出級設(shè)為在NMOS晶體管的源極與GND之間設(shè)置有并聯(lián)連接的電阻和電容的源極接地放大電路。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的紅外線檢測裝置，將作為熱電型紅外線檢測元件的輸出級的NMOS晶體管設(shè)為通過并聯(lián)連接的電阻和電容將源極與GND連接的源極接地放大電路，因此不需要增大與NMOS晶體管的漏極連接的電阻的電阻值，所以有放大率較高、且能夠以低電壓進行動作這一效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本實施方式的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。
[0014]圖2是以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。
[0015]標號說明
[0016]100:熱電型紅外線檢測元件
[0017]101:熱電元件
[0018]200:恒壓電路

【具體實施方式】
[0019]以下，參照附圖來說明本實施方式。
[0020]圖1是本實施方式的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。
[0021]本實施方式的紅外線檢測裝置具有熱電型紅外線檢測元件100、電阻107和109、電容108、輸出端子110。
[0022]熱電型紅外線檢測元件100具有熱電元件10UNM0S晶體管102、電阻103、漏極端子104、源極端子105和接地端子106。
[0023]NMOS晶體管102的柵極上連接有熱電元件101和電阻103的一個端子，漏極上連接有漏極端子104，源極上連接有源極端子105。熱電元件101和電阻103的另一個端子與接地端子106連接。漏極端子104經(jīng)由輸出端子110和電阻109與VDD連接。源極端子105經(jīng)由電阻107和電容108與GND連接。即，熱電型紅外線檢測元件100的輸出級構(gòu)成NMOS晶體管102的源極接地放大電路。
[0024]上述那樣的紅外線檢測裝置如以下那樣動作來檢測紅外線。
[0025]當(dāng)紅外線被入射到熱電型紅外線檢測元件100時，電阻103將熱電元件101所產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)換為電壓，從而匪OS晶體管102的柵極電壓上升。NMOS晶體管102的驅(qū)動能力較高，因此當(dāng)柵極電壓上升時，源極電壓也要上升。這里，在源極端子105上與電阻107并聯(lián)連接有電容108，因此NMOS晶體管102的源極電壓維持柵極電壓上升前的電壓。因此，NMOS晶體管102的柵極一源極間電壓變高，相比沒有電容108時，流過更多的NMOS晶體管102的漏極電流。該漏極電流的增加量是將NMOS晶體管102的柵極電壓的增加量設(shè)為NMOS晶體管102的K值倍后的值。該漏極電流流過電阻109，因此能夠在不相對于電阻107增大電阻109的電阻值的情況下，提高紅外線檢測裝置的輸出級的放大率。
[0026]如以上所記載那樣，本實施方式的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置將NMOS晶體管102設(shè)為通過并聯(lián)連接的電阻和電容將源極與GND連接的源極接地放大電路，因此能夠在不相對于電阻107增大電阻109的電阻值的情況下，提高紅外線檢測裝置的輸出級的放大率。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠以低電壓進行動作。
[0027]另外，本實施方式的紅外線檢測裝置設(shè)為經(jīng)由電阻向熱電型紅外線檢測元件的漏極端子施加電源電壓(VDD)的結(jié)構(gòu)，但也可以構(gòu)成為施加恒壓電路輸出的恒壓。
【權(quán)利要求】
1.一種紅外線檢測裝置，其對紅外線的入射量變化進行檢測，所述紅外線檢測裝置的特征在于，具有: 熱電型紅外線檢測元件，其具有與所述紅外線檢測裝置的輸出端子連接的漏極端子、源極端子、和與地連接的接地端子； 第一電阻，其連接在所述漏極端子和電源端子之間； 第二電阻，其連接在所述源極端子和地之間；以及 電容，其連接在所述源極端子和地之間。
【文檔編號】G01J5/14GK104422528SQ201410426064
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】宇都宮文靖 申請人:精工電子有限公司