一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)及方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體缺陷檢測領(lǐng)域，具體涉及一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)及方法，本發(fā)明給新產(chǎn)品的研發(fā)過程增加一種檢測由光罩圖形設(shè)計弱點(diǎn)和工藝窗口不足所導(dǎo)致的系統(tǒng)缺陷的手段，可有效降低目前由于掃描機(jī)臺可能未能發(fā)現(xiàn)某些系統(tǒng)缺陷所造成的風(fēng)險，從而提升新產(chǎn)品的良率，降低研發(fā)成本。
【專利說明】一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體缺陷檢測領(lǐng)域，具體涉及一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)及方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路工藝的發(fā)展和工藝尺寸的縮小，工藝窗口隨之變得更小，晶圓上的缺陷尺寸也變得越來越小。同時，隨著電子技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的逐漸加大，越來越多的新設(shè)計和新產(chǎn)品需要晶圓代工廠去對新制程進(jìn)行研發(fā)，再投入量產(chǎn)。在新產(chǎn)品的研發(fā)階段，確定工藝窗口大小，檢測關(guān)鍵工藝站點(diǎn)上潛在的系統(tǒng)缺陷也就成為了產(chǎn)品工藝研發(fā)、缺陷控制和良率提升的重要環(huán)節(jié)。
[0003]目前業(yè)內(nèi)針對研發(fā)階段產(chǎn)品中對各類缺陷檢測的通常做法是應(yīng)用亮場、暗場和電子束等掃描機(jī)臺進(jìn)行掃描并得到缺陷在晶圓上的位置分布圖，再用掃描電子顯微鏡對掃描到的位置進(jìn)行二次電子成像從而獲取缺陷的圖像數(shù)據(jù)。然而，在某些站點(diǎn)上的一些特定缺陷(圖1)由于尺寸太小或是對比信號太弱(圖2)，容易淹沒在噪聲信號中甚至是在通常條件下不能被檢測到，導(dǎo)致在研發(fā)過程中沒有發(fā)現(xiàn)該系統(tǒng)缺陷(圖3)的存在。
[0004]圖1所示為缺陷在SiN_RM(氮化硅去除)站點(diǎn)的電子掃描顯微鏡圖像，如圖所示是一條豎直方向的窄AA (active area，有源區(qū)；定義為活躍區(qū)域)圖形，兩邊黑色部分是STI (淺溝槽隔離)，窄AA圖形下半部發(fā)黑的部分是由CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)造成的OverPolish(研磨過度)缺陷。圖2為缺陷在亮場掃描機(jī)臺中的灰階值圖像。如圖所示，缺陷在亮場掃描機(jī)臺中的信號圖像僅在AA圖形的邊緣體現(xiàn)出微弱的差異，該差異不足以被當(dāng)作是目標(biāo)缺陷而保留在掃描結(jié)果中。圖3為缺陷出現(xiàn)位置周邊的光罩圖形示意圖，如圖所示，在AA區(qū)域的上下位置都分別設(shè)計有AA DUMMY (阻擋區(qū))區(qū)域，AA區(qū)域方框的兩邊則是大面積的STI區(qū)域,而Over Polish (研磨過度缺陷)區(qū)域只出現(xiàn)在左右兩條豎直AA上,其原因就是在豎直AA的兩邊沒有設(shè)計AA DUMMY,導(dǎo)致在STI CMP (淺槽隔離層化學(xué)機(jī)械研磨)工藝中豎直AA沒有鄰近AA DUMMY的支撐而被過度研磨，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員不期望看到的。這不但影響到最終產(chǎn)品試產(chǎn)的良率，也增加了今后一旦發(fā)現(xiàn)該缺陷后再改動整個工藝所花費(fèi)的成本。
[0005]在對具有多個die的樣品進(jìn)行檢測時，傳統(tǒng)采用亮場掃描的檢測方式進(jìn)行掃描，原理是將一個Die(芯片的最小單元)和它的左右鄰近Die(晶粒)作對比，現(xiàn)有技術(shù)是通過亮場掃描得到缺陷分布圖，再根據(jù)掃描缺陷分布圖上的位置坐標(biāo)去掃描電子顯微鏡上收集缺陷圖像，并根據(jù)圖像來確定所掃描到的位置是否真實(shí)存在缺陷。但是在亮場掃描得到缺陷分布圖中由于0ver_PoI i sh (過度研磨缺陷)的缺陷程度可能會出漸變遞減的狀態(tài)，所以掃描對比得到的差異信號很小，只有在與左右鄰近Die對比差異最大的位置Die上才可能發(fā)現(xiàn)缺陷，而其他Die的缺陷因?yàn)橄嗤鵁o法被對比出差異，進(jìn)而導(dǎo)致部分缺陷沒有被檢測到，影響產(chǎn)品良率，甚至導(dǎo)致產(chǎn)線上的lot報廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括:
[0007]存儲模塊，儲存有光罩設(shè)計圖形數(shù)據(jù)；
[0008]預(yù)選模塊，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷在樣品中選取部分區(qū)域作為待測區(qū)域；
[0009]篩選模塊，根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則以選取部分待測區(qū)域；
[0010]處理模塊，根據(jù)所述預(yù)選模塊中的待測區(qū)域和篩選模塊的篩選規(guī)則選取部分待測區(qū)域作為檢測區(qū)域；
[0011]檢測模塊，對所述檢測區(qū)域進(jìn)行缺陷檢測；
[0012]執(zhí)行模塊，所述執(zhí)行模塊用于執(zhí)行所述檢測模塊的檢測操作。
[0013]上述的系統(tǒng)，其中，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。
[0014]上述的系統(tǒng)，其中，根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定所述閾值。
[0015]上述的系統(tǒng),其中，所述檢測模塊為一掃描電子顯微鏡，利用所述掃描電子顯微鏡對所述檢測區(qū)域做做缺陷檢測。
[0016]上述的系統(tǒng)，其中，所述篩選模塊根據(jù)所述掃描電子顯微鏡的最大檢測能力來對待測區(qū)域進(jìn)行篩選以作為所述檢測區(qū)域。
[0017]同時本發(fā)明還提供了一種光罩圖形缺陷檢測方法，其中，所述方法包括:
[0018]建立一光罩圖形數(shù)據(jù)庫；
[0019]根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和對應(yīng)的工藝缺陷來選定樣品的待測區(qū)域；
[0020]根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則，以選取部分所述待測區(qū)域作為檢測區(qū)域；
[0021]根據(jù)待測區(qū)域和所述篩選規(guī)則對選取的檢測區(qū)域進(jìn)行缺陷檢測。
[0022]上述的方法，其中，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。
[0023]上述的方法，其中，根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定所述閾值。
[0024]上述的方法，其中，利用一掃描電子顯微鏡對所述檢測區(qū)域做缺陷檢測。
[0025]上述的方法，其中，根據(jù)所述掃描電子顯微鏡的最大檢測能力來對待測區(qū)域進(jìn)行篩選。
[0026]本發(fā)明可可有效降低目前由于掃描機(jī)臺可能未能發(fā)現(xiàn)某些系統(tǒng)缺陷所造成的風(fēng)險，從而提升新產(chǎn)品的良率，降低研發(fā)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0028]圖1為缺陷在去除氮化硅站點(diǎn)的電子掃描顯微鏡圖像；
[0029]圖2為缺陷在亮場掃描機(jī)臺中的灰階值圖像；
[0030]圖3為缺陷出現(xiàn)位置周邊的光罩圖形示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明提供的一種光罩圖形缺陷檢測方法示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0034]本發(fā)明提供了一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:1、存儲模塊，該存儲模塊儲存有光罩設(shè)計圖形數(shù)據(jù)；2、預(yù)選模塊，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷在樣品中選取部分區(qū)域作為待測區(qū)域；3、篩選模塊，根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則以選取部分待測區(qū)域；4、處理模塊，根據(jù)預(yù)選模塊中的待測區(qū)域和篩選模塊的篩選規(guī)則選取選取部分待測區(qū)域作為檢測區(qū)域；5、檢測模塊，對檢測區(qū)域進(jìn)行檢測；6、執(zhí)行模塊，執(zhí)行模塊用于執(zhí)行檢測模塊的檢測操作。在本發(fā)明的一個可選但并局限的實(shí)施方式中，可米用掃描電子顯微鏡來對部分選取待測區(qū)域進(jìn)行檢測。
[0035]在本發(fā)明的一個可選但并局限的實(shí)施方式中，上述的存儲模塊還設(shè)置有一信息錄入單元，利用該信息錄入單元來將光罩設(shè)計圖形數(shù)據(jù)錄入至存儲模塊進(jìn)行儲存。在實(shí)際應(yīng)用中，可將工藝設(shè)計的各種光罩圖形數(shù)據(jù)來進(jìn)行儲存，例如光罩開口尺寸、圖案類型等等數(shù)據(jù)，在此不予贅述。
[0036]在本發(fā)明中的一個實(shí)施方式中，上述的預(yù)選模塊根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的樣品區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。例如一個可選但并不局限的實(shí)施例中，根據(jù)樣品的根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定該閾值。在本領(lǐng)域中，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，半導(dǎo)體襯底一般定義有AA區(qū)(active area,有源區(qū))，AA區(qū)之間設(shè)置有若干STI (Shallow Trench Isolat1n,淺溝槽隔離)結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)對相鄰的AA區(qū)進(jìn)行隔離。目前，STI結(jié)構(gòu)一般是通過刻蝕襯底形成溝槽并在溝槽內(nèi)回填例如氧化物等絕緣材料所形成，而溝槽的形成要借助光刻工藝，因此在本發(fā)明的一個實(shí)施例中可以視為曝光區(qū)域?yàn)镾TI結(jié)構(gòu)，而非曝光區(qū)域則為AA區(qū)。若以有源區(qū)與淺溝槽隔離區(qū)的比例來設(shè)定閾值時，如果樣品中有源區(qū)(AA，active area)與淺溝槽隔離區(qū)(STI)的比例超過該閾值則視為待測區(qū)域，而有源區(qū)與淺溝槽隔離區(qū)的比例小于該閾值，則不納入為待測區(qū)域。同樣的，若以淺溝槽隔離區(qū)來設(shè)定閾值時，如果樣品中的淺溝槽隔離區(qū)的開口尺寸大于設(shè)定的閾值，則視為待測區(qū)域，相反的，則不納入為待測區(qū)域。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，以曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定閾值僅僅是一種具體的實(shí)施例，在實(shí)際應(yīng)用中，也可采用其他標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)定閾值，例如以曝光區(qū)域的圖案或曝光區(qū)域下方形成的溝槽深度來設(shè)定上述閾值，在此不予贅述。
[0037]在本發(fā)明的一個可選但并局限的實(shí)施方式中，上述的篩選模塊根據(jù)掃描電子顯微鏡的最大檢測能力來對待測區(qū)域進(jìn)行篩選作為檢測區(qū)域。由于根據(jù)閾值來選定的待測區(qū)域可能數(shù)量比較多，而掃描電子顯微鏡的檢測能力有限，如果對所有的待測區(qū)域進(jìn)行檢測的話，這會嚴(yán)重影響檢測效率；同時由于待測區(qū)域并不完全是光罩設(shè)計的缺陷而造成的問題區(qū)域，如果全部進(jìn)行檢測也會造成生產(chǎn)資源和人力資源的浪費(fèi)，因此根據(jù)產(chǎn)能情況來篩選出部分待測區(qū)域來作為檢測區(qū)域可有效提高檢測效率。同時在本發(fā)明的實(shí)際情況中，可結(jié)合產(chǎn)能情況及樣品的重要程度來綜合設(shè)定該篩選規(guī)則，例如某些批次的樣品或者樣品的其中一部分layout相比較其他樣品或其他layout更為重要，因此可根據(jù)重要程度適當(dāng)?shù)膶Y選規(guī)則做出傾向性調(diào)整，重要的部分可以適當(dāng)?shù)暮Y選多一些的待測區(qū)域作為后續(xù)的檢測區(qū)域，進(jìn)而為找出光罩的缺陷提供更為準(zhǔn)確的依據(jù)。
[0038]本發(fā)明通過上述模塊即可快速有效的實(shí)現(xiàn)對缺陷的檢測，無需借助亮場檢測來甄別出缺陷，直接通過設(shè)定的規(guī)則即可快速定位出缺陷的坐標(biāo)并直接用電子顯微鏡進(jìn)行掃描檢查，結(jié)合掃描電子顯微鏡本身具有的檢測功能可直接收集缺陷圖像，極大提高了檢測準(zhǔn)確率和效率，進(jìn)而為技術(shù)人員根據(jù)檢測出的缺陷來對光照設(shè)計做出正確調(diào)整，進(jìn)而提高了廣品良率，提升生廣效益。
[0039]同時本發(fā)明還提供了一種光罩圖形缺陷檢測方法，包括如下步驟:
[0040]步驟S1:建立一光罩圖形數(shù)據(jù)庫。
[0041]步驟S2:根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和對應(yīng)的工藝缺陷來選定樣品的待測區(qū)域。
[0042]在該步驟S2中，可根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的樣品區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。例如在本實(shí)施方式一個可選但并不局限的實(shí)施例中，根據(jù)樣品的根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定該閾值。在本領(lǐng)域中，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，半導(dǎo)體襯底一般定義有AA區(qū)(active area,有源區(qū))，AA區(qū)之間設(shè)置有若干STI (Shallow Trench Isolat1n,淺溝槽隔離)結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)對相鄰AA區(qū)進(jìn)行隔離。目前，STI結(jié)構(gòu)一般是通過刻蝕襯底形成溝槽并在溝槽回填例如氧化物等絕緣材料所形成，而溝槽的形成要借助光刻工藝，因此在本發(fā)明的一個實(shí)施例中可以視為曝光區(qū)域?yàn)镾TI結(jié)構(gòu)，而非曝光區(qū)域則為AA區(qū)。若以有源區(qū)與淺溝槽隔離區(qū)的比例來設(shè)定閾值時，如果樣品中有源區(qū)(AA，active area)與淺溝槽隔離區(qū)(STI)的比例超過該閾值則視為待測區(qū)域，而有源區(qū)與淺溝槽隔離區(qū)的比例小于該閾值，則不納入為待測區(qū)域。同樣的，若以淺溝槽隔離區(qū)來設(shè)定閾值時，如果樣品中的淺溝槽隔離區(qū)的開口尺寸大于設(shè)定的閾值，則視為待測區(qū)域，相反的，則不納入為待測區(qū)域。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，以曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定閾值僅僅是一種具體的實(shí)施例，在實(shí)際應(yīng)用中，也可采用其他標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)定閾值，例如以曝光區(qū)域的圖案或曝光區(qū)域下方形成的溝槽深度來設(shè)定上述閾值，在此不予贅述。
[0043]步驟S3:根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則，以選取部分待測區(qū)域作為檢測區(qū)域。
[0044]在得到上述的待測區(qū)域后，由于根據(jù)閾值來選定的待測區(qū)域數(shù)量比較多，而掃描電子顯微鏡的檢測能力有限，如果對所有的待測區(qū)域進(jìn)行檢測的話，這會嚴(yán)重影響檢測效率；同時由于待測區(qū)域并不完全是光罩設(shè)計的缺陷而造成的問題區(qū)域，如果全部檢測了也會造成生產(chǎn)資源和人力資源的浪費(fèi)，因此根據(jù)產(chǎn)能情況來篩選出部分待測區(qū)域來作為檢測區(qū)域進(jìn)而可有效提高檢測效率。同時在本發(fā)明的實(shí)際情況中，可結(jié)合產(chǎn)能情況及樣品的重要程度來綜合設(shè)定該篩選規(guī)則，例如某些批次的樣品或者樣品的其中一部分layout相比較其他樣品或其他layout更為重要，因此可根據(jù)重要程度適當(dāng)?shù)膶Y選規(guī)則做出傾向性調(diào)整，進(jìn)而為找出光罩的缺陷提供更為準(zhǔn)確的依據(jù)。
[0045]步驟S4:根據(jù)預(yù)選模塊中的待測區(qū)域和篩選規(guī)則對選取的檢測區(qū)域進(jìn)行檢測。
[0046]在本發(fā)明的一個可選但并局限的實(shí)施方式中，利用一掃描電子顯微鏡對檢測區(qū)域做電子掃描，以實(shí)現(xiàn)缺陷掃描。通過在掃描電子顯微鏡機(jī)臺上對樣品的檢測區(qū)域進(jìn)行掃描，就能捕捉到這些系統(tǒng)缺陷，并收取圖像數(shù)據(jù)。從而能夠?qū)庹趾凸に囘M(jìn)行優(yōu)化，提升最終產(chǎn)品良率。
[0047]下面提供一具體實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步闡述:例如AA(定義活躍區(qū)域)光罩圖形的設(shè)計存在缺陷，對應(yīng)后續(xù)STI_CMP (淺槽隔離層化學(xué)機(jī)械研磨)站點(diǎn)的工藝所要求的設(shè)計規(guī)則(例如AA區(qū)域和STI區(qū)域比例小于某個閾值，不同的規(guī)則條款對應(yīng)不同的工藝步驟)，能夠標(biāo)記出系統(tǒng)缺陷可能發(fā)生的位置，結(jié)合這些位置信息和選點(diǎn)規(guī)則讓系統(tǒng)自動生成一個包含檢測選點(diǎn)取樣的程式模塊，再將程式模塊導(dǎo)入到該站點(diǎn)的操作流程中，生成針對這些系統(tǒng)缺陷的檢測規(guī)則。以此類推，生成各站點(diǎn)的檢測規(guī)則，在工藝流程研發(fā)過程中，在掃描電子顯微鏡機(jī)臺上根據(jù)這些檢測規(guī)則來對晶圓進(jìn)行檢測，就能捕捉到這些系統(tǒng)缺陷，并收取圖像數(shù)據(jù)。從而能夠?qū)庹趾凸に囘M(jìn)行優(yōu)化，提升最終產(chǎn)品良率。
[0048]綜上所述，由于本發(fā)明采用了如上技術(shù)方案，給新產(chǎn)品的研發(fā)過程增加一種檢測由光罩圖形設(shè)計弱點(diǎn)和工藝窗口不足所導(dǎo)致的系統(tǒng)缺陷的手段，可快速有效的實(shí)現(xiàn)對缺陷的檢測，無需借助亮場檢測來甄別出缺陷，直接通過設(shè)定的規(guī)則即可快速定位出缺陷的坐標(biāo)并直接用電子顯微鏡進(jìn)行掃描檢查，結(jié)合掃描電子顯微鏡本身具有的檢測功能可直接收集缺陷圖像，確定缺陷情況，極大提高了檢測準(zhǔn)確率和效率，可有效降低目前由于掃描機(jī)臺可能未能發(fā)現(xiàn)某些系統(tǒng)缺陷所造成的風(fēng)險，從而提升新產(chǎn)品的良率，降低研發(fā)成本。
[0049]以上對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光罩圖形缺陷檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括: 存儲模塊，儲存有光罩設(shè)計圖形數(shù)據(jù)； 預(yù)選模塊，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷在樣品中選取部分區(qū)域作為待測區(qū)域； 篩選模塊，根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則以選取部分待測區(qū)域； 處理模塊，根據(jù)所述預(yù)選模塊中的待測區(qū)域和篩選模塊的篩選規(guī)則選取部分待測區(qū)域作為檢測區(qū)域； 檢測模塊，對所述檢測區(qū)域進(jìn)行缺陷檢測； 執(zhí)行模塊，所述執(zhí)行模塊用于執(zhí)行所述檢測模塊的檢測操作。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定所述閾值。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測模塊為一掃描電子顯微鏡，利用所述掃描電子顯微鏡對所述檢測區(qū)域做做缺陷檢測。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述篩選模塊根據(jù)所述掃描電子顯微鏡的最大檢測能力來對待測區(qū)域進(jìn)行篩選以作為所述檢測區(qū)域。
6.一種光罩圖形缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法包括: 建立一光罩圖形數(shù)據(jù)庫； 根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和對應(yīng)的工藝缺陷來選定樣品的待測區(qū)域； 根據(jù)產(chǎn)能情況來設(shè)定一篩選規(guī)則，以選取部分所述待測區(qū)域作為檢測區(qū)域； 根據(jù)待測區(qū)域和所述篩選規(guī)則對選取的檢測區(qū)域進(jìn)行缺陷檢測。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，根據(jù)光罩圖形設(shè)計規(guī)則和工藝缺陷來設(shè)定一閾值，將超過該閾值的區(qū)域設(shè)定為待測區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，根據(jù)樣品在進(jìn)行光刻工藝中曝光區(qū)域與非曝光區(qū)域的比例，和/或曝光區(qū)域的關(guān)鍵尺寸來設(shè)定所述閾值。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，利用一掃描電子顯微鏡對所述檢測區(qū)域做缺陷檢測。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述掃描電子顯微鏡的最大檢測能力來對待測區(qū)域進(jìn)行篩選。
【文檔編號】G01N23/22GK104198509SQ201410440440
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年9月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月1日
【發(fā)明者】陳超, 郭賢權(quán), 許向輝, 何理 申請人:上海華力微電子有限公司