全光纖f-p氫氣傳感器及其氫氣敏感膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種全光纖F-P氫氣傳感器及其氫氣敏感膜的制備方法，傳感器結(jié)構(gòu)主要由全光纖F-P諧振腔、敏感膜定向膨脹限制塊、固定部件、傳感器封裝部件等組成；采用脈沖激光沉積工藝在較低的溫度下直接將一定厚度的Pd-Ag合金敏感膜沉積于全光纖F-P諧振腔敏感玻片的外層,敏感膜定向膨脹限制塊的一面通過固定部件僅僅與敏感膜相接觸，限位膨脹塊為多孔陶瓷材料，可以吸收氫氣，當(dāng)敏感膜吸收氫氣發(fā)生定向膨脹，壓縮減小F-P的腔長,通過對(duì)全光纖F-P諧振腔腔長解調(diào)，測量氫氣濃度變化。該制備方法保證光纖的低溫鍍膜,傳感器的結(jié)構(gòu)簡單，制備方便，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
【專利說明】全光纖F-P氫氣傳感器及其氫氣敏感膜的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是一種基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜的全光纖F-P氫氣傳感器及其氫氣敏感膜的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，根據(jù)采用的檢測原理氫氣傳感器有電化學(xué)氫氣傳感器、熱電型氫氣傳感器、半導(dǎo)體型氫氣傳感器和光學(xué)型氫氣傳感器等幾種。其中光學(xué)型氫氣傳感器具有靈敏度高，質(zhì)量輕，抗電磁干擾，本征防爆，適用于常溫等特性，可用于各種惡劣復(fù)雜環(huán)境，較其他類型氣體傳感器更加方便實(shí)用。
[0003]由于Pd對(duì)氫氣的吸收特性，Pd合金在氫氣傳感器中應(yīng)用普遍，其中以Pd-Ag合金的透氫速率最大，使用壽命最長。靶銀合金膜的制備技術(shù)有很多種，如物理氣相沉積法(PVD)、磁控濺射法、噴霧熱解、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、電鍍法、化學(xué)鍍法和冷軋法等，各具優(yōu)劣性，但都缺乏工業(yè)化生產(chǎn)能力。王和義等提出采用漿料涂敷法和化學(xué)鍍法技術(shù)制備微孔陶瓷載體表面鈀銀合金膜，雖然克服了化學(xué)鍍活化、敏化困難的缺點(diǎn)，但實(shí)現(xiàn)工序仍然比較復(fù)雜。中國專利文獻(xiàn)“基于鈀-銀絲狀電極的氫氣傳感器”(專利申請(qǐng)?zhí)?00810059085.5)公布的采用真空濺射和電子束真空蒸發(fā)鍍膜的方法制備了氫氣傳感器中的鈀-銀絲狀電極，得到的鈀銀合金膜不能克服沉積速率低的缺點(diǎn)，且部分蒸汽電離可能對(duì)薄膜性能產(chǎn)生影響。
[0004]脈沖激光沉積技術(shù)作為一種重要的薄膜沉積技術(shù)其具有鍍膜溫度低、沉積速率高及具有保成分性受到相關(guān)科研工作者的重視，特別是脈沖激光具有高的單脈沖能量，其可以在較低溫度下在襯底上沉積與其結(jié)合緊密的膜層，解決金屬薄膜在吸氫過程中膨脹造成敏感膜與基材之間的粘附削弱的問題。然而，脈沖激光沉積技術(shù)有一個(gè)最大的弊端就是沉積薄膜的均勻性較差，因此該技術(shù)在現(xiàn)有氫氣傳感器的制備中被大大忽視了。光纖氣體傳感器由于體積小、抗電磁干擾、耐腐蝕、本征安全與測量精度高等優(yōu)點(diǎn)開始引起人們的極大關(guān)注，然而由于光纖耐溫低，在其上采用一般的鍍膜工藝膜層結(jié)合力差，膜層制備效率低等，因此制約了光纖氫氣傳感器的發(fā)展?？紤]到脈沖激光沉積溫度低，膜層與襯底材料結(jié)合緊密等優(yōu)良特性，該沉積工藝可以用于在光纖沉積氫氣敏感膜層，而且由于全光纖F-P傳感器所需要的有效的鍍膜面積主要為纖芯的9μπι部分，所以膜層的厚度均勻性的要求可以忽略。因此，米用脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜制備氫氣傳感器是實(shí)現(xiàn)光纖氫氣傳感器產(chǎn)業(yè)化的可行的有效途徑。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是:針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡單便于集成的全光纖F-P氫氣傳感器。還提供一種操作簡便和安全性高的方法，該方法能夠在低溫條件下制備出多個(gè)質(zhì)地均勻的Pd-Ag合金敏感膜片，所制備的傳感器能不受溫度，電磁場等因素的干擾，檢測靈敏度高，響應(yīng)時(shí)間短，信號(hào)強(qiáng)度高等良好的傳感性能。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供的全光纖F-P氫氣傳感器，是一種基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜的全光纖F-P氫氣傳感器的傳感器，該傳感器主要由固定部件和與之螺紋連接的傳感器封裝部件，以及敏感膜定向膨脹限制塊、全光纖F-P諧振腔組成，其中:傳感器封裝部件內(nèi)部設(shè)有連通的傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔和傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔；全光纖F-P諧振腔從傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔穿入傳感器封裝部件中，并通過螺釘固定；敏感膜定向膨脹限制塊位于傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔中，其在測量氫氣濃度時(shí)由固定部件固定，使其貼近全光纖F-P諧振腔頂部的敏感玻片上的氫氣敏感膜。
[0008]所述的固定部件為金屬材料，外層表面分布螺紋，內(nèi)部中空形成圓柱形固定部件內(nèi)腔，該內(nèi)腔通過其螺紋與傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔連接在一起，用于限制吸收氫氣后的形變方向。
[0009]所述敏感膜定向膨脹限制塊為納米多孔陶瓷材料，其一面通過固定部件僅僅與敏感玻片緊密接觸，當(dāng)敏感玻片上的氫氣敏感膜吸氫膨脹時(shí)，其使全光纖F-P諧振腔端面的敏感玻片向與入射光相反的方向變形，從而改變?nèi)饫wF-P諧振腔的長度,該結(jié)構(gòu)有助于氫氣敏感膜長期穩(wěn)定地固定在全光纖F-P諧振腔端面的敏感玻片的前端上。
[0010]所述全光纖F-P諧振腔的結(jié)構(gòu)是由敏感玻片、毛細(xì)玻璃管、陶瓷插芯和光纖組成，其中敏感玻片和光纖分別附著在毛細(xì)玻璃管的兩端，使得毛細(xì)玻璃管內(nèi)腔形成F-P諧振腔。
[0011]所述陶瓷插芯為全光纖F-P諧振腔外層封裝，其一端內(nèi)壁為喇叭口形，形成喇叭口，使光纖易于穿入，其另一端采用紫光膠固定光纖位置，使得敏感玻片與喇叭口端面平齊，便于對(duì)敏感玻片鍍膜及對(duì)氫氣濃度的傳感。
[0012]本發(fā)明提供的上述氫氣敏感膜，其制備方法是:以氫敏感膜層沉積以Pd-Ag合金為靶材，采用專用鍍膜夾具將該種全光纖F-P氫氣傳感器固定在可旋轉(zhuǎn)的襯底上，通過脈沖激光沉積方法在較低溫度下可在全光纖F-P諧振腔端面的玻片上沉積獲得與其緊密結(jié)合的Pd-Ag敏感膜層；所述專用鍍膜夾具主要由多孔全光纖F-P諧振腔固定盤、固定基座組成，可同時(shí)對(duì)多個(gè)工件進(jìn)行鍍膜。
[0013]上述氫氣敏感膜的制備方法的步驟包括:
[0014]I)將脈沖激光沉積系統(tǒng)裝置的可旋轉(zhuǎn)、加熱的襯底從真空室中取出，將未鍍膜的全光纖F-P諧振腔置入專用的鍍膜夾具中，并將夾具通過固定基座螺釘組固定在襯底上；
[0015]2)將襯底放回真空室中，并將Pd-Ag合金作為靶材放入真空室；密閉真空室，對(duì)全光纖F-P諧振腔頂部的敏感玻片進(jìn)行PLD鍍膜，該鍍膜為氫氣敏感膜。
[0016]所述PLD鍍膜的工藝參數(shù)為:鍍膜溫度為105°C，脈沖激光頻率為5Hz。
[0017]所述氫氣敏感玻片的厚為3-5 μ m。
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的技術(shù)優(yōu)勢(shì):
[0019]1.利用脈沖激光鍍膜能量高，支持低溫鍍膜，十分適用于光纖傳感器；所述低溫鍍膜是采用脈沖激光鍍膜，設(shè)定鍍膜溫度105°C即可滿足需要。
[0020]2.全光纖F-P諧振腔鍍膜端面面積小，脈沖激光鍍膜不均的問題可以忽略。所述鍍膜面積小是指:在全光纖F-P諧振腔的端面鍍膜，端面直徑與光纖外徑相同，僅為125 μ m,而有效的鍍膜面積主要為纖芯的(直徑)9 μ m部分。
[0021]3.旋轉(zhuǎn)專用鍍膜夾具的設(shè)計(jì)保證了多工件的鍍膜和多工件膜層的一致性；
[0022]4.傳感頭的結(jié)構(gòu)與封裝很好的解決了敏感膜層與氫氣的交換、膨脹及長期的穩(wěn)固性問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜的全光纖F-P氫氣傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2為全光纖F-P氫氣諧振腔的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖3為基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜鍍膜夾具及襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖4為圖3的俯視圖。
[0027]圖中:1.固定部件；2.固定部件內(nèi)腔；3.傳感器封裝部件；4.傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔；5.敏感膜定向膨脹限制塊；6.全光纖F-P諧振腔；7.螺釘；8.傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔；9.光纖；10.敏感玻片；11.毛細(xì)玻璃管；12.毛細(xì)玻璃管內(nèi)腔；13.喇叭口 ；14.陶瓷插芯；15.多孔全光纖F-P諧振腔固定盤；16.孔槽；17.螺釘組；18.組裝螺釘；19.固定基座；20.固定基座螺釘組；21.襯底。

【具體實(shí)施方式】
:
[0028]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但不僅僅局限于下面的實(shí)施例。
[0029]實(shí)施例1.全光纖F-P氫氣傳感器
[0030]該全光纖F-P氫氣傳感器，是一種基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜的全光纖F-P氫氣傳感器的傳感器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，由固定部件I和與之螺紋連接的傳感器封裝部件3，以及敏感膜定向膨脹限制塊5、全光纖F-P諧振腔6組成。其中:全光纖F-P諧振腔6從傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔8穿入傳感器封裝部件3中，并通過螺釘7固定；敏感膜定向膨脹限制塊5在傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔4中，在測量氫氣濃度時(shí)由固定部件I固定，使其貼近全光纖F-P諧振腔6。
[0031]所述的固定部件I為金屬材料，長14mm，外層表面分布螺紋，內(nèi)部中空形成圓柱形固定部件內(nèi)腔2，直徑3mm。
[0032]所述的傳感器封裝部件3為圓柱型空心的金屬管，長20mm，內(nèi)部形成兩個(gè)連通的空腔，分別為直徑為7_的傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔4和直徑為2_傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔8。傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔4通過其螺紋與固定部件I連接在一起，用于限制敏感玻片10吸收氫氣后的形變方向。
[0033]所述敏感膜定向膨脹限制塊5為納米多孔陶瓷材料，有利于氫氣的吸收與釋放，其一面通過固定部件I僅僅與敏感玻片10緊密接觸，當(dāng)敏感玻片10上的敏感膜吸氫膨脹時(shí)，其使全光纖F-P諧振腔6端面的敏感玻片10向與入射光相反的方向變形,從而改變?nèi)饫wF-P諧振腔6的長度，同時(shí)有利于敏感膜長期穩(wěn)定地固定在全光纖F-P諧振腔6端面的敏感玻片10的前端上。
[0034]所述全光纖F-P諧振腔6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示，由敏感玻片10、毛細(xì)玻璃管11、陶瓷插芯14和光纖9組成。
[0035]所述敏感玻片10為石英材料，直徑與光纖9外徑相同為125 μ m，厚度為3-5 μ m。敏感玻片10面積小，即鍍膜面積小，其使得脈沖激光鍍膜不均的問題可以忽略。敏感玻片10和光纖9分別附著在毛細(xì)玻璃管11的兩端，使得毛細(xì)玻璃管內(nèi)腔12形成F-P諧振腔。毛細(xì)玻璃管內(nèi)腔12腔長約為65 μ m。
[0036]當(dāng)敏感玻片10上的氫氣敏感膜吸收氫氣發(fā)生定向膨脹，壓縮減小全光纖F-P諧振腔6的腔長，通過對(duì)全光纖F-P諧振腔6腔長解調(diào)，測量氫氣濃度變化。
[0037]所述陶瓷插芯14為全光纖F-P諧振腔6外層封裝，孔徑大小為125 μ m，長2cm，該封裝結(jié)構(gòu)使全光纖F-P諧振腔6易于固定在鍍膜夾具和氫氣傳感器結(jié)構(gòu)中。陶瓷插芯14的一端內(nèi)壁為喇叭口形，形成喇叭口 13，使光纖9易于穿入，陶瓷插芯14的另一端采用紫光膠固定光纖9位置，使得敏感玻片10與喇叭口 13端面平齊，便于對(duì)敏感玻片10鍍膜及對(duì)氫氣濃度的傳感。
[0038]實(shí)施例2.全光纖F-P氫氣傳感器的氫氣敏感膜的制備方法
[0039]該全光纖F-P氫氣傳感器的氫氣敏感膜的制備方法,其步驟包括:
[0040](I)將脈沖激光沉積系統(tǒng)裝置的可旋轉(zhuǎn)、加熱的襯底21從真空室中取出，將未鍍膜的全光纖F-P諧振腔6置入專用的鍍膜夾具中，并將夾具通過固定基座螺釘組20固定在襯底21上。
[0041](2)將襯底21放回真空室中，并將Pd-Ag合金作為靶材放入真空室。密閉真空室進(jìn)行PLD鍍膜。設(shè)定鍍膜過程襯底21的溫度為105°C，脈沖激光頻率為5Hz。
[0042](3) PLD鍍膜完成后，待溫度冷卻至50°C，取出全光纖F-P諧振腔6。
[0043]經(jīng)過上述步驟，實(shí)現(xiàn)全光纖F-P諧振腔敏感膜的制備。
[0044]上述采用脈沖激光沉積工藝沉積Pd-Ag合金，可以克服Pd-Ag合金沉積率低的缺點(diǎn)，減少電離對(duì)制備出的膜片性能造成的影響。
[0045]所述夾具為基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜鍍膜夾具，其和襯底21的結(jié)構(gòu)如圖3和圖4所示，該夾具包括多孔全光纖F-P諧振腔固定盤15和固定基座19。
[0046]所述的多孔全光纖F-P諧振腔固定盤15為金屬材料圓柱體結(jié)構(gòu)，其中有8個(gè)可容納全光纖F-P諧振腔6的孔槽16，以該圓柱體的軸心為中心均勻分布在圓柱體中，孔槽16入口尺寸大，出口尺寸接近于敏感玻片10直徑，使得全光纖F-P諧振腔6易于安裝和鍍膜，每個(gè)孔槽16側(cè)面都配有一個(gè)螺釘，組成螺釘組17，用于固定全光纖F-P諧振腔6。
[0047]鍍膜準(zhǔn)備時(shí)，將全光纖F-P諧振腔6從孔槽入口穿入，敏感玻片10端面朝向孔槽16出口，并用孔槽16側(cè)面螺釘固定位置；再用組裝螺釘18將多孔全光纖F-P諧振腔固定盤15安裝到固定基座19上，完成專用鍍膜夾具的組裝；最后采用固定基座螺釘組20的兩個(gè)螺釘將固定基座19固定在襯底21上，即可完成專用鍍膜夾具的固定。鍍膜時(shí)，由于襯底21均勻旋轉(zhuǎn)，使得靶材能夠均勻沉積到敏感玻片10表面。
[0048]所述襯底21為現(xiàn)有技術(shù)，其為脈沖激光沉積系統(tǒng)裝置的固有部件，由升降桿和襯臺(tái)組成，其中:升降桿以與襯臺(tái)軸心方向相同，與襯臺(tái)底面中心相連接。升降桿由脈沖激光沉積系統(tǒng)裝置控制驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)和升降，可調(diào)節(jié)襯底21的位置并控制其以軸心為中心自轉(zhuǎn)。襯臺(tái)頂面留有關(guān)于圓心對(duì)稱的兩個(gè)螺絲孔，用于固定鍍膜夾具。
[0049]所述PLD鍍膜工藝為現(xiàn)有技術(shù)，主要將鍍膜夾具固定在襯底21上并放回真空室；以Pd-Ag合金作為靶材放入真空室中的靶材升降裝置上，將真空室空氣抽出達(dá)到一定真空度，預(yù)熱襯底21，并打開水冷卻裝置調(diào)節(jié)溫度，采用4Hz脈沖激光調(diào)整角度照射靶材，使靶材膨脹發(fā)射并沉積在全光纖F-P諧振腔6端面的玻片上。
[0050]上述采用的激光鍍膜方法和鍍膜夾具能夠?qū)崿F(xiàn)在低溫條件下制備出多個(gè)質(zhì)地均勻的Pd-Ag合金敏感膜片，該P(yáng)d-Ag合金敏感膜片具有與全光纖F-P諧振腔前端敏感玻片結(jié)合緊密，質(zhì)量優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。
[0051]上述采用的結(jié)構(gòu)和制備方法制備的傳感器能不受溫度，電磁場等因素的干擾，檢測靈敏度高，響應(yīng)時(shí)間短，信號(hào)強(qiáng)度高等良好的傳感性能，且結(jié)構(gòu)簡單便于集成，操作簡便，安全性高。
【權(quán)利要求】
1.一種全光纖F-P氫氣傳感器，其特征是一種基于脈沖激光沉積Pd-Ag合金敏感膜的全光纖F-P氫氣傳感器的傳感器，該傳感器主要由固定部件(I)和與之螺紋連接的傳感器封裝部件(3)，以及敏感膜定向膨脹限制塊(5)、全光纖F-P諧振腔(6)組成，其中:傳感器封裝部件(3)內(nèi)部設(shè)有連通的傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔(4)和傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔(8);全光纖F-P諧振腔(6)從傳感器封裝部件光纖導(dǎo)出端內(nèi)腔(8)穿入傳感器封裝部件(3)中，并通過螺釘固定；敏感膜定向膨脹限制塊(5)位于傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔(4)中，其在測量氫氣濃度時(shí)由固定部件(I)固定，使其貼近全光纖F-P諧振腔(6)頂部的敏感玻片(10)上的氫氣敏感膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖F-P氫氣傳感器，其特征在于所述的固定部件(I)為金屬材料，外層表面分布螺紋，內(nèi)部中空形成圓柱形固定部件內(nèi)腔(2)，該內(nèi)腔通過其螺紋與傳感器封裝部件氫氣接觸端內(nèi)腔(4)連接在一起，用于限制吸收氫氣后的形變方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖F-P氫氣傳感器，其特征在于所述敏感膜定向膨脹限制塊(5)為納米多孔陶瓷材料，其一面通過固定部件(I)僅僅與敏感玻片(10)緊密接觸，當(dāng)敏感玻片(10)上的氫氣敏感膜吸氫膨脹時(shí)，其使全光纖F-P諧振腔(6)端面的敏感玻片(10)向與入射光相反的方向變形，從而改變?nèi)饫wF-P諧振腔(6)的長度，該結(jié)構(gòu)有助于氫氣敏感膜長期穩(wěn)定地固定在全光纖F-P諧振腔(6)端面的敏感玻片(10)的前端上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖F-P氫氣傳感器,其特征在于所述全光纖F-P諧振腔(6)的結(jié)構(gòu)是由敏感玻片(10)、毛細(xì)玻璃管(11)、陶瓷插芯(14)和光纖(9)組成，其中敏感玻片(10)和光纖(9)分別附著在毛細(xì)玻璃管(11)的兩端，使得毛細(xì)玻璃管內(nèi)腔(12)形成F-P諧振腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖F-P氫氣傳感器，其特征在于所述陶瓷插芯(14)為全光纖F-P諧振腔(6)外層封裝，其一端內(nèi)壁為喇叭口形，形成喇叭口(13)，使光纖易于穿入，其另一端采用紫光膠固定光纖位置，使得敏感玻片(10)與喇叭口(13)端面平齊，便于對(duì)敏感玻片(10)鍍膜及對(duì)氫氣濃度的傳感。
6.一種權(quán)利要求1所述氫氣敏感膜的制備方法，其特征在于以氫敏感膜層沉積以Pd-Ag合金為靶材，采用專用鍍膜夾具將該種全光纖F-P氫氣傳感器固定在可旋轉(zhuǎn)的襯底(21)上，通過脈沖激光沉積方法在較低溫度下可在全光纖F-P諧振腔端面的玻片上沉積獲得與其緊密結(jié)合的Pd-Ag敏感膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述氫氣敏感膜的制備方法,其特征在于所述氫氣敏感膜的制備方法的步驟包括: 1)將脈沖激光沉積系統(tǒng)裝置的可旋轉(zhuǎn)、加熱的襯底(21)從真空室中取出，將未鍍膜的全光纖F-P諧振腔(6)置入專用的鍍膜夾具中，并將夾具通過固定基座螺釘組(20)固定在襯底(21)上； 2)將襯底(21)放回真空室中，并將Pd-Ag合金作為靶材放入真空室；密閉真空室，對(duì)全光纖F-P諧振腔(6)頂部的敏感玻片(10)進(jìn)行PLD鍍膜，該鍍膜為氫氣敏感膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述氫氣敏感膜的制備方法，其特征在于PLD鍍膜的工藝參數(shù)為:鍍膜溫度為105°C，脈沖激光頻率為5Hz。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述氫氣敏感膜的制備方法，其特征在于所述氫氣敏感玻片的厚為3-5 μ m0
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述氫氣敏感膜的制備方法，其特征在于所述專用鍍膜夾具主要由多孔全光纖F-P諧振腔固定盤(15)、固定基座(19)組成。
【文檔編號(hào)】G01N21/17GK104266975SQ201410465506
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月12日
【發(fā)明者】童杏林, 郭倩, 胡巍, 蔡婷, 趙敏利, 王坤, 胡畔 申請(qǐng)人:武漢理工大學(xué)