一種提取三維mt弱電阻率異常的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種提取三維MT弱電阻率異常的方法及裝置，其中，該方法包括：獲取目標(biāo)區(qū)的三維MT資料；利用三維MT資料得到目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體；對目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體進行規(guī)則化處理，得到三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體；其中，所述三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體是在三維空間上沿X軸、Y軸、Z軸均勻分布的規(guī)則數(shù)據(jù)體；構(gòu)建插值切割半徑為R的插值切割算子，對三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體進行三維插值切割計算，獲得區(qū)域電阻率異常；從所述三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體中減去區(qū)域電阻率異常得到局部電阻率異常；利用三維垂直導(dǎo)數(shù)對所述局部電阻率異常進行增強處理，實現(xiàn)提取三維MT弱電阻率異常。
【專利說明】-種提取H維MT弱電阻率異常的方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及石油勘探【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種提取H維MT弱電阻率異常的方法 及裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，H維MT勘探大多應(yīng)用于解決復(fù)雜構(gòu)造、特殊巖性體或工區(qū)位于地震困難區(qū) 等地質(zhì)問題。但是，完成該些地質(zhì)任務(wù)仍然具有一定難度。特別是地質(zhì)目標(biāo)的電性異常與 圍巖差別不大時，反演結(jié)果中表現(xiàn)為弱電阻率異常，常規(guī)處理解釋難于發(fā)現(xiàn)、區(qū)分和刻畫該 些弱電阻率異常目標(biāo)。
[0003] 現(xiàn)在，廣泛應(yīng)用的直接對電阻率反演結(jié)果解釋法或者利用重力的異常提取技術(shù)處 理，其特征是；1)H維MT資料反演后直接解釋電阻率異常；2)利用重力二維處理程序分層 對局部異常求取垂直導(dǎo)數(shù)異常。處理過程中各環(huán)節(jié)都是二維處理方法，沒有考慮H維MT勘 探的體積效應(yīng)問題?，F(xiàn)有技術(shù)方案處理過程步驟多、繁瑣、費時費力，同時處理過程沒有考 慮地質(zhì)體的體積效應(yīng)進行H維處理，效果難W評價。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決難于刻畫弱電阻率異常巖性體或地層的技術(shù)難題，本發(fā)明提出一種提取H 維MT弱電阻率異常的方法及裝置，利用H維MT勘探方法，為構(gòu)造解釋和巖性劃分提供實用 的技術(shù)流程和方法。
[0005] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種提取H維MT弱電阻率異常的方法，該方法包 括：
[0006] 獲取目標(biāo)區(qū)的H維MT資料；
[0007] 利用H維MT資料得到目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體；
[0008] 對目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體進行規(guī)則化處理，得到H維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體；其中， 所述H維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體是在H維空間上沿X軸、Y軸、Z軸均勻分布的規(guī)則數(shù)據(jù)體；
[0009] 構(gòu)建插值切割半徑為R的插值切割算子，對H維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體進行H維插值切割 計算，獲得區(qū)域電阻率異常；
[0010] 從所述H維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體中減去區(qū)域電阻率異常得到局部電阻率異常；
[0011] 利用H維垂直導(dǎo)數(shù)對所述局部電阻率異常進行增強處理，實現(xiàn)提取H維MT弱電 阻率異常。
[0012] 優(yōu)選地，所述H維插值切割計算采用的表達式為：
[0013] Q(x,y,z)=Z(x,y,z)+jaZ(x,y,z) -Z(x,y,z)
[0014] 式中，Q(x,y,z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的區(qū)域異常；Z(x,y,z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的原始異 常；Z(w，z)表示為距離當(dāng)前數(shù)據(jù)點(x、y、z)等于R的上、下、左、右、前、后6個方位數(shù)據(jù)點 的異常平均值；a表示插值切割算子；其中，

【權(quán)利要求】
1. 一種提取三維MT弱電阻率異常的方法，其特征在于，該方法包括： 獲取目標(biāo)區(qū)的三維MT資料； 利用三維MT資料得到目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體； 對目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體進行規(guī)則化處理，得到三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體；其中，所述 三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體是在三維空間上沿X軸、Y軸、Z軸均勻分布的規(guī)則數(shù)據(jù)體； 構(gòu)建插值切割半徑為R的插值切割算子，對三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體進行三維插值切割計 算，獲得區(qū)域電阻率異常； 從所述三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體中減去區(qū)域電阻率異常得到局部電阻率異常； 利用三維垂直導(dǎo)數(shù)對所述局部電阻率異常進行增強處理，實現(xiàn)提取三維MT弱電阻率 異常。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述三維插值切割計算采用的表達式為：
式中，Q(x，y，z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的區(qū)域異常；Z(x，y，z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的原始異常； Ζ(χ,.ν,ζ)表示為距離當(dāng)前數(shù)據(jù)點（x、y、Z)等于R的上、下、左、右、前、后6個方位數(shù)據(jù)點的 異常平均值；a表示插值切割算子；其中，

Δ Zx = Z (x+R, y, ζ) -Z (χ-R, y, ζ)； Δ Zy = Z (χ, y+R, ζ) -Z (χ, y-R, ζ)； Δ Zz = Z (χ, y, z+R) -Z (χ, y, z-R)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述利用三維垂直導(dǎo)數(shù)對所述局部電阻 率異常進行增強處理的步驟包括： 對局部電阻率異常分別沿XY平面、YZ平面、XZ平面抽取各層平面數(shù)據(jù)； 對抽取的所有平面數(shù)據(jù)逐層做垂直導(dǎo)數(shù)計算； 對XY平面、YZ平面、XZ平面三個垂直導(dǎo)數(shù)計算結(jié)果在相同數(shù)據(jù)點位置做算數(shù)加權(quán)平 均，得到最終垂直導(dǎo)數(shù)異常結(jié)果； 利用最終垂直導(dǎo)數(shù)異常結(jié)果提取三維MT弱電阻率異常。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體通過 對所述三維MT資料利用三維MT反演算法計算得到。
5. -種提取三維MT弱電阻率異常的裝置，其特征在于，該裝置包括： 采集單元，用于獲取目標(biāo)區(qū)的三維MT資料； 反演單元，用于利用三維MT資料得到目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體； 規(guī)則化處理單元，用于對目標(biāo)區(qū)的深度、電阻率數(shù)據(jù)體進行規(guī)則化處理，得到三維MT 規(guī)則數(shù)據(jù)體；其中，所述三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體是在三維空間上沿X軸、Y軸、Z軸均勻分布的 規(guī)則數(shù)據(jù)體； 插值切割單元，用于構(gòu)建插值切割半徑為R的插值切割算子，對三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體進 行三維插值切割計算，獲得區(qū)域電阻率異常； 局部電阻率異常獲取單元，用于從所述三維MT規(guī)則數(shù)據(jù)體中減去區(qū)域電阻率異常得 到局部電阻率異常； 提取單元，用于利用三維垂直導(dǎo)數(shù)對所述局部電阻率異常進行增強處理，實現(xiàn)提取三 維MT弱電阻率異常。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述插值切割單元采用的表達式為：
式中，Q(x，y，z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的區(qū)域異常；Z(x，y，z)表示當(dāng)前數(shù)據(jù)點的原始異常； 表示為距離當(dāng)前數(shù)據(jù)點（x、y、z)等于R的上、下、左、右、前、后6個方位數(shù)據(jù)點 的異常平均值；a表示插值切割算子；其中，
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7. 如權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述提取單元包括： 抽取模塊，用于對局部電阻率異常分別沿XY平面、YZ平面、XZ平面抽取各層平面數(shù) 據(jù)； 垂直求導(dǎo)模塊，用于對抽取的所有平面數(shù)據(jù)逐層做垂直導(dǎo)數(shù)計算； 加權(quán)平均模塊，用于對XY平面、YZ平面、XZ平面三個垂直導(dǎo)數(shù)計算結(jié)果在相同數(shù)據(jù)點 位置做算數(shù)加權(quán)平均，得到最終垂直導(dǎo)數(shù)異常結(jié)果； 三維MT弱電阻率異常獲取模塊，用于利用最終垂直導(dǎo)數(shù)異常結(jié)果提取三維MT弱電阻 率異常。
8. 如權(quán)利要求5或6所述的裝置，其特征在于，所述反演單元對所述三維MT資料利用 三維MT反演算法計算得到。
【文檔編號】G01V3/38GK104375196SQ201410645101
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年11月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月10日
【發(fā)明者】陶德強, 趙文舉, 胡祖志, 孟翠賢 申請人:中國石油天然氣集團公司, 中國石油集團東方地球物理勘探有限責(zé)任公司