一種無位錯鍺單晶片中cop缺陷的腐蝕檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法，從無位錯鍺單晶按晶向切出厚度為1~2mm的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕；配制COP腐蝕液并冷卻至0℃；將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0℃的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間5~8分鐘；腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下數(shù)出單晶片表面COP缺陷數(shù)量。本發(fā)明采用的腐蝕液能夠腐蝕表面一層鍺，從而露出新鮮表面暴露出缺陷，能夠保證COP缺陷顯現(xiàn)效果，在顯微鏡下能很方便觀察到COP形貌，能準(zhǔn)確的檢測出無位錯鍺單晶片中COP缺陷數(shù)量，方法簡單有效。
【專利說明】—種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍺單晶片，具體涉及一種鍺單晶片中COP缺陷的檢測方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，大直徑(4英寸以上)重?fù)诫s鎵的P型鍺單晶因作為航空航天領(lǐng)域光伏電池襯底材料而日益受到關(guān)注，以鍺單晶片作為襯底的Ge/GaAs/GalnP三結(jié)電池具有轉(zhuǎn)化效率高、相對重量和體積小、優(yōu)異的抗宇宙射線輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，在外太空太陽能發(fā)電系統(tǒng)中已完全取代傳統(tǒng)硅電池。該類鍺單晶中的位錯等晶體缺陷直接影響到砷化鎵電池填充因子(FF)、光電轉(zhuǎn)換效率(EFF)及電池壽命等關(guān)鍵性能，因此要求該類鍺單晶位錯等晶體缺陷盡可能少，國外航天領(lǐng)域應(yīng)用甚至要求為無位錯。直拉法生長無位錯鍺單晶時，無位錯單晶中容易形成空洞型原位點(diǎn)缺陷，即COP缺陷。無位錯鍺單晶片用作Ge/GaAs/GalnP三結(jié)電池襯底，如果鍺單晶片中存在COP缺陷，將會導(dǎo)致電池結(jié)漏電，電池性能不合格，因此有必要對無位錯鍺單晶中的COP缺陷進(jìn)行檢測。目前還沒有明確的無位錯鍺單晶片中COP缺陷的檢測方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法。
[0004]技術(shù)方案:一種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法，包括以下步驟:
(1)從無位錯鍺單晶按晶向切出厚度為廣2_的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕；
(2)配制COP腐蝕液并冷卻至0°C；
(3)將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0°C的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間5^8分鐘；
(4)腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下數(shù)出單晶片表面COP缺陷數(shù)量。
[0005]進(jìn)一步，步驟中(2)中所述COP腐蝕液為硝酸、氫氟酸、硝酸銅按照體積比4:2:1配制的混合液，其中，硝酸濃度為65?68%，氫氟酸濃度為40%，硝酸銅濃度為10%。
[0006]有益效果:本發(fā)明采用的腐蝕液能夠腐蝕表面一層鍺，從而露出新鮮表面暴露出缺陷，能夠保證COP缺陷顯現(xiàn)效果，在顯微鏡下能很方便觀察到COP形貌，能準(zhǔn)確的檢測出無位錯鍺單晶片中COP缺陷數(shù)量，方法簡單有效。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1觀察到的鍺單晶片表面COP缺陷形貌；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例2觀察到的鍺單晶片表面COP缺陷形貌；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例3觀察到的鍺單晶片表面COP缺陷形貌。

【具體實(shí)施方式】
[0008]下面對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。
[0009]實(shí)施例1:
從一段無位錯鍺單晶按一定晶向切出厚度為Imm的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕。按體積比硝酸(HNO3):氫氟酸(HF):硝酸銅(Cu(NO3)2)=4:2:1配制COP腐蝕液并冷卻至(TC，其中，硝酸濃度為67%，氫氟酸濃度為40%，硝酸銅濃度為10%。將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0°C的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間5分鐘，腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下觀察單晶片表面COP缺陷形貌，數(shù)出COP缺陷數(shù)量為10個。圖1為本實(shí)施例觀察到的單晶片表面COP缺陷形貌。
[0010]實(shí)施例2:
從一段無位錯鍺單晶按一定晶向切出厚度為1.5mm的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕。按體積比硝酸(HNO3):氫氟酸(HF):硝酸銅(Cu (NO3) 2) =4:2:1配制COP腐蝕液并冷卻至(TC，其中，硝酸濃度為65%，氫氟酸濃度為40%，硝酸銅濃度為10%。將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0°C的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間7分鐘，腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下觀察單晶片表面COP缺陷形貌，數(shù)出COP缺陷數(shù)量為5個。圖2為本實(shí)施例觀察到的單晶片表面COP缺陷形貌。
[0011]實(shí)施例3:
從一段無位錯鍺單晶按一定晶向切出厚度為2mm的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕。按體積比硝酸(HNO3):氫氟酸(HF):硝酸銅(Cu(NO3)2)=4:2:1配制COP腐蝕液并冷卻至(TC，其中，硝酸濃度為68%，氫氟酸濃度為40%，硝酸銅濃度為10%。將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0°C的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間8分鐘，腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下觀察單晶片表面COP缺陷形貌，數(shù)出COP缺陷數(shù)量為12個。圖3為本實(shí)施例觀察到的單晶片表面COP缺陷形貌。
【權(quán)利要求】
1.一種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)從無位錯鍺單晶按晶向切出厚度為廣2_的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕； (2)配制COP腐蝕液并冷卻至0°C； (3)將經(jīng)過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0°C的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕時間5^8分鐘； (4)腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下數(shù)出單晶片表面COP缺陷數(shù)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法，其特征在于:步驟中(2)中所述COP腐蝕液為硝酸、氫氟酸、硝酸銅按照體積比4:2:1配制的混合液，其中，硝酸濃度為65飛8%，氫氟酸濃度為40%，硝酸銅濃度為10%。
【文檔編號】G01N21/88GK104390983SQ201410740175
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月9日
【發(fā)明者】范德勝, 柯尊斌, 鄭華榮, 劉新軍, 劉紹良 申請人:南京中鍺科技股份有限公司, 中鍺科技有限公司