三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器的制造方法
【專利摘要】一種射線探測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，包括：若干個(gè)閃爍晶體單元組成的多層閃爍晶體單元陣列、設(shè)置于閃爍晶體單元陣列之間的射線過(guò)濾裝置以及用于將閃爍晶體單元接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置，其中：每個(gè)閃爍體單元通過(guò)光纖依次連接光纖整理裝置以及光路聚集裝置，直至信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。本發(fā)明能夠以較小的體積實(shí)現(xiàn)對(duì)多維空間的多種射線能量分布的探測(cè)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中射線接受面不能與射線完全垂直、不能同時(shí)探測(cè)多能譜以及占用空間過(guò)大的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種射線探測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】的裝置，具體涉及一種用于射線成像裝置的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器。

【背景技術(shù)】
[0002]射線成像技術(shù)是放射性射線(如X射線和Y射線等)作為媒介，獲得以圖像形式展現(xiàn)的檢測(cè)對(duì)象的結(jié)構(gòu)或功能信息，為相應(yīng)行業(yè)提供各種對(duì)所觀察對(duì)象進(jìn)行診斷、檢測(cè)和監(jiān)測(cè)的技術(shù)手段，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療衛(wèi)生、公共安全和高端制造業(yè)等行業(yè)。探測(cè)器是射線成像設(shè)備的重要組成部分。用于探測(cè)放射性射線的探測(cè)器一般有氣體探測(cè)器、閃爍探測(cè)器、半導(dǎo)體探測(cè)器等類型，其中閃爍探測(cè)器的使用最為廣泛。
[0003]現(xiàn)有安檢用射線接收器件一般使用雙能線陣，中國(guó)專利文獻(xiàn)號(hào)CN 201707129U公開(公告)日2011.01.12，公開了一種線陣探測(cè)器，如圖1所示，其射線方向?yàn)閺纳贤抡丈洌瑘D中22為低能探測(cè)器光電二極管部分，其上部是閃爍體，其下是印刷線路板，再下就是屏蔽層，21為閃爍體，其上是光電二極管，再上是印刷線路板。23為印刷線路板。但雙能線陣只能接收單能或者雙能單排探測(cè)信號(hào)。
[0004]現(xiàn)有的面陣探測(cè)器就是一個(gè)前面一個(gè)面上緊密排布閃爍體，閃爍體后面是光電讀出，再后面就是電子學(xué)線路部分，所以現(xiàn)有面陣探測(cè)器只能探測(cè)單一能量的信號(hào)。而且光電讀出和電子學(xué)部分就在閃爍體背后，帶來(lái)的問(wèn)題就是電子學(xué)部分被射線照射，影響電子學(xué)部分使用壽命，而且為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，有一定厚度，不能適合矮小的安裝空間。
[0005]經(jīng)過(guò)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索發(fā)現(xiàn)，中國(guó)專利文獻(xiàn)號(hào)CN101011262公開(公告)日2007.08.08，公開了一種數(shù)字牙片X射線光機(jī)，該技術(shù)由微焦點(diǎn)X射線發(fā)生器，光纖準(zhǔn)直器，可見光轉(zhuǎn)換屏，光纖光錐，CMOS微型數(shù)碼像機(jī)，電腦和顯示器組成。它使患者的病變牙齒的圖像經(jīng)過(guò)微型CMOS微型數(shù)碼像機(jī)USB接口迅速傳到電腦并由顯示器顯示，以及打印、或者遠(yuǎn)距離網(wǎng)絡(luò)傳輸，但該技術(shù)中的可見光轉(zhuǎn)換屏體積較大，且一次只能拍攝一個(gè)能量水平級(jí)下的X射線圖。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提出一種三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，能夠同時(shí)探測(cè)多維空間的多種射線能量分布。
[0007]本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明包括:若干個(gè)閃爍晶體單元組成的多層閃爍晶體單元陣列、設(shè)置于閃爍晶體單元陣列之間的射線過(guò)濾裝置以及用于將閃爍晶體單元接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置，其中:每個(gè)閃爍體單元通過(guò)光纖依次連接光纖整理裝置以及光路聚集裝置，直至信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
[0008]所述的閃爍晶體單元陣列為:一個(gè)或多個(gè)多維平面或曲面陣的組合。
[0009]所述的閃爍晶體單元陣列中的晶體采用GOS (閃爍晶體硅酸釓)、CsI (碘化銫)、CffO (鎢酸鎘)或BGO (鍺酸鉍)。
[0010]所述的設(shè)置于陣列之間的射線過(guò)濾裝置為不同材料的板型結(jié)構(gòu)，用于過(guò)濾不同能量射線。
[0011]所述的光纖的一端設(shè)置于閃爍晶體單元的一側(cè)，該光纖具體通過(guò)設(shè)置于閃爍晶體單元外的避光粘合層實(shí)現(xiàn)耦合。
[0012]所述的光纖整理裝置正對(duì)設(shè)置于避光外殼內(nèi)的光路聚集裝置。
[0013]所述的避光外殼內(nèi)優(yōu)選設(shè)有光信號(hào)增強(qiáng)裝置對(duì)光信號(hào)進(jìn)行增強(qiáng)。
[0014]所述的閃爍晶體單元陣列中的各個(gè)閃爍晶體單元依次編號(hào)。
[0015]本發(fā)明涉及一種采用上述探測(cè)器的檢測(cè)方法，包括以下步驟:
[0016]步驟1、所述的晶體面正對(duì)放射源放置，待測(cè)樣件放置在放射源和所述多能量閃爍探測(cè)器中間，放射源出束，射線穿過(guò)被檢測(cè)物品；穿透物品后的射線被所述多能量閃爍探測(cè)器接收處理；
[0017]步驟2、穿透物體后的射線經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直和初步過(guò)濾，由閃爍晶體單元陣列中的閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光并經(jīng)由與晶體耦合的光纖中全反射到光纖的輸出端，剩余射線經(jīng)過(guò)射線過(guò)濾裝置射入到下一層閃爍晶體單元陣列，由此循環(huán)至所有閃爍晶體單元陣列均吸收對(duì)應(yīng)能級(jí)的可見光；
[0018]步驟3、穿透物體的射線按照若干個(gè)不同能量級(jí)別，分別經(jīng)閃爍晶體單元陣列中的閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，并由與閃爍晶體一一對(duì)應(yīng)的光纖將光導(dǎo)出，光纖經(jīng)由光纖整理裝置按照其空間陣列順序重新排列成二維面陣，并且光纖輸出端面為一平面，在光纖輸出端形成一幅二維的光斑圖像；
[0019]步驟4、光路聚集裝置將二維光斑圖像縮放至適合光信號(hào)增強(qiáng)裝置的口徑，再經(jīng)由光信號(hào)增強(qiáng)裝置進(jìn)行光學(xué)影像放大增強(qiáng)，此二維光影像經(jīng)由信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置轉(zhuǎn)換為數(shù)字化圖像輸出至計(jì)算機(jī)；
[0020]步驟5、計(jì)算機(jī)將該數(shù)字化圖像的各個(gè)部分進(jìn)行分離，分離好以后的各個(gè)點(diǎn)的圖像灰度信息與光纖整理裝置中的端面光斑圖像光強(qiáng)度以及光纖位置一一對(duì)應(yīng)；將各個(gè)光纖信息分離，再根據(jù)光纖位置順序?qū)⒃摶叶刃畔⑦M(jìn)行重新排布重組，形成若干個(gè)不同能量級(jí)別的二維分布排列示意圖。
技術(shù)效果
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了射線接受面不能與射線完全垂直、不能同時(shí)探測(cè)多能譜以及占用空間過(guò)大的問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)示意圖；
[0023]圖2為閃爍晶體單元陣列示意圖；
[0024]圖中a為二維M*N陣列閃爍晶體單元陣列示意圖；b為一維1*N陣列閃爍晶體單元陣列示意圖；
[0025]圖3為光纖陣列到信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置端面的具體三種排列圖；
[0026]圖中:a為六角形排列；b為圓形排列；c為矩形排列
[0027]圖4為單個(gè)閃爍體單元多能量檢測(cè)器件示意圖；
[0028]圖中:a為單個(gè)閃爍體單元與光纖耦合側(cè)視圖；b為圖a剖視圖；c為圖a立體圖；
[0029]圖5為多層陣列的閃爍體單元多能量檢測(cè)器件示意圖；
[0030]圖中:a為多能量光纖后出線面陣多能量檢測(cè)器件側(cè)視圖；b為多能量光纖后出線面陣多能量檢測(cè)部件立體圖；c為多能量光纖側(cè)出線面陣多能量檢測(cè)部件立體圖；d為多能量光纖后出線空間曲面多能量檢測(cè)部件立體圖；e為多能量光纖側(cè)出線面陣多能量檢測(cè)部件立體圖；
[0031]圖6為信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置示意圖；
[0032]圖中:a為未加光信號(hào)增強(qiáng)裝置；b為加光信號(hào)增強(qiáng)裝置；
[0033]圖7為多能量二維分布排列示意圖；
[0034]圖8為實(shí)施例測(cè)試工件示意圖；
[0035]圖中:盲孔A?F的深度依次遞增；
[0036]圖9為測(cè)試工件檢測(cè)效果示意圖，其中:a為面陣探測(cè)器或者單能線陣加上掃描運(yùn)動(dòng)檢測(cè)效果示意圖；b為雙能線陣探測(cè)器加上掃描運(yùn)動(dòng)檢測(cè)效果示意圖；c為本發(fā)明探測(cè)器檢測(cè)效果示意圖；
[0037]圖10為實(shí)施例射線強(qiáng)度示意圖；
[0038]
[0039]圖中:I第一閃爍體單元陣列、2閃爍體單元引出光纖、3第N-1射線過(guò)濾裝置、4第N-1閃爍體單元陣列、5第N射線過(guò)濾裝置、6第N閃爍體單元陣列、7閃爍體單元引出光纖、8光纖整理裝置、9光路聚集裝置、10避光外殼、11信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置、12光信號(hào)增強(qiáng)裝置、13光纖外避光粘合層、14光纖、15閃爍晶體外避光粘合層、16閃爍晶體單兀。

【具體實(shí)施方式】
[0040]下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
實(shí)施例1
[0041]如圖4和圖5所示，本實(shí)施例包括:若干個(gè)閃爍晶體單元組成的陣列以及與每個(gè)閃爍晶體單元通過(guò)光纖14將光信號(hào)集成到光纖整理裝置8，然后光信號(hào)通過(guò)光路聚集裝置9以及光信號(hào)增強(qiáng)裝置12，直至最終光信號(hào)到達(dá)信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置11并被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
[0042]所述的陣列根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合可選擇如圖2所示的一維線陣、二維或者如圖5d或圖5e所示的多維面陣以及三維曲面面陣。
[0043]所述的閃爍晶體單元陣列1、4、6中的晶體采用但不限于G0S(閃爍晶體硅酸釓)、CsI (碘化銫)、CWO (鎢酸鎘)、BGO (鍺酸鉍)等。
[0044]所述的射線過(guò)濾裝置3、5為不同材料的板型結(jié)構(gòu)，用于過(guò)濾不同能量射線。
[0045]如圖4a和圖4b所示，為單個(gè)閃爍體單元與光纖的連接示意圖，所述的光纖14設(shè)置于閃爍晶體單元14的一側(cè)并通過(guò)閃爍晶體外避光粘合層13實(shí)現(xiàn)耦合。
[0046]如圖4c所示，為單個(gè)探測(cè)器多能量的數(shù)據(jù)接收部分示意圖，該將閃爍體和光纖進(jìn)行有效集成，閃爍體單元可以尺寸很小，每一個(gè)閃爍體單元引出一根光纖，閃爍體的其余面用特氟龍等避光材料進(jìn)行涂覆，圖中，射線入射方向?yàn)樽蠓剑谝婚W爍體單元陣列I和第N-1射線過(guò)濾裝置3之間可以有同樣的若干層屏蔽光纖為柔性材料，可以彎曲，光纖的另外一端按照一定的順序排列，輸出至到光電轉(zhuǎn)換裝置中，電信號(hào)輸出至電腦后經(jīng)過(guò)軟件提取、分析，還原成多能量的數(shù)據(jù)。
[0047]在本實(shí)施例中探測(cè)器的厚度可以控制到很小的范圍之內(nèi)(光纖側(cè)向輸出，如圖5c)。而且解決了以前厚度方向上最多只有兩組探測(cè)接收裝置的問(wèn)題。
[0048]如圖5b和圖5d所示，若干個(gè)這樣的探測(cè)器可以排布成一個(gè)面陣，前端面形狀可以是平面也可以是曲面。其輸出光纖柔性彎曲排列之后，按照一定順序編號(hào)，端面排布如圖3a所示，
[0049]當(dāng)探測(cè)器陣列的大小是i行，j列，k深的三維體矩陣，每個(gè)矩陣模塊會(huì)引出一根光纖，共i*j*k根光纖，按照順序端面對(duì)齊排列成為二維面陣，圖3a中示出的即為二維面陣的編號(hào)規(guī)則，三位數(shù)字，第一位表示行，第二位表示列，第三位表示深度。
[0050]如圖5e所示，為多個(gè)閃爍晶體單元組成的陣列組成的檢測(cè)系統(tǒng)，這樣的系統(tǒng)可以用于將對(duì)象進(jìn)行多能量分離檢測(cè)，其優(yōu)勢(shì)在于能同時(shí)顯示物體在多個(gè)能量下的檢測(cè)結(jié)果。
[0051]如圖6a和圖6b所示，所述的閃爍晶體單元陣列1、4、6的末端設(shè)有用于將閃爍體單元引出光纖7整理匯攏為多維陣列的光纖整理裝置8，該光纖整理裝置8正對(duì)設(shè)置于避光外殼10內(nèi)的光路聚集裝置9，經(jīng)聚集后通過(guò)光信號(hào)增強(qiáng)裝置12進(jìn)行光信號(hào)增強(qiáng)或直接由信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置11實(shí)現(xiàn)光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。
[0052]本實(shí)施例上述裝置通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)檢測(cè):
[0053]步驟1、所述的晶體面正對(duì)放射源(如X光球管)放置，待測(cè)樣件放置在放射源和本裝置中間，放射源出束，射線穿過(guò)被檢測(cè)物品。穿透物品后的射線被本裝置接收處理，信號(hào)輸出至計(jì)算機(jī)運(yùn)算后顯示在屏幕上。
[0054]由于放射源發(fā)出的射線是全譜能量的射線，穿透物體后的射線也是全譜能量的射線，當(dāng)入射放射源是100KV的球管，其穿透物體之前和穿透物體之后的能量譜如圖10所示。
[0055]步驟2、穿透物體后的射線經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直和初步過(guò)濾，濾除極低部分射線(如〈20Kev能量)后射入閃爍晶體單元陣列1，部分低能射線(如〈30Kev能量)被閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，此可見光經(jīng)由與晶體耦合的光纖2中全反射到光纖的輸出端；剩余部分的射線經(jīng)過(guò)射線過(guò)濾裝置濾除殘余的低能部分(如<30Kev能量)，并射入到下一層閃爍晶體單元陣列4，射束中的低能射線被閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，經(jīng)由與此晶體耦合的光纖中全反射到光纖的輸出端；經(jīng)過(guò)若干層分離，剩余部分的射線經(jīng)過(guò)射線過(guò)濾裝置3濾除殘余的低能部分(如〈80Kev能量)，并射入到下一層閃爍晶體單元陣列4，射束中的低能射線(如OOKev能量)被閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，經(jīng)由與此晶體耦合的光纖中全反射到光纖的輸出端；剩余部分的射線經(jīng)過(guò)射線過(guò)濾裝置5濾除相應(yīng)的低能部分(如〈90Kev能量)，并射入到下一層閃爍晶體單元陣列6，射束被閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，經(jīng)由與此晶體耦合的光纖中全反射到光纖的輸出端。
[0056]步驟3、將穿透物體的射線按照若干個(gè)不同能量級(jí)別，分別導(dǎo)出為可見光并由若干個(gè)光纖14經(jīng)由光纖整理裝置8按照其空間陣列順序排列，如圖3所示，在光纖輸出端形成一幅二維的光斑圖像。
[0057]步驟4、光路聚集裝置9將二維的光斑圖像進(jìn)行縮放到適合光信號(hào)增強(qiáng)裝置的口徑大小，再經(jīng)由光信號(hào)增強(qiáng)裝置12進(jìn)行光學(xué)影像放大增強(qiáng)，此二維光影像經(jīng)由信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置11 (如(XD)轉(zhuǎn)換為數(shù)字化圖像輸出至計(jì)算機(jī)中處理。
[0058]步驟5、計(jì)算機(jī)將該數(shù)字化圖像的各個(gè)部分進(jìn)行分離，分離好以后的各個(gè)點(diǎn)的圖像灰度信息與光纖整理裝置8中的端面光斑圖像光強(qiáng)度以及光纖位置有一定比例的對(duì)應(yīng)關(guān)系；將各個(gè)光纖信息分離，再根據(jù)光纖位置順序?qū)⒃摶叶刃畔⑦M(jìn)行重新排布重組，形成如圖7所示的被檢測(cè)物體的若干個(gè)不同能量級(jí)別的二維分布排列示意圖。
[0059]由于不同材料和厚度的物體對(duì)不同能量射線的阻擋能力有差別，所以將被測(cè)物體的信息分為若干個(gè)不同能量級(jí)別分布以后，我們將這些被檢測(cè)圖像進(jìn)行相應(yīng)的數(shù)字處理，可以得到被測(cè)物體更多的細(xì)節(jié)信息，設(shè)備可以通過(guò)預(yù)設(shè)規(guī)則進(jìn)行自動(dòng)化報(bào)警，所示結(jié)果也可以輔助分析人員做更精細(xì)的判斷。
[0060]如圖8所示，為標(biāo)準(zhǔn)的射線類產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)樣件，即一定厚度且?guī)в腥舾尚A盲孔A?F，的圓盤，所述的盲孔的深度依次加深。
[0061]如圖9a所示，在現(xiàn)有的單能掃描設(shè)備中，只能顯示出偏向高能或者低能的測(cè)試圖像，即一個(gè)或兩個(gè)孔形；如圖％所示，在現(xiàn)有的雙能掃描設(shè)備中，只能顯示出偏高能和低能的測(cè)試圖像，即四個(gè)孔形；本實(shí)施例如圖9c所示，能夠同時(shí)顯示多個(gè)能量譜段圖像，可以顯示全部的孔形。
[0062]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例能夠同時(shí)顯示被檢測(cè)物體在多個(gè)能量譜段的圖像，進(jìn)行圖像融合或者疊加以后，能夠展示出更多的被測(cè)對(duì)象細(xì)節(jié)，設(shè)備可以通過(guò)預(yù)設(shè)規(guī)則進(jìn)行自動(dòng)化報(bào)警，所示結(jié)果也可以輔助分析人員做更精細(xì)的判斷。
【權(quán)利要求】
1.一種三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征在于，包括:若干個(gè)閃爍晶體單元組成的多層閃爍晶體單元陣列、設(shè)置于閃爍晶體單元陣列之間的射線過(guò)濾裝置以及用于將閃爍晶體單元接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置，其中:每個(gè)閃爍體單元通過(guò)光纖依次連接光纖整理裝置以及光路聚集裝置，直至信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的閃爍晶體單元陣列為:一個(gè)或多個(gè)多維平面或曲面陣的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的閃爍晶體單元陣列中的晶體采用GOS(閃爍晶體硅酸釓)、CsI(碘化銫)、CWO(鎢酸鎘)或BGO(鍺酸鉍)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的設(shè)置于陣列之間的射線過(guò)濾裝置為不同材料的板型結(jié)構(gòu)，用于過(guò)濾不同能量射線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的光纖的一端設(shè)置于閃爍晶體單元的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的光纖通過(guò)設(shè)置于閃爍晶體單元外的避光粘合層實(shí)現(xiàn)耦合。
7.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的閃爍晶體單元陣列中的各個(gè)閃爍晶體單元依次編號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的編號(hào)是指:當(dāng)閃爍晶體單元陣列為i*j*k的三維體矩陣對(duì)應(yīng)的i*j*k根光纖，則采用三位數(shù)字分別表不行、列和層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器，其特征是，所述的光纖整理裝置正對(duì)設(shè)置于避光外殼內(nèi)的光路聚集裝置，且避光外殼內(nèi)設(shè)有光信號(hào)增強(qiáng)裝置對(duì)光信號(hào)進(jìn)行增強(qiáng)。
10.一種根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述三維空間曲面多能量閃爍探測(cè)器的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、將所述的晶體面正對(duì)放射源放置，待測(cè)樣件放置在放射源和所述多能量閃爍探測(cè)器中間，放射源出束，射線穿過(guò)被檢測(cè)物品；穿透物品后的射線被所述多能量閃爍探測(cè)器接收處理； 步驟2、穿透物體后的射線經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直和初步過(guò)濾，由閃爍晶體單元陣列中的閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光并經(jīng)由與晶體耦合的光纖中全反射到光纖的輸出端，剩余射線經(jīng)過(guò)射線過(guò)濾裝置射入到下一層閃爍晶體單元陣列，由此循環(huán)至所有閃爍晶體單元陣列均吸收對(duì)應(yīng)能級(jí)的可見光； 步驟3、穿透物體的射線按照若干個(gè)不同能量級(jí)別，分別經(jīng)閃爍晶體單元陣列中的閃爍晶體吸收并轉(zhuǎn)換為可見光，并由與閃爍晶體一一對(duì)應(yīng)的光纖將光導(dǎo)出，光纖經(jīng)由光纖整理裝置按照其空間陣列順序重新排列成二維面陣，并且光纖輸出端面為一平面，在光纖輸出端形成一幅二維的光斑圖像； 步驟4、光路聚集裝置將二維光斑圖像縮放至適合光信號(hào)增強(qiáng)裝置的口徑，再經(jīng)由光信號(hào)增強(qiáng)裝置進(jìn)行光學(xué)影像放大增強(qiáng)，此二維光影像經(jīng)由信號(hào)轉(zhuǎn)換接收裝置轉(zhuǎn)換為數(shù)字化圖像輸出至計(jì)算機(jī)； 步驟5、計(jì)算機(jī)將該數(shù)字化圖像的各個(gè)部分進(jìn)行分離，分離好以后的各個(gè)點(diǎn)的圖像灰度信息與光纖整理裝置中的端面光斑圖像光強(qiáng)度以及光纖位置一一對(duì)應(yīng)；將各個(gè)光纖信息分離，再根據(jù)光纖位置順序?qū)⒃摶叶刃畔⑦M(jìn)行重新排布重組，形成若干個(gè)不同能量級(jí)別的二維分布排列示意圖。
【文檔編號(hào)】G01T1/20GK104391316SQ201410743045
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月8日
【發(fā)明者】熊雁斌, 項(xiàng)安 申請(qǐng)人:上海太弘威視安防設(shè)備有限公司