電壓檢測(cè)裝置、電池及電壓檢測(cè)方法
【專利摘要】本公開是關(guān)于電壓檢測(cè)裝置、電池及電壓檢測(cè)方法，所述電壓檢測(cè)裝置包括：電壓檢測(cè)模塊和電路走線；其中，所述電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，所述電壓檢測(cè)模塊的檢測(cè)端通過測(cè)量線分別連接到所述走線電阻兩端。本公開實(shí)施例通過將電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，使得檢測(cè)走線電阻兩端的電壓即可，由于走線電阻本身是電路走線的一部分，其阻值不會(huì)隨著電壓和溫度的變化發(fā)生較大的變化，具有較好的穩(wěn)定性，因此電壓測(cè)量比較準(zhǔn)確。
【專利說明】電壓檢測(cè)裝置、電池及電壓檢測(cè)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開設(shè)及電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其設(shè)及電壓檢測(cè)裝置、電池及電壓檢測(cè)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 電源保護(hù)電路通過對(duì)電源通路上的電壓進(jìn)行檢測(cè)，從而根據(jù)檢測(cè)結(jié)果確定是否切 斷電源通路，W便對(duì)電源起到保護(hù)作用。W電池內(nèi)的電源保護(hù)電路為例，相關(guān)技術(shù)中，該電 源保護(hù)電路上的保護(hù)ICQntegrated circui t，集成電路）將測(cè)量線連接在MOS陽T(Meta l-〇xide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半場(chǎng)效晶體管）兩端，通過檢測(cè) M0SFET兩端的電壓獲得電池電壓，從而在電池電壓異常時(shí)，切斷電源保護(hù)電路與電巧間的 電源通路。
[000引但是，由于M0SFET本身的特性，在電池充放電過程中，其阻值會(huì)隨著電壓和溫度 的變化發(fā)生較大的變化，使得電壓測(cè)量不夠準(zhǔn)確，導(dǎo)致難W對(duì)電源通路起到良好的保護(hù)作 用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本公開提供了電壓檢測(cè)裝置、電池及電壓檢測(cè)方法，W解決相關(guān)技術(shù)中電壓檢測(cè) 不夠準(zhǔn)確，難W對(duì)電源通路起到良好保護(hù)作用的問題。
[0005] 根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種電壓檢測(cè)裝置，所述電壓檢測(cè)裝置包括： 電壓檢測(cè)模塊和電路走線；
[0006] 其中，所述電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，所述電壓檢測(cè)模塊的檢測(cè)端 通過測(cè)量線分別連接到所述走線電阻兩端。
[0007] 可選的，所述電壓檢測(cè)模塊包括；保護(hù)集成電路1C，或電量計(jì)。
[000引可選的，當(dāng)所述電壓檢測(cè)模塊為保護(hù)1C時(shí)，所述電壓檢測(cè)電路還包括：開關(guān)控制 線和金氧半場(chǎng)效晶體管M0SFET，所述保護(hù)1C通過所述開關(guān)控制線與所述M0SFET連接；
[0009] 所述電路走線的一端與所述M0S陽T連接，另一端用于連接電巧。
[0010] 可選的，當(dāng)所述保護(hù)1C檢測(cè)到所述走線電阻兩端的電壓不在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi) 時(shí)，通過所述開關(guān)控制線斷開與所述M0SFET的連接。
[0011] 可選的，所述走線電阻的長(zhǎng)度滿足如下公式：
[0012] L 其中，所述L為所述走線電阻的長(zhǎng)度，所述R為所述走線電阻的電阻值， 所述S為所述走線電阻的截面積，所述為所述走線電阻的電阻率。
[0013] 可選的，所述走線電阻的預(yù)設(shè)電阻值為10毫歐。
[0014] 根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面，提供一種電池，所述電池包括；電源保護(hù)電路和電 巧；其中，
[0015] 所述電源保護(hù)電路包括保護(hù)1C，通過開關(guān)控制線與所述保護(hù)1C相連的M0SFET，W 及電路走線，所述電路走線的一端與所述M0SFET連接，另一端與所述電巧連接；
[0016] 其中，所述電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，所述保護(hù)IC的檢測(cè)端通過測(cè) 量線分別連接到所述走線電阻兩端。
[0017] 可選的，所述走線電阻的長(zhǎng)度滿足如下公式：
[0018] L 其中，所述L為所述走線電阻的長(zhǎng)度，所述R為所述走線電阻的電阻值， 所述S為所述走線電阻的截面積，所述為所述走線電阻的電阻率。
[0019] 可選的，所述走線電阻的預(yù)設(shè)電阻值為10毫歐。
[0020] 根據(jù)本公開實(shí)施例的第=方面，提供一種電壓檢測(cè)方法，所述方法應(yīng)用在前述電 池中，所述方法包括：
[0021] 保護(hù)1C通過測(cè)量線檢測(cè)走線電阻兩端的電池電壓；
[0022] 判斷檢測(cè)到的所述電池電壓是否在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)；
[0023] 當(dāng)所述電壓不在所述電壓范圍內(nèi)時(shí)，通過所述開關(guān)控制線斷開與MOSFET的連接。
[0024] 本公開的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可W包括W下有益效果：
[0025] 本公開提供的電壓檢測(cè)裝置，通過將電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，使 得電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)走線電阻兩端的電壓即可，由于走線電阻本身是電路走線的一部分， 其阻值不會(huì)隨著電壓和溫度的變化發(fā)生較大的變化，具有較好的穩(wěn)定性，因此電壓測(cè)量比 較準(zhǔn)確。
[0026] 本公開電壓檢測(cè)裝置中的電壓檢測(cè)模塊可W具體為電池中的保護(hù)1C，或者?？谟?于通過測(cè)量電壓獲得電流值的電量計(jì)，因此能夠應(yīng)用在不同的電壓測(cè)量場(chǎng)景中。
[0027] 本公開中電壓檢測(cè)裝置中的電壓檢測(cè)模塊具體為保護(hù)1C時(shí)，該保護(hù)1C通過開關(guān) 控制線連接MOSFET，因此可W通過測(cè)量走線電阻兩端的電壓對(duì)MOSFET的通斷進(jìn)行控制，從 而對(duì)電源通路起到良好的保護(hù)作用。
[002引本公開中在確定走線電阻長(zhǎng)度時(shí)，可W根據(jù)走線電阻的預(yù)設(shè)電阻值，走線電阻的 截面積，W及走線電阻的電阻率，按照預(yù)設(shè)公式進(jìn)行計(jì)算，并可W在實(shí)際應(yīng)用中通過調(diào)試， 獲得合適的走線長(zhǎng)度，從而滿足電壓檢測(cè)的需求，提高電壓檢測(cè)的準(zhǔn)確度。
[0029] 本公開提供的電池及其應(yīng)用在該電池內(nèi)的電壓檢測(cè)方法，通過電源保護(hù)電路對(duì)電 路走線上的走線電阻進(jìn)行測(cè)量，可W獲得準(zhǔn)確的電壓值，通過電壓值可W對(duì)MOSFET的通斷 進(jìn)行控制，W便在電巧充放電過程中，可W對(duì)電巧起到良好的保護(hù)作用。
[0030] 應(yīng)當(dāng)理解的是，W上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不 能限制本公開。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施 例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。
[0032] 圖1是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電壓檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033] 圖2是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的另一種電壓檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034] 圖3是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035] 圖4是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電壓檢測(cè)方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036] 該里將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述設(shè)及 附圖時(shí)，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。W下示例性實(shí)施例 中所描述的實(shí)施方式并不代表與本公開相一致的所有實(shí)施方式。相反，它們僅是與如所附 權(quán)利要求書中所詳述的、本公開的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0037] 在本公開使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本公開。 在本公開和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的"一種"、"所述"和"該"也旨在包括多 數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。還應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語"和/或"是指 并包含一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目的任何或所有可能組合。
[003引應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本公開可能采用術(shù)語第一、第二、第=等來描述各種信息，但該 些信息不應(yīng)限于該些術(shù)語。該些術(shù)語僅用來將同一類型的信息彼此區(qū)分開。例如，在不脫離 本公開范圍的情況下，第一信息也可W被稱為第二信息，類似地，第二信息也可W被稱為第 一信息。取決于語境，如在此所使用的詞語"如果"可W被解釋成為"在……時(shí)"或"當(dāng)…… 時(shí)"或"響應(yīng)于確定"。
[0039] 如圖1所示，圖1是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電壓檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖，該電壓檢測(cè)裝置包括；電壓檢測(cè)模塊110和電路走線120。
[0040] 本實(shí)施例中在檢測(cè)電壓時(shí)，無需對(duì)?？诘碾娐菲骷M(jìn)行檢測(cè)，例如，?？谠O(shè)置的檢 測(cè)電阻，或者檢測(cè)裝置中設(shè)置的MOSFET等，而是將電路走線120上的一段走線設(shè)置為走線 電阻121，電壓檢測(cè)模塊110的檢測(cè)端111通過測(cè)量線112分別連接到走線電阻121兩端。 因此，電壓檢測(cè)模塊110檢測(cè)走線電阻121兩端的電壓即可，由于走線電阻121本身是電路 走線120的一部分，其阻值不會(huì)隨著電壓和溫度的變化發(fā)生較大的變化，具有較好的穩(wěn)定 性，因此電壓測(cè)量比較準(zhǔn)確，檢測(cè)精度較高。需要說明的是，圖1中的走線電阻121用加粗 線條進(jìn)行了示例，實(shí)際應(yīng)用中，該走線電阻121的厚度和寬度與電路走線120的其他部分相 同，因此圖1中用加粗線條示例的走線電阻121僅為示例清楚，并不用于限制走線電阻121 的實(shí)際形態(tài)。
[0041] 本實(shí)施例中，要將電路走線120上的一段走線設(shè)置為走線電阻121時(shí)，需要預(yù)先確 定走線電阻的長(zhǎng)度，在確定走線電阻的長(zhǎng)度時(shí)，可W采用如下公式： RxS
[0042] L = 其中，L為走線電阻的長(zhǎng)度；參數(shù)R為走線電阻的電阻值，該R的預(yù)設(shè)值 為10m Q (毫歐）；參數(shù)S為走線電阻的截面積，當(dāng)電路走線120確定后，該S的值也可W確 定；參數(shù)為走線電阻的電阻率，電阻率是表示物質(zhì)電阻特性的物理量，因此當(dāng)電路走線120 的材質(zhì)確定時(shí)，該值也確定。根據(jù)上述確定的參數(shù)值，可W初步計(jì)算出L的理論值，并基于L 的理論值對(duì)走線電阻的實(shí)際長(zhǎng)度進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)試，在調(diào)試時(shí)，可W測(cè)量L為理論值時(shí)，走線 電阻的實(shí)際值是否為預(yù)設(shè)的lOmQ，如果小于lOmQ，則可W增加走線電阻的長(zhǎng)度，直至將 測(cè)量到走線電阻為10m Q時(shí)的走線電阻長(zhǎng)度確定為L(zhǎng)的實(shí)際值，并按照L的實(shí)際值，將電壓 檢測(cè)模塊110的測(cè)量線112分別連接到走線電阻121兩端。
[0043] 在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，電壓檢測(cè)模塊110可W具體為電池內(nèi)的保護(hù)1C，該保護(hù)1C可 W通過開關(guān)控制線與MOSFET連接，其中，電路走線120的一端與MOSFET連接，另一端用于 連接電巧，當(dāng)保護(hù)1C檢測(cè)到走線電阻兩端的電壓不在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)時(shí)，可W通過開關(guān) 控制線斷開與MOSFET的連接，由此通過對(duì)MOSFET的通斷進(jìn)行控制，從而可W對(duì)電源通路起 到良好的保護(hù)作用。
[0044] 在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，電壓檢測(cè)模塊可W具體為測(cè)量電池電量的電量計(jì)，電量計(jì) 是一種測(cè)量電池累計(jì)電量的增加或減少的功能器件，用于確定可充電電池中的剩余電量W 及在特定工作條件下電池還能持續(xù)供電的時(shí)間，能夠精確估計(jì)電池的電量。在本實(shí)施例中， 電量計(jì)可W直接通過測(cè)量走線電阻兩端的電壓獲得電壓值，并可W根據(jù)該電壓值和走線電 阻的電阻值計(jì)算出電流值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確測(cè)量。
[0045] 如圖2所示，圖2是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的另一種電壓檢測(cè)裝置的結(jié) 構(gòu)示意圖，該電壓檢測(cè)裝置可W具體應(yīng)用在電池中，該電壓檢測(cè)裝置包括；保護(hù)IC210,開 關(guān)控制線220, M0S陽T230和電路走線240。
[0046] 其中，保護(hù)IC210通過開關(guān)控制線220與M0S陽T230連接，電路走線240的一端與 M0SFET230連接，另一端用于連接電巧。本實(shí)施例中，將電路走線240上的一段走線設(shè)置為 走線電阻241，保護(hù)IC210的檢測(cè)端211通過測(cè)量線212分別連接到走線電阻241兩端。因 此，保護(hù)IC210檢測(cè)走線電阻241兩端的電壓即可獲得電池電壓，由于走線電阻241本身是 電路走線240的一部分，其阻值不會(huì)隨著電壓和溫度的變化發(fā)生較大的變化，具有較好的 穩(wěn)定性，因此電壓測(cè)量比較準(zhǔn)確，測(cè)量精度較高。需要說明的是，圖2中的走線電阻241用 加粗線條進(jìn)行了示例，實(shí)際應(yīng)用中，該走線電阻241的厚度和寬度與電路走線240的其他部 分相同，因此圖2中用加粗線條示例的走線電阻241僅為示例清楚，并不用于限制走線電阻 241的實(shí)際形態(tài)。
[0047] 本實(shí)施例中，保護(hù)IC210為一種硬件電路，當(dāng)該保護(hù)IC210的測(cè)量線212連接到走 線電阻241兩側(cè)時(shí)，可W實(shí)時(shí)測(cè)量走線電阻241兩端的電壓，從而獲得電路電壓。其中，當(dāng) 保護(hù)IC210檢測(cè)到走線電阻241兩端的電壓不在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)時(shí)，可W通過開關(guān)控制 線220斷開與M0SFET230的連接。因此本實(shí)施例可W通過測(cè)量走線電阻241兩端的電壓對(duì) M0SFET的通斷進(jìn)行控制，從而對(duì)電源通路起到良好的保護(hù)作用。
[0048] 另外，圖2中作為示意僅示出了一個(gè)M0S陽T，實(shí)際應(yīng)用中，保護(hù)1C在控制M0S陽T 通斷時(shí)，電路中可W包括兩個(gè)M0SFET元件，保護(hù)1C的兩根測(cè)量線分別連接到該兩個(gè)M0SFET 元件的兩側(cè)。本實(shí)施例中，走線電阻的長(zhǎng)度確定方式與前述圖1中的相關(guān)描述一致，在此不 再寶述。
[0049] 如圖3所示，圖3是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050] 本實(shí)施例中的電池主要指具有充放電功能的充電電池，充電電池使用過程中，過 充電、過放電、或者過電流都會(huì)影響電池使用壽命和性能，因此需要對(duì)電池內(nèi)部的電壓進(jìn)行 檢測(cè)W防止對(duì)電池產(chǎn)生損害。本實(shí)施例中示例的電池包括；電源保護(hù)電路310和電巧320。 其中，電池保護(hù)電路310用于對(duì)電池內(nèi)部的電壓進(jìn)行檢測(cè)，電巧320是電池的容量來源，用 于進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存；為了對(duì)電巧320進(jìn)行保護(hù)，可W通過電源保護(hù)電路310對(duì)電池電壓和電流 進(jìn)行測(cè)量，從而在電壓或電流異常時(shí)，切斷與電巧320間的電池通路，W起到對(duì)電池的保護(hù) 作用
[0化1] 本實(shí)施例中，電源保護(hù)電路310進(jìn)一步包括；保護(hù)IC311、通過開關(guān)控制線312與 保護(hù)IC311相連的M0S陽T313, W及電路走線314,該電路走線314的一端與M0S陽T313連 接，另一端與電巧320連接。電路走線314上的一段走線設(shè)置為走線電阻3141，保護(hù)IC311 的檢測(cè)端3111通過測(cè)量線3112分別連接到走線電阻3141兩端。其中，MOS陽T313受保護(hù) IC311的控制，在保護(hù)IC311檢測(cè)到電壓或電流異常時(shí)，通過控制M0S陽T313的通斷，起到與 電巧之間連接或斷開的開關(guān)作用。
[0052] 本實(shí)施例中的電源保護(hù)電路310在檢測(cè)電池電壓時(shí)，與圖2描述的電壓檢測(cè)裝置 一致，在此不再寶述。
[0053] 由上述實(shí)施例可見，該實(shí)施例提供的電池，通過電源保護(hù)電路對(duì)電路走線上的走 線電阻進(jìn)行測(cè)量，可W獲得準(zhǔn)確的電壓值，通過電壓值可W對(duì)M0SFET的通斷進(jìn)行控制，W 便在電巧充放電過程中，可W對(duì)電巧起到良好的保護(hù)作用。
[0054] 如圖4是所示，圖4是本公開根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種電壓檢測(cè)方法的流 程圖，該方法可W應(yīng)用在圖3所示電池中，包括如下步驟：
[0化5] 在步驟401中，保護(hù)1C通過測(cè)量線檢測(cè)走線電阻兩端的電池電壓。
[0化6] 結(jié)合圖3可知，保護(hù)1C的檢測(cè)端通過測(cè)量線連接到走線電阻兩端，該保護(hù)1C為一 種硬件電路，可W實(shí)時(shí)測(cè)量走線電阻兩端的電壓，從而獲得電池電壓。
[0化7] 在步驟402中，判斷檢測(cè)到的電池電壓是否在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)。
[0化引本實(shí)施例中，電池的主要工作狀態(tài)包括充電狀態(tài)和放電狀態(tài)，因此預(yù)設(shè)的電壓范 圍可W由充電狀態(tài)下的最高電壓和放電狀態(tài)下的最低電壓進(jìn)行限定。
[0化9] 在步驟403中，當(dāng)電池電壓不在電壓范圍內(nèi)時(shí)，通過開關(guān)控制線斷開與M0SFET的 連接。
[0060] 當(dāng)電池電壓在電壓范圍內(nèi)時(shí)，電池可W自由充放電，此時(shí)保護(hù)1C通過開關(guān)控制線 控制M0S陽T處于接通狀態(tài)。
[0061] 當(dāng)電池電壓不在電壓范圍內(nèi)時(shí)，對(duì)于電池電壓超過最高電壓值時(shí)的過充電狀態(tài)， 此時(shí)保護(hù)1C通過開關(guān)控制線控制M0SFET處于關(guān)斷狀態(tài)，從而停止對(duì)電巧進(jìn)行充電；對(duì)于電 池電壓低于最低電壓值時(shí)的過放電狀態(tài)，此時(shí)保護(hù)1C也通過開關(guān)控制線控制M0SFET處于 關(guān)斷狀態(tài)，從而停止電巧對(duì)負(fù)載放電。
[0062] 由上述實(shí)施例可見，該實(shí)施例提供的電壓檢測(cè)方法，通過電源保護(hù)電路對(duì)電路走 線上的走線電阻進(jìn)行測(cè)量，可W獲得準(zhǔn)確的電壓值，通過電壓值可W對(duì)M0SFET的通斷進(jìn)行 控制，W便在電巧充放電過程中，可W對(duì)電巧起到良好的保護(hù)作用。
[0063] 本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐該里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其 它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，該些變型、用途或 者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本【技術(shù)領(lǐng)域】中的公知常識(shí) 或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由下面的 權(quán)利要求指出。
[0064] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并 且可W在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種電壓檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電壓檢測(cè)裝置包括：電壓檢測(cè)模塊和電路走 線； 其中，所述電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，所述電壓檢測(cè)模塊的檢測(cè)端通過 測(cè)量線分別連接到所述走線電阻兩端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電壓檢測(cè)模塊包括：保護(hù)集成電路 1C，或電量計(jì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，當(dāng)所述電壓檢測(cè)模塊為保護(hù)IC時(shí)，所述電 壓檢測(cè)電路還包括：開關(guān)控制線和金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET，所述保護(hù)IC通過所述開關(guān)控 制線與所述MOSFET連接； 所述電路走線的一端與所述MOSFET連接，另一端用于連接電芯。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，當(dāng)所述保護(hù)IC檢測(cè)到所述走線電阻兩端 的電壓不在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)時(shí)，通過所述開關(guān)控制線斷開與所述MOSFET的連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的裝置，其特征在于，所述走線電阻的長(zhǎng)度滿足如下公 式：
;其中，所述L為所述走線電阻的長(zhǎng)度，所述R為所述走線電阻的電阻值，所述 S為所述走線電阻的截面積，所述P為所述走線電阻的電阻率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述走線電阻的預(yù)設(shè)電阻值為10毫歐。
7. -種電池，其特征在于，所述電池包括：電源保護(hù)電路和電芯；其中， 所述電源保護(hù)電路包括保護(hù)1C，通過開關(guān)控制線與所述保護(hù)IC相連的M0SFET，以及電 路走線，所述電路走線的一端與所述MOSFET連接，另一端與所述電芯連接； 其中，所述電路走線上的一段走線設(shè)置為走線電阻，所述保護(hù)IC的檢測(cè)端通過測(cè)量線 分別連接到所述走線電阻兩端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電池，其特征在于，所述走線電阻的長(zhǎng)度滿足如下公式：
其中，所述L為所述走線電阻的長(zhǎng)度，所述R為所述走線電阻的電阻值，所述 S為所述走線電阻的截面積，所述P為所述走線電阻的電阻率。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電池，其特征在于，所述走線電阻的預(yù)設(shè)電阻值為10毫歐。
10. -種電壓檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用在如權(quán)利要求7至9任一所述的電 池中，所述方法包括： 保護(hù)IC通過測(cè)量線檢測(cè)走線電阻兩端的電池電壓； 判斷檢測(cè)到的所述電池電壓是否在預(yù)設(shè)的電壓范圍內(nèi)； 當(dāng)所述電壓不在所述電壓范圍內(nèi)時(shí)，通過所述開關(guān)控制線斷開與MOSFET的連接。
【文檔編號(hào)】G01R19/00GK104502670SQ201410828976
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】孫偉, 孫長(zhǎng)宇, 王向東 申請(qǐng)人:小米科技有限責(zé)任公司