基于D_dot原理的三相電壓互感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種基于D_dot原理的三相電壓互感器，其包括環(huán)形電極I、環(huán)形電極II、絕緣支架和接地電容，絕緣支架包括半圓支架I、半圓支架II和支撐臂，支撐臂設(shè)置在半圓支架I、半圓支架II的側(cè)壁上，且半圓支架I、半圓支架II同心設(shè)置形成用于供被測導(dǎo)體穿過的通孔，環(huán)形電極I、環(huán)形電極II同心設(shè)置，且分別嵌在半圓支架I和半圓支架II內(nèi)，環(huán)形電極I、環(huán)形電極II通過導(dǎo)線與接地電容和地串聯(lián)，本實(shí)用新型的三相電壓互感器具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、絕緣性能好和測量安全等特點(diǎn)。
【專利說明】基于D_dot原理的三相電壓互感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種基于D_dot原理的三相電壓互感器。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的電壓互感器包括:電磁式電壓互感器、電容式電壓互感器和電子式傳感器，等等。其中電磁式電壓互感器存在絕緣難度大和易產(chǎn)生鐵磁諧振等問題，其中電容式電壓互感器由于帶許多儲能元件，瞬變響應(yīng)特性差，需要在二次回路加裝阻尼裝置以改善瞬變響應(yīng)特性，其中電子式傳感器存在測量誤差大等問題。
[0003]因此,基于D_dot原理的電壓傳感器(簡稱:D_dot傳感器)由于米用電荷感應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)測量，而非能量傳遞，因此可以實(shí)現(xiàn)無接觸測量，將其應(yīng)用于高電壓等級的變電站內(nèi)時，可以使得二次側(cè)幾乎沒有任何電流輸出，實(shí)現(xiàn)二次側(cè)安全檢測的同時，保證對一次側(cè)不造成影響，并且由于整個傳感器不存在電感性的器件，避免了傳感器產(chǎn)生的鐵磁諧振的威脅7等等。
[0004]具體的，基于D_dot原理的電壓傳感器具體是采用電荷感應(yīng)原理，通過測量與測量電極相連的接地匹配電阻上的輸出電壓，來測量與該輸出電壓積分量成正比的導(dǎo)體附近的電位移矢量，從而得到導(dǎo)體電壓的時域波形，由于其輸出電壓與電位移矢量對時間的微分成正比，故稱為基于D_dot ( D )原理的電壓傳感器。
[0005]但是，目前的D_dot傳感器結(jié)構(gòu)普遍存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、絕緣性有待提高等問題。實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種基于0_(10丨原理的三相電壓互感器，具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、絕緣性能好和測量安全等特點(diǎn)。
[0007]本實(shí)用新型提供一種基于D_dot原理的三相電壓互感器，包括:環(huán)形電極1、環(huán)形電極I1、絕緣支架、接地電容，所述絕緣支架包括:半圓支架1、半圓支架II和支撐臂，所述支撐臂設(shè)置在所述半圓支架1、半圓支架II的側(cè)壁上，且所述半圓支架1、半圓支架II同心設(shè)置形成用于供被測導(dǎo)體穿過的通孔，所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II同心設(shè)置，且分別嵌在所述半圓支架I和半圓支架II內(nèi)，所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II通過導(dǎo)線與所述接地電容和地串聯(lián)，所述示波器和所述接地電容并聯(lián)。
[0008]進(jìn)一步，所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II為形狀相同的金屬鋁環(huán)。
[0009]進(jìn)一步,所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II的內(nèi)徑在60至70mm之間，外徑在70至80mm之間。
[0010]進(jìn)一步，還包括:設(shè)置在所述支撐臂上用于調(diào)節(jié)所述半圓支架II的調(diào)節(jié)旋鈕，緊固螺釘?shù)乃删o程度可調(diào)節(jié)，螺釘松的時候，半圓支架II可上下移動，當(dāng)達(dá)到合適位置的時候?qū)⒙葆斝o。
[0011]進(jìn)一步，所述半圓支架1、II之間的調(diào)節(jié)距離范圍在O至50mm之間。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果:
[0013]本實(shí)用新型的基于D_dot原理的三相電壓互感器主要由環(huán)形電極、絕緣支架和接地電容等少數(shù)幾個部件構(gòu)成，其具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單等特性，尤其是環(huán)形的電極可以降低最高電場強(qiáng)度以達(dá)到提高絕緣水平的目的，具有良好的動態(tài)范圍和暫態(tài)特征，同時保證測量安全性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
[0015]圖1是0_(1<^傳感器原理示意圖。
[0016]圖2是基于D_dot原理的三相電壓互感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是基于D_dot原理的三相電壓互感器的檢測簡圖。
[0018]圖4是不考慮鄰相影響時的D_dot傳感器測量等效電路圖。
[0019]圖5是考慮鄰相影響時的D_dot傳感器測量等效電路圖。
[0020]圖6是考慮鄰相影響時的某一相D_dot傳感器測量等效電路圖。
[0021]圖7是試驗(yàn)裝置圖。

【具體實(shí)施方式】
:
[0022]如圖1所示，是D_dot傳感器的原理示意圖，其將具有高電導(dǎo)率的金屬導(dǎo)體I封入絕緣體2中構(gòu)成最簡單的0_(1於傳感器，其中f為被測量點(diǎn)的電場強(qiáng)度，在金屬導(dǎo)體表面做一閉合高斯面4，并對其使用高斯定理可以得到:
[0023]

【權(quán)利要求】
1.一種基于0_(10丨原理的三相電壓互感器，其特征在于:包括:環(huán)形電極1、環(huán)形電極11、絕緣支架和接地電容，所述絕緣支架包括:半圓支架1、半圓支架II和支撐臂，所述支撐臂設(shè)置在所述半圓支架1、半圓支架II的側(cè)壁上，且所述半圓支架1、半圓支架II同心設(shè)置形成用于供被測導(dǎo)體穿過的通孔，所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II同心設(shè)置，且分別嵌在所述半圓支架I和半圓支架II內(nèi)，所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II通過導(dǎo)線與所述接地電容和地串聯(lián)，所述接地電容兩端輸出的電壓接入示波器。
2.如權(quán)利要求1所述的基于D_dot原理的三相電壓互感器，其特征在于:所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II為形狀相同的金屬鋁環(huán)。
3.如權(quán)利要求2所述的基于D_dot原理的三相電壓互感器，其特征在于:所述環(huán)形電極1、環(huán)形電極II的內(nèi)徑在60至70mm之間,外徑在70至80mm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的基于D_dot原理的三相電壓互感器，其特征在于:還包括:設(shè)置在所述支撐臂上用于調(diào)節(jié)所述半圓支架II位置的調(diào)節(jié)旋鈕。
5.如權(quán)利要求4所述的基于D_dot原理的三相電壓互感器，其特征在于:所述半圓支架1、II之間的調(diào)節(jié)距離范圍在O至50mm之間。
【文檔編號】G01R19/00GK203858279SQ201420040499
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月22日
【發(fā)明者】汪金剛, 朱麗云, 范禹邑, 白云潔 申請人:重慶大學(xué)