雙晶縱波斜探頭的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼，屏蔽外殼內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊和右楔塊，左楔塊和右楔塊之間設(shè)置有隔聲層，左楔塊和右楔塊的上表面上分別設(shè)置有左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層，左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層上分別設(shè)置有左晶片和右晶片，屏蔽外殼上還設(shè)置有發(fā)射探頭和接收探頭，發(fā)射探頭內(nèi)的芯線柱引出有第一導線，發(fā)射探頭的外殼引出有第二導線，第一導線和第二導線之間并聯(lián)有左電感，接收探頭內(nèi)的芯線柱引出第三導線，接收探頭的外殼引出有第四導線，第三導線和第四導線之間并聯(lián)有右電感。本實用新型的有益效果是，通過增加聲阻抗匹配層來實現(xiàn)探頭與負載之間的匹配，提高探頭檢測精度。
【專利說明】雙晶縱波斜探頭

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及超聲波探頭【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種雙晶縱波斜探頭。

【背景技術(shù)】
[0002] 為了確保超聲波檢測的可靠性，選擇良好的探頭是關(guān)鍵。雙晶探頭的結(jié)構(gòu)是兩個 單探頭的組合，一個用于發(fā)射一個用于接收，發(fā)射電脈沖不進入接收電路，因此不受探傷儀 器放大器的阻塞影響，可以探測近表面缺陷。收發(fā)探頭都有各自的延遲塊，而且兩個延遲塊 的聲束入射平面均帶一傾角，傾角的大小則取決于要探測區(qū)域距探測面的深度。
[0003] 雙晶探頭有一個聲能集中區(qū)，利用這一特點，可提高須探測區(qū)內(nèi)的缺陷探測靈敏 度。探頭的晶片對聲波傳輸有極大的影響，由于晶片的聲阻抗和延遲塊的聲阻抗差別較大， 會影響探頭檢測的精度，影響測量效果，因此需要解決該問題。 實用新型內(nèi)容
[0004] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是：為了提高檢測精度，本實用新型提供一種雙晶 縱波斜探頭。
[0005] 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種雙晶縱波斜探頭，包括屏 蔽外殼，屏蔽外殼內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊和右楔塊，所述的左楔塊和右楔塊之間設(shè)置有隔聲 層，左楔塊和右楔塊的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊和右楔塊的上表面上分別設(shè)置 有左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層，左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層上分別設(shè)置有左 晶片和右晶片，左晶片和右晶片的底部還設(shè)置有金箔，屏蔽外殼上還設(shè)置有分別與左晶片 和右晶片對應(yīng)的發(fā)射探頭和接收探頭，所述發(fā)射探頭內(nèi)的芯線柱引出有與左晶片底部金箔 連接的第一導線，發(fā)射探頭的外殼引出有與左晶片上表面連接的第二導線，所述的第一導 線和第二導線之間并聯(lián)有左電感，所述接收探頭內(nèi)的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接 的第三導線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導線，所述的第三導線和 第四導線之間并聯(lián)有右電感。
[0006] 為了進一步減少聲能的衰減，所述的左晶片和右晶片均為壓電陶瓷晶片，壓電陶 瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成。
[0007] 本實用新型的有益效果是，現(xiàn)有的超聲經(jīng)不同阻抗界面?zhèn)鞑?，將產(chǎn)生反射，會增加 能量損耗并影響分辨力，因此，本實用新型的雙晶縱波斜探頭，通過增加聲阻抗匹配層來實 現(xiàn)探頭與負載之間的匹配，提高探頭檢測精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0009] 圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖2是圖1中除去探頭和電感以及屏蔽外殼上表面后的俯視圖。
[0011] 圖3是本實用新型左晶片或右晶片的俯視圖。
[0012] 圖中：1、屏蔽外殼，2、左楔塊，3、右楔塊，4、隔聲層，5、左聲阻抗匹配層，6、右聲阻 抗匹配層，7、左晶片，8、右晶片，9、發(fā)射探頭，91、芯線柱，92、第一導線，93、第_導線，10、左 電感。

【具體實施方式】
[0013] 現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖， 僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0014] 如圖1、2所示，是本實用新型的實施例，一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼1，屏 蔽外殼1內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊2和右楔塊3,左楔塊2和右楔塊3之間設(shè)置有隔聲層4,左 楔塊2和右楔塊3的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊2和右楔塊3的上表面上分別設(shè) 置有左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6,左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6上分別 設(shè)置有左晶片7和右晶片8,左晶片7和右晶片8的底部還設(shè)置有金箔，屏蔽外殼1上還設(shè) 置有分別與左晶片7和右晶片8對應(yīng)的發(fā)射探頭9和接收探頭，發(fā)射探頭9內(nèi)的芯線柱91 引出有與左晶片7底部金箔連接的第一導線92,發(fā)射探頭9的外殼引出有與左晶片7上表 面連接的第二導線93,第一導線92和第二導線93之間并聯(lián)有左電感10,接收探頭內(nèi)的芯 線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連 接的第四導線，第三導線和第四導線之間并聯(lián)有右電感。
[0015] 左晶片7和右晶片8均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷 晶片陣列組成，小壓電陶瓷晶片之間通過粘接材料粘接復合，如圖3所示。左聲阻抗匹配層 5和右聲阻抗匹配層6混合有環(huán)氧樹脂、鎢粉和/或鋯粉材料。
[0016] 以上述依據(jù)本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項實用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項實 用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù) 性范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種雙晶縱波斜探頭，其特征在于：包括屏蔽外殼（1)，屏蔽外殼（1)內(nèi)并排設(shè)置有 左楔塊（2)和右楔塊（3)，所述的左楔塊（2)和右楔塊（3)之間設(shè)置有隔聲層（4)，左楔塊 (2)和右楔塊（3)的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊（2)和右楔塊（3)的上表面上分別 設(shè)置有左聲阻抗匹配層（5)和右聲阻抗匹配層（6)，左聲阻抗匹配層（5)和右聲阻抗匹配層 (6)上分別設(shè)置有左晶片（7)和右晶片（8)，左晶片（7)和右晶片（8)的底部還設(shè)置有金箔， 屏蔽外殼（1)上還設(shè)置有分別與左晶片（7)和右晶片（8)對應(yīng)的發(fā)射探頭（9)和接收探頭， 所述發(fā)射探頭（9)內(nèi)的芯線柱（91)引出有與左晶片（7)底部金箔連接的第一導線（92)，發(fā) 射探頭（9)的外殼引出有與左晶片（7)上表面連接的第二導線（93)，所述的第一導線（92) 和第二導線（93)之間并聯(lián)有左電感（10)，所述接收探頭內(nèi)的芯線柱引出有與右晶片底部 金箔連接的第三導線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導線，所述的第 三導線和第四導線之間并聯(lián)有右電感。
2. 如權(quán)利要求1所述的雙晶縱波斜探頭，其特征在于：所述的左晶片（7)和右晶片（8) 均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成。
【文檔編號】G01N29/24GK203838120SQ201420138836
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】周南岐, 王鉦清 申請人:常州市常超電子研究所有限公司