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      共模電流噪聲磁場探測裝置制造方法

      文檔序號:6051930閱讀:179來源:國知局
      共模電流噪聲磁場探測裝置制造方法
      【專利摘要】本實用新型提供一種共模電流噪聲磁場探測裝置,由金屬表層和金屬二層、金屬三層、金屬底層以及之間設置的介質(zhì)隔離層疊加組合,并通過其四周邊沿直線均勻分布的多個金屬軸銷緊固一體構(gòu)成一個測試底板,在測試底板上裝有兩個垂直并列的同軸電纜,在金屬表層和金屬二層以及金屬三層和金屬底上分別設置有不同的金屬走線或金屬導線。本實用新型可通過電磁感應把待測設備的磁場噪聲轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鳎偻ㄟ^同軸電纜連接的同軸線傳輸?shù)綔y量儀器,能整體屏蔽背景電磁噪聲和抑制差分線中差模電流磁場,提高測試效果的作用。
      【專利說明】共模電流噪聲磁場探測裝置
      【技術(shù)領域】
      [0001]本實用新型涉及一種電流噪聲探測裝置,具體的說是一種共模電流噪聲磁場探測裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電磁兼容(EMC)是指電氣及電子設備在共同的電磁環(huán)境中能夠執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài),即要求在同一電磁環(huán)境中的上述各種設備都能正常工作又互不干擾,達到兼容狀態(tài)。隨著各種電子設備、光電、計算機、通信及信息處理類設備的廣泛使用,使其應用的電磁環(huán)境越來越復雜,因而對各種電氣及電子設備的電磁兼容性要求越來越高,這些電氣及電子設備的電磁兼容性已成為產(chǎn)品交付時不可欠缺的重要指標之一,比如說CISPR(國際無線電干擾特別委員會)22中明確定義,在230ΜΗζ-1000ΜΗζ范圍內(nèi),CLASS (等級)A的設備的輻射場強必須小于57dBuV/m(dBuV是以分貝數(shù)表示的電壓值,dBuV/m即每米對應的電壓值)。
      [0003]隨著通信技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的器件和高速走線密度很高,芯片工作頻率很高已經(jīng)成為趨勢。這種發(fā)展趨勢對電子產(chǎn)品的EMC性能設計提出了更高的要求。電子產(chǎn)品外殼的屏蔽效能與頻率成反比關(guān)系,頻率越高,電子產(chǎn)品外殼屏蔽效能越低,因此,電子產(chǎn)品的高頻EMC性能已經(jīng)成為電子產(chǎn)品的瓶頸。
      [0004]在產(chǎn)品開發(fā)過程中,EMC預測試在整個產(chǎn)品的研制生產(chǎn)中是重要的測試手段,可及時檢驗產(chǎn)品的EMC設計是否合理,所采取的EMI (電磁干擾)抑制措施是否奏效,使設計人員盡快了解要進一步抑制干擾需要從哪些環(huán)節(jié)入手。因此,開發(fā)一種適用于各種電氣及電子設備內(nèi)部電磁環(huán)境摸底測試,能夠?qū)Ω哳l電磁場輻射發(fā)射(1GH-18GHZ)指標進行檢測的探頭裝置已很有必要。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本實用新型的目的在于提供一種共模電流噪聲磁場探測裝置,可克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的探頭頻率窄,無法區(qū)分共模電流噪聲和背景噪聲抑制差等諸多問題,具有靈敏度高、效果好的特點。
      [0006]本實用新型包括同軸電纜,所采用的技術(shù)方案在于:由金屬表層和金屬二層、金屬三層、金屬底層以及之間設置的介質(zhì)隔離層疊加組合,并通過其四周邊沿直線均勻分布的多個金屬軸銷緊固一體構(gòu)成一個測試底板,在測試底板上裝有兩個垂直并列的同軸電纜,所裝同軸電纜上端設有接頭,下端穿過金屬表層將內(nèi)芯焊接在金屬二層的導線頭上,在金屬表層和金屬二層以及金屬三層和金屬底層上分別設置有不同的金屬走線或金屬導線。
      [0007]上述技術(shù)方案中:金屬表層所設置的金屬走線順四周內(nèi)邊循環(huán)排列,中間部位在兩個同軸電纜兩側(cè)各形成一個相對排列的“幾”形結(jié)構(gòu)。
      [0008]金屬二層上的金屬走線順四周內(nèi)邊環(huán)狀設置,在金屬走線內(nèi)有一個“S”形金屬導線,金屬導線彎折至中間的兩個端頭是焊接內(nèi)芯的導線頭。
      [0009]金屬三層上設置有順四周內(nèi)邊的環(huán)狀金屬走線,中間有一個“I”字形的金屬走線。[0010]金屬底層上順四周內(nèi)邊有一個圈環(huán)狀金屬走線。
      [0011]所述同軸電纜是阻抗50歐姆的半鋼同軸電纜。
      [0012]本實用新型與傳統(tǒng)的磁場探頭技術(shù)相比較,具有如下顯著優(yōu)勢效果:由于采用數(shù)塊金屬塊層通過四周多個軸銷緊固連接,可形成四周為金屬體的屏蔽效果,加之分別設置不同的金屬走線和金屬導線,所構(gòu)成的裝置頻帶范圍可達到10GH,可單獨測試共模電流的噪聲,解決了現(xiàn)有技術(shù)中磁場探頭容易受背景電磁噪聲干擾的問題,具有屏蔽效果好、能有效抵制背景電磁噪聲、確保測試效果的真實等特點。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0013]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳述。
      [0014]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0015]圖2為本實用新型金屬二層結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0016]圖3為本實用新型金屬三層結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0017]圖4為本實用新型金屬底層結(jié)構(gòu)示意圖
      [0018]圖中:1、金屬表層,2、金屬二層,3、金屬三層,4、金屬底層,5、介質(zhì)隔離層,6、金屬軸銷,7、金屬走線,8、同軸電纜,9、內(nèi)芯,10、接頭,11、導線頭,12、金屬導線。
      【具體實施方式】
      [0019]圖1、2、3、4所不:由金屬表層I和金屬二層2、金屬三層3、金屬底層4以及之間設置的介質(zhì)隔離層5疊加組合,并通過其四周邊沿直線均勻分布的多個金屬軸銷6緊固一體構(gòu)成一個測試底板,在測試底板上裝有兩個垂直并列的同軸電纜8,所裝同軸電纜8上端設有接頭10,下端穿過金屬表層I將內(nèi)芯9焊接在金屬二層2的導線頭11上,在金屬表層I和金屬二層2以及金屬三層3和金屬底層4上分別設置有不同的金屬走線7或金屬導線12。金屬表層I所設置的金屬走線7順四周內(nèi)邊循環(huán)排列,中間部位在兩個同軸電纜8兩側(cè)各形成一個相對排列的“幾”形結(jié)構(gòu)。金屬二層2上的金屬走線7順四周內(nèi)邊環(huán)狀設置,在金屬走線7內(nèi)有一個“S”形金屬導線12,金屬導線12彎折至中間的兩個端頭是焊接內(nèi)芯9的導線頭11。金屬三層3上設置有順四周內(nèi)邊的環(huán)狀金屬走線7,中間有一個“I”字形的金屬走線7。金屬底層4上順四周內(nèi)邊有一個圈環(huán)狀金屬走線7。同軸電纜8是阻抗50歐姆的半鋼同軸電纜8。
      [0020]本實用新型中所涉及的金屬表層1、金屬二層2、金屬三層和金屬底層4為傳統(tǒng)的PCB,S卩:印刷電路板。介質(zhì)隔離層5為傳統(tǒng)印刷電路板中間的隔離夾層。
      【權(quán)利要求】
      1.一種共模電流噪聲磁場探測裝置,包括同軸電纜(8),其特征在于:由金屬表層(I)和金屬二層(2)、金屬三層(3)、金屬底層(4)以及之間設置的介質(zhì)隔離層(5)疊加組合,并通過其四周邊沿直線均勻分布的多個金屬軸銷(6)緊固一體構(gòu)成一個測試底板,在測試底板上裝有兩個垂直并列的同軸電纜(8),所裝同軸電纜(8)上端設有接頭(10),下端穿過金屬表層(I)將內(nèi)芯(9)焊接在金屬二層(2)的導線頭(11)上,在金屬表層(I)和金屬二層(2)以及金屬三層(3)和金屬底層(4)上分別設置有不同的金屬走線(7)或金屬導線(12)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模電流噪聲磁場探測裝置,其特征在于:金屬表層(I)所設置的金屬走線(7)順四周內(nèi)邊循環(huán)排列,中間部位在兩個同軸電纜(8)兩側(cè)各形成一個相對排列的“幾”形結(jié)構(gòu)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模電流噪聲磁場探測裝置,其特征在于:金屬二層(2)上的金屬走線(7)順四周內(nèi)邊環(huán)狀設置,在金屬走線(7)內(nèi)有一個“S”形金屬導線(12),金屬導線(12)彎折至中間的兩個端頭是焊接內(nèi)芯(9)的導線頭(11)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模電流噪聲磁場探測裝置,其特征在于:金屬三層(3)上設置有順四周內(nèi)邊的環(huán)狀金屬走線(7),中間有一個“I”字形的金屬走線(7)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模電流噪聲磁場探測裝置,其特征在于:金屬底層(4)上順四周內(nèi)邊有一個圈環(huán)狀金屬走線(7)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模電流噪聲磁場探測裝置,其特征在于:所述同軸電纜(8)是阻抗50歐姆的半鋼同軸電纜(8)。
      【文檔編號】G01R29/26GK203759138SQ201420166494
      【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月4日
      【發(fā)明者】李剛, 胡旭, 胡明華 申請人:湖北文理學院
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