激光勘查裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，包括：多個(gè)半導(dǎo)體激光單元，以陣列方式設(shè)置在底座上；匯聚反射鏡，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光匯聚到出光口以形成出射光束；和調(diào)焦透鏡部件，設(shè)置在出光口，調(diào)焦透鏡部件用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)。本實(shí)用新型的激光勘查裝置在勘探過程中不會(huì)破壞痕跡。
【專利說明】激光勘查裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及勘查【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及激光勘查裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 公安刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查中需要發(fā)現(xiàn)的痕跡包括大量生物質(zhì)痕跡、例如血液、吐液、精 液、汗液等等，現(xiàn)場(chǎng)勘查光源既要保證能夠有效發(fā)現(xiàn)這些痕跡又要保證現(xiàn)場(chǎng)勘查光源發(fā)射 的光束單位面積能量不能太大否則會(huì)破壞生物質(zhì)痕跡包含的DNA、這種要求從技術(shù)上可分 為兩個(gè)指標(biāo)、一方面要求就是發(fā)射光源在痕跡的熒光激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)要足夠亮從而激發(fā)出 痕跡較亮的熒光、另一方面要求發(fā)射光源的光能量單位面積內(nèi)不能太大、不會(huì)破壞生物質(zhì) 痕跡中的DNA。
[0003] 由于激光是一種相干光源、激光束具有很強(qiáng)的散斑特性，也就是激光束的能量不 是均勻分布的、是匯聚到各個(gè)散斑點(diǎn)上的，在很小的散斑點(diǎn)上集中了大部分的激光能量，現(xiàn) 有技術(shù)中采用單一激光器發(fā)射的激光束其散斑點(diǎn)的能量與激光發(fā)射功率成正比、大功率的 激光束、會(huì)在這些散斑點(diǎn)上形成局部燒灼現(xiàn)象、對(duì)保護(hù)DNA非常不利。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 本實(shí)用新型的一個(gè)目的是要提供一種不會(huì)破壞痕跡的激光勘查裝置。
[0005] 本實(shí)用新型提供了一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，包括：多個(gè)半導(dǎo) 體激光單元，以陣列方式設(shè)置在底座上；匯聚反射鏡，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反 射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光匯聚到出光口以形成出射光束；和調(diào)焦透鏡部件，設(shè)置 在出光口，調(diào)焦透鏡部件用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0006] 進(jìn)一步地，底座具有按陣列分布的安裝槽，半導(dǎo)體激光單元設(shè)置在安裝槽內(nèi)；半導(dǎo) 體激光單元包括：半導(dǎo)體激光管和套設(shè)在半導(dǎo)體激光管上的準(zhǔn)直透鏡。
[0007] 進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈階梯 狀，反射鏡面每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡，拋物面反射鏡的數(shù)量與半導(dǎo)體激 光單元的數(shù)量相同，并且每個(gè)拋物面反射鏡與每個(gè)半導(dǎo)體激光單元的位置一一對(duì)應(yīng)以反射 半導(dǎo)體激光單元發(fā)射的激光。
[0008] 進(jìn)一步地，拋物面反射鏡的形狀計(jì)算公式為：Y2 = 2PX ;其中，P為拋物面系數(shù)，范 圍是100mm至100mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Υ為拋物面凹陷部分的深度。
[0009] 進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元陣列的一面為反射鏡面，反射鏡面呈 階梯狀，反射鏡面的階梯面與半導(dǎo)體激光單元對(duì)應(yīng)設(shè)置，反射鏡面的階梯面對(duì)一排半導(dǎo)體 激光單元發(fā)射的激光進(jìn)行反射。
[0010] 進(jìn)一步地，匯聚反射鏡朝向半導(dǎo)體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈拋物 面狀。
[0011] 進(jìn)一步地，反射鏡面的拋物面的計(jì)算公式為：Y2 = 2PX ;其中，P為拋物面系數(shù)，范 圍是100mm至500mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Υ為拋物面凹陷部分的深度。
[0012] 進(jìn)一步地，每個(gè)半導(dǎo)體激光單元的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)反射鏡面的中心。
[0013] 進(jìn)一步地，半導(dǎo)體激光單元傾斜安裝在底座上，半導(dǎo)體激光單元與底座所在平面 之間的安裝角度為60度至120度。
[0014] 進(jìn)一步地，激光勘查裝置還包括冷卻風(fēng)扇和電源，冷卻風(fēng)扇連接在底座上，冷卻風(fēng) 扇朝向半導(dǎo)體激光單元進(jìn)行吹風(fēng)，電源通過導(dǎo)線連接半導(dǎo)體激光單元。
[0015] 與傳統(tǒng)光源例如LED光源、鹵素?zé)艄庠聪啾龋罕緦?shí)施例采用激光技術(shù)、發(fā)射的激光 具有極窄的發(fā)射帶寬、一方面在特定激發(fā)波長(zhǎng)內(nèi)形成高亮度滿足痕跡熒光激發(fā)的要求、另 一方面利用激光發(fā)射波普窄的特點(diǎn)降低發(fā)射光束的能量、滿足保護(hù)生物質(zhì)DNA的要求、例 如常用405nm激發(fā)波長(zhǎng)、激光光源發(fā)射光束的能量集中在405nm激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)、而在其他 非激發(fā)波長(zhǎng)上分布的能量極小、在同等熒光激發(fā)強(qiáng)度的情況下激光光源發(fā)射的激光束能量 只是傳統(tǒng)光源發(fā)射的激發(fā)光束的1/10、有利于保護(hù)DNA、有效實(shí)現(xiàn)生物質(zhì)痕跡勘查的要求。
[0016] 根據(jù)下文結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型具體實(shí)施例的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)更 加明了本實(shí)用新型的上述以及其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 后文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細(xì)描述本實(shí)用新型的一些具體實(shí) 施例。附圖中相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示了相同或類似的部件或部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解， 這些附圖未必是按比例繪制的。附圖中：
[0018] 圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的示意圖；
[0019] 圖2是圖1所示激光勘查裝置的另一個(gè)方向的示意圖；
[0020] 圖3是圖1所示激光勘查裝置的半導(dǎo)體激光單元的示意圖；
[0021] 圖4是圖1所示激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；
[0022] 圖5是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；
[0023] 圖6是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖7是圖6所示激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的激光勘查裝置的示意圖。本實(shí)施例的激光勘 查裝置發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，裝置具體包括底座10、調(diào)焦透鏡部件20、多個(gè)半導(dǎo)體激 光單元30和匯聚反射鏡40,其中，多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30以陣列方式設(shè)置在底座10上，匯 聚反射鏡40設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方，匯聚反射鏡40反射多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30 發(fā)射的激光匯聚到出光口 22以形成出射光束，調(diào)焦透鏡部件20設(shè)置在出光口 22,調(diào)焦透鏡 部件20用于對(duì)出射光束進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)焦透鏡部件20可以對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行調(diào)節(jié)， 形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的發(fā)射光。
[0026] 底座10具有按陣列分布的安裝槽，半導(dǎo)體激光單元30設(shè)置在安裝槽內(nèi)。半導(dǎo)體 激光單元30包括半導(dǎo)體激光管301和套設(shè)在半導(dǎo)體激光管301上的準(zhǔn)直透鏡302,具體參 見圖3。
[0027] 參見圖2和圖4,本實(shí)施例中的匯聚反射鏡40朝向半導(dǎo)體激光單元30的一面為反 射鏡面41，反射鏡面41呈階梯狀，反射鏡面41每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡 42,拋物面反射鏡42的數(shù)量與半導(dǎo)體激光單元30的數(shù)量相同，并且每個(gè)拋物面反射鏡42 與每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30的位置一一對(duì)應(yīng)以反射半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光。
[0028] 本實(shí)施例中拋物面反射鏡42的形狀需要可以將排成陣列的每個(gè)半導(dǎo)體激光單元 30發(fā)出的激光反射到出光口，本實(shí)施例的拋物面反射鏡42的形狀計(jì)算公式為：Y 2 = 2PX。 其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是100mm至100mm之間。X為拋物面凹陷部分的半徑。Y為拋 物面凹陷部分的深度。上述的X、P未在圖中示出，但其代表拋物面反射鏡42的拋物面凹陷 部分的數(shù)值。
[0029] 進(jìn)一步優(yōu)選地，激光勘查裝置還包括冷卻風(fēng)扇50和電源60,冷卻風(fēng)扇50連接在底 座10上，冷卻風(fēng)扇50朝向半導(dǎo)體激光單元30進(jìn)行吹風(fēng)，電源60通過導(dǎo)線連接半導(dǎo)體激光 單元30。
[0030] 本實(shí)施例的激光勘查裝置的半導(dǎo)體激光單元30的陣列發(fā)出激光束，形成陣列的 激光束發(fā)射到匯聚反射鏡40的反射鏡面41上，每一單獨(dú)的激光束發(fā)射到拋物面反射鏡42 進(jìn)行反射，并且匯聚到進(jìn)光口 21處，并經(jīng)過設(shè)置在進(jìn)光口 21處的散射片進(jìn)行混合，混合后 通過出光口 22的調(diào)焦透鏡部件20對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行調(diào)節(jié)形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的 發(fā)射光束。
[0031] 本實(shí)施例用于在刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查的激光勘查裝置具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0032] 第一：與傳統(tǒng)光源例如LED光源、齒素?zé)艄庠聪啾龋罕緦?shí)施例米用激光技術(shù)、發(fā)射 的激光具有極窄的發(fā)射帶寬、一方面在特定激發(fā)波長(zhǎng)內(nèi)形成高亮度滿足痕跡熒光激發(fā)的要 求、另一方面利用激光發(fā)射波普窄的特點(diǎn)降低發(fā)射光束的能量、滿足保護(hù)生物質(zhì)DNA的要 求、例如常用405nm激發(fā)波長(zhǎng)、激光光源發(fā)射光束的能量集中在405nm激發(fā)波長(zhǎng)范圍內(nèi)、而 在其他非激發(fā)波長(zhǎng)上分布的能量極小、在同等熒光激發(fā)強(qiáng)度的情況下激光光源發(fā)射的激光 束能量只是傳統(tǒng)光源發(fā)射的激發(fā)光束的1/10、有利于保護(hù)DNA、有效實(shí)現(xiàn)生物質(zhì)痕跡勘查 的要求。
[0033] 第二：與傳統(tǒng)的單一激光器光源相比：由于激光是一種相干光源、激光束具有很 強(qiáng)的散斑特性，也就是激光束的能量不是均勻分布的、是匯聚到各個(gè)散斑點(diǎn)上的，在很小的 散斑點(diǎn)上集中了大部分的激光能量，采用單一激光器發(fā)射的激光束其散斑點(diǎn)的能量與激光 發(fā)射功率成正比、大功率的激光束、會(huì)在這些散斑點(diǎn)上形成局部燒灼現(xiàn)象、同樣對(duì)保護(hù)DNA 非常不利。與上述單一激光器的光源相比、本實(shí)施例的激光勘查裝置采用小功率的半導(dǎo)體 激光單元30以陣列方式構(gòu)成激光光源、由于散斑是單個(gè)激光器發(fā)射的光束自相干形成的、 各個(gè)不同的激光器發(fā)射的激光束不會(huì)再次相干形成散斑、因此其散斑點(diǎn)的能量只與單個(gè)半 導(dǎo)體激光管1的功率成正比、而與整體的半導(dǎo)體激光陣列的總功率無關(guān)。因此半導(dǎo)體激光 單元30只要選擇的半導(dǎo)體激光管301功率小、半導(dǎo)體激光管301的個(gè)數(shù)足夠多就可以發(fā)射 足夠大的激發(fā)光功率，而又不會(huì)因?yàn)樯叨纬删植繜?，這樣克服了傳統(tǒng)單個(gè)激光器激 光光源用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的障礙，以滿足生物質(zhì)痕跡的現(xiàn)場(chǎng)勘查要求。
[0034] 第三：與傳統(tǒng)大功率半導(dǎo)體集成激光器相比：傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成激光器是將多個(gè)小 功率半導(dǎo)體激光器集成到一個(gè)芯片上構(gòu)成大功率激光光源、這種激光器在光束特性上與本 實(shí)施例提供的光源類似、但是這種集成激光器存在嚴(yán)重的熱冗問題、散熱要求非常高、為了 有效實(shí)現(xiàn)散熱需要極其復(fù)雜的輔助設(shè)備才能正常工作、整個(gè)激光器體積大、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本 高昂、無法滿足在刑偵現(xiàn)場(chǎng)或者狹窄現(xiàn)場(chǎng)中，勘查裝置體積小、堅(jiān)固耐用、成本低的要求。本 實(shí)施例的激光勘查裝置利在底座10上將半導(dǎo)體激光單元30以組合陣列的方式進(jìn)行排列， 避免了激光管集成產(chǎn)生的熱冗問題，只要恰當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)底座的散熱比率，就可以簡(jiǎn)單地將多 個(gè)小功率半導(dǎo)體激光單元組合成大功率半導(dǎo)體激光陣列，達(dá)到結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、堅(jiān)固耐 用的效果。
[0035] 綜上，本實(shí)用新型的激光勘查光源可以滿足刑偵現(xiàn)場(chǎng)勘查中的生物痕跡搜索、指 紋搜索、痕跡拍攝等多方面的應(yīng)用、并且具有效率高、性能可靠、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
[0036] 本實(shí)用新型還提供了激光勘查裝置的另一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例的激光勘查裝置與 上述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別僅在于匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)，主體結(jié)構(gòu)參見上述實(shí)施 例的結(jié)構(gòu)，匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)參見圖5,具體地，匯聚反射鏡40朝向半導(dǎo)體激光單元陣 列的一面為反射鏡面41，反射鏡面41呈階梯狀，反射鏡面41的階梯面與半導(dǎo)體激光單元 30對(duì)應(yīng)設(shè)置，反射鏡面41的階梯面對(duì)一排半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光進(jìn)行反射?？梢?理解為與上述的實(shí)施例的區(qū)別在于匯聚反射鏡40僅通過階梯狀的反射鏡面41進(jìn)行反射激 光，當(dāng)然需要說明的是，階梯狀的反射鏡面具有多個(gè)階梯面，每個(gè)階梯面均對(duì)應(yīng)一排半導(dǎo)體 激光單元，如果半導(dǎo)體激光單元的陣列排布是五排兩列，那么階梯面也設(shè)置成5個(gè)面，分別 對(duì)每一排的半導(dǎo)體激光單元進(jìn)行反射激光。本實(shí)施例的匯聚反射鏡40同樣可以達(dá)到反射 激光束到出光口的效果。
[0037] 本實(shí)用新型還提供了激光勘查裝置的另一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例的激光勘查裝置與 上述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，參見圖6,本實(shí)施例的激光勘查裝置包括底座10、調(diào)焦透鏡 部件（未示出）、多個(gè)半導(dǎo)體激光單元30和匯聚反射鏡40。區(qū)別僅在于匯聚反射鏡40的 結(jié)構(gòu)，主體結(jié)構(gòu)參見上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，匯聚反射鏡40的結(jié)構(gòu)參見圖7,匯聚反射鏡40朝向 半導(dǎo)體激光單元30的一面為反射鏡面41，反射鏡面41呈拋物面狀。
[0038] 反射鏡面41的拋物面的計(jì)算公式為：Y2 = 2PX ;其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是 100mm至500mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Y為拋物面凹陷部分的深度。
[0039] 為了保證激光束發(fā)射到拋物面狀的反射鏡面41上后、經(jīng)過反射將陣列的激光束 反射到出光口形成發(fā)射光束，因此，將每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)反射鏡 面41的中心。半導(dǎo)體激光單元30傾斜安裝在底座10上，半導(dǎo)體激光單元30與底座10所 在平面之間的安裝角度為60度至120度。
[0040] 形成陣列的每個(gè)半導(dǎo)體激光單元30發(fā)射的激光束都對(duì)準(zhǔn)拋物面狀的反射鏡面41 的中心形成匯聚的陣列激光束，陣列激光束發(fā)射反射鏡面41上，拋物面狀的反射鏡面41將 半導(dǎo)體激光單元30的光束整形成聚焦光束，并且反射并聚焦到進(jìn)光口處，并經(jīng)過設(shè)置在進(jìn) 光口處的散射片進(jìn)行混合，混合后通過出光口的調(diào)焦透鏡部件對(duì)發(fā)射光束的發(fā)射角度進(jìn)行 調(diào)節(jié)形成適合現(xiàn)場(chǎng)勘查用的發(fā)射光束。
[0041] 至此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，雖然本文已詳盡示出和描述了本實(shí)用新型的多 個(gè)示例性實(shí)施例，但是，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的情況下，仍可根據(jù)本實(shí)用新型公 開的內(nèi)容直接確定或推導(dǎo)出符合本實(shí)用新型原理的許多其他變型或修改。因此，本實(shí)用新 型的范圍應(yīng)被理解和認(rèn)定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。
【權(quán)利要求】
1. 一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場(chǎng)勘查的光束，其特征在于，包括： 多個(gè)半導(dǎo)體激光單元（30)，以陣列方式設(shè)置在底座（10)上； 匯聚反射鏡（40)，設(shè)置在半導(dǎo)體激光單元陣列上方以反射所述多個(gè)半導(dǎo)體激光單元 (30)發(fā)射的激光匯聚到出光口（22)以形成出射光束；和 調(diào)焦透鏡部件（20)，設(shè)置在所述出光口（22)，調(diào)焦透鏡部件（20)用于對(duì)所述出射光束 進(jìn)行調(diào)節(jié)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述底座（10)具有按陣列分布的安裝槽，所述半導(dǎo)體激光單元（30)設(shè)置在所述安裝 槽內(nèi)； 所述半導(dǎo)體激光單元（30)包括：半導(dǎo)體激光管（301)和套設(shè)在所述半導(dǎo)體激光管 (301)上的準(zhǔn)直透鏡（302)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述匯聚反射鏡（40)朝向所述半導(dǎo)體激光單元（30)的一面為反射鏡面（41)，所述反 射鏡面（41)呈階梯狀，所述反射鏡面（41)每個(gè)階梯面上均設(shè)置有多個(gè)拋物面反射鏡（42)， 所述拋物面反射鏡（42)的數(shù)量與所述半導(dǎo)體激光單元（30)的數(shù)量相同，并且每個(gè)所述拋 物面反射鏡（42)與每個(gè)所述半導(dǎo)體激光單元（30)的位置一一對(duì)應(yīng)以反射所述半導(dǎo)體激光 單元（30)發(fā)射的激光。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述拋物面反射鏡（42)的形狀 計(jì)算公式為：Y2 = 2PX;其中， P為拋物面系數(shù)，范圍是100mm至100mm之間； X為所述拋物面凹陷部分的半徑； Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光勘查裝置，其特征在于， 所述匯聚反射鏡（40)朝向所述半導(dǎo)體激光單元陣列的一面為反射鏡面（41)，所述反 射鏡面（41)呈階梯狀，所述反射鏡面（41)的階梯面與所述半導(dǎo)體激光單元（30)對(duì)應(yīng)設(shè) 置，所述反射鏡面（41)的階梯面對(duì)一排所述半導(dǎo)體激光單元（30)發(fā)射的激光進(jìn)行反射。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述匯聚反射鏡（40)朝向所述 半導(dǎo)體激光單元（30)的一面為反射鏡面（41)，所述反射鏡面（41)呈拋物面狀。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述反射鏡面（41)的拋物面的 計(jì)算公式為：Y2 = 2PX;其中， P為拋物面系數(shù)，范圍是100mm至500mm之間； X為所述拋物面凹陷部分的半徑； Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光勘查裝置，其特征在于，每個(gè)所述半導(dǎo)體激光單元（30) 的激光發(fā)射方向?qū)?zhǔn)所述反射鏡面（41)的中心。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光單元（30)傾斜 安裝在所述底座（10)上，所述半導(dǎo)體激光單元（30)與所述底座（10)所在平面之間的安裝 角度為60度至120度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述激光勘查裝置還包括冷卻 風(fēng)扇（50)和電源（60)，所述冷卻風(fēng)扇（50)連接在所述底座（10)上，所述冷卻風(fēng)扇（50)朝 向所述半導(dǎo)體激光單元（30)進(jìn)行吹風(fēng)，所述電源￠0)通過導(dǎo)線連接所述半導(dǎo)體激光單元 (30)。
【文檔編號(hào)】G01N21/01GK203870008SQ201420253423
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月16日
【發(fā)明者】李陽, 楊洋 申請(qǐng)人:李陽, 楊洋