離子電位分析儀的制作方法
【專利摘要】離子電位分析儀，包括：離子電位轉(zhuǎn)化裝置，正離子電位分析裝置，負離子電位分析裝置，其中，結(jié)合離子電位轉(zhuǎn)化裝置用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，采用正離子電位分析裝置用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，通過負離子電位分析裝置進行負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，所述的離子電位轉(zhuǎn)化裝置含有電位轉(zhuǎn)化膜；所述的正離子電位分析裝置含有正離子電位電極。
【專利說明】 離子電位分析儀

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電位分析領(lǐng)域，尤其涉及離子電位分析儀。

【背景技術(shù)】
[0002]離子電位分析技術(shù)，主要是通過實際離子晶體中形成原子的熱運動形成，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域，與完整周期性點陣結(jié)構(gòu)的偏離，破壞了晶體的對稱性，缺陷對晶體的物理性質(zhì)具有極其重要的影響，為面缺陷、線缺陷和點缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯和孿晶間界屬面缺陷，晶粒間界多晶體中晶粒之間的交界面。堆垛層錯晶體中原子面的堆垛順序出現(xiàn)反造成的缺陷，影響層錯面附近晶體結(jié)構(gòu)，不影響其他區(qū)域的原子層堆垛順序，孿晶晶體中相毗鄰兩部分互為鏡像，線缺陷主位錯的存在對晶體的力學(xué)性質(zhì)機翼各種物理性質(zhì)有影響。
[0003]但是由于離子晶格中的某些原子由于某種原因(如熱振動的偶然偏差)脫離其晶格結(jié)點而轉(zhuǎn)移到晶格間隙時會造成點缺陷，使得離子電位分析技術(shù)的精確程度受到影響，因此，有必要改進現(xiàn)有的離子電位分析技術(shù)，提高其分析精確度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有裝置的不足之處，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0005]離子電位分析儀，包括:離子電位轉(zhuǎn)化裝置⑵，正離子電位分析裝置⑷，負離子電位分析裝置(5)，其中，結(jié)合離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，采用正離子電位分析裝置(4)用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，通過負離子電位分析裝置(5)進行負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，其特征在于，所述的離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)含有電位轉(zhuǎn)化膜；所述的正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極；所述的負離子電位分析裝置(5)含有負離子電位電極。
[0006]樣品離子化裝置(I)主要用于樣品的晶格破碎以及溶液離子轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)樣品離子的溶液傳導(dǎo)與正負離子形成，離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)主要用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，電勢傳導(dǎo)裝置(3)主要用于提供電位傳導(dǎo)溶液介質(zhì)以及離子電勢的穩(wěn)定形成，正離子電位分析裝置(4)主要用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，負離子電位分析裝置
(5)主要用于負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾。
[0007]電位校正裝置(6)主要用于離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢不穩(wěn)定波動；電位轉(zhuǎn)化裝置(7)主要用于離子電位的轉(zhuǎn)化，有利于提高離子電層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定建立；信號放大裝置(8)主要用于離子電位信號傳導(dǎo)放大以及高質(zhì)量輸送，信號穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置(9)主要用于離子信號的電位穩(wěn)定變換以及離子膜電位穩(wěn)定，信號顯示記錄裝置(10)主要用于離子電位信號顯示以及分析結(jié)果記錄。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:
[0009](I)通過正離子電位分析裝置實現(xiàn)正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾；
[0010](2)采用負離子電位分析裝置用于負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾；
[0011](3)結(jié)合電位校正裝置進行離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢不穩(wěn)定波動。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是離子電位分析儀的示意圖
[0013]如圖1所示，本發(fā)明所述的離子電位分析儀，主要包括:
[0014]I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉(zhuǎn)化裝置，3—電勢傳導(dǎo)裝置，
[0015]4—正離子電位分析裝置，5—負離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，
[0016]7-電位轉(zhuǎn)化裝置，8—信號放大裝置，9一信號穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置，
[0017]10—信號顯示記錄裝置；
[0018]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細的描述。

【具體實施方式】
[0019]首先，通過樣品離子化裝置(I)進行樣品的晶格破碎以及溶液離子轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)樣品離子的溶液傳導(dǎo)與正負離子形成，結(jié)合離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，借助于電勢傳導(dǎo)裝置(3)提供電位傳導(dǎo)溶液介質(zhì)以及離子電勢的穩(wěn)定形成，采用正離子電位分析裝置(4)用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，通過負離子電位分析裝置(5)進行負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，結(jié)合電位校正裝置(6)實現(xiàn)離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢不穩(wěn)定波動；采用電位轉(zhuǎn)化裝置(7)進行離子電位的轉(zhuǎn)化，有利于提高離子電層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定建立；借助于信號放大裝置(8)用于離子電位信號傳導(dǎo)放大以及高質(zhì)量輸送，通過信號穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置(9)進行離子信號的電位穩(wěn)定變換以及離子膜電位穩(wěn)定，最后，采用信號顯示記錄裝置(10)實現(xiàn)離子電位信號顯示以及分析結(jié)果記錄。
【權(quán)利要求】
1.離子電位分析儀，包括:離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)，正離子電位分析裝置(4)，負離子電位分析裝置(5)，其中，結(jié)合離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)用于樣品離子的電勢差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，采用正離子電位分析裝置(4)用于正離子電位分析以及正離子電勢的標準溶液體系校正，消除正離子電勢基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，通過負離子電位分析裝置(5)進行負離子電位分析以及負離子電勢的標準溶液體系校正，消除負離子電勢基線漂移以及離子擴散引起的電位干擾，其特征在于，所述的離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)含有電位轉(zhuǎn)化膜；所述的正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極；所述的負離子電位分析裝置(5)含有負離子電位電極。
【文檔編號】G01N27/00GK204064989SQ201420301631
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月8日
【發(fā)明者】儲冬紅, 彭飛 申請人:衢州普林千葉電子科技有限公司