電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型給出了一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器、第一鉑片、第二鉑片、參比電極、負(fù)載、隔離片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及樣品，其中，所述樣品、第二鉑片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉑片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉑片上放置有隔離片，隔離片正對樣品的位置上放置有負(fù)載，在隔離片遠(yuǎn)離樣品的一端放置有硅片，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。本實(shí)用新型提出的電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，能夠?qū)圻量悠返碾娀瘜W(xué)驅(qū)動響應(yīng)進(jìn)行精確測量，從而能夠?qū)圻量┑碾娀瘜W(xué)驅(qū)動性能進(jìn)行深入研究和分析。
【專利說明】 電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及電化學(xué)驅(qū)動領(lǐng)域，尤其涉及一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]對于聚吡咯來說，由于在電化學(xué)氧化或還原態(tài)轉(zhuǎn)換的時候，為了保持其電中性，會導(dǎo)致內(nèi)部離子的增加或損失，從而引起聚吡咯體積的變化。對于小離子摻雜的聚吡咯來說，在電化學(xué)還原的過程中(負(fù)電位驅(qū)動)，陰離子(A-)將被排出聚吡咯結(jié)構(gòu)，從而引起體積的收縮。反之，如果在正電位的驅(qū)動下，那么在聚吡咯的結(jié)構(gòu)中就會插入一些小的移動陰離子，維持其電中性，從而使其體積膨脹。本實(shí)用新型提出一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，能夠?qū)圻量悠返碾娀瘜W(xué)驅(qū)動響應(yīng)進(jìn)行精確測量，從而能夠?qū)圻量┑碾娀瘜W(xué)驅(qū)動性能進(jìn)行深入研究和分析。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器、第一鉬片、第二鉬片、參比電極、負(fù)載、隔離片、支撐片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及樣品，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有隔離片，隔離片正對樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離片上，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。
[0004]電源的正極接所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。
[0005]所述參比電極可以是Ag或AgCl。
[0006]所述隔離片是玻璃片。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0008]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2為采用本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置進(jìn)行測量時的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0011]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實(shí)施例的電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，包括盛有電解質(zhì)的容器1、第一鉬片2、第二鉬片3、參比電極4、負(fù)載5、隔離片6、支撐片7、硅片8、激光源9、位移傳感器10、電源(圖中未給出)以及樣品11，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有隔離片，隔離片正對樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離片上，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。所述電源的正極接所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。所述參比電極可以是Ag或AgCl。所述隔離片是玻璃片。
[0012]驅(qū)動響應(yīng)的計(jì)算過程如下，如圖2所示，定義L為三維石墨烯/聚吡咯樣品的原始高度，AL為高度上的驅(qū)動響應(yīng)變化量，D為硅片與樣品和支撐玻璃片接觸點(diǎn)間的距離，d為C⑶上接收的位移變化值，I為激光入射點(diǎn)到CXD的距離，α為硅片旋轉(zhuǎn)的角度值。那么根據(jù)反射定律可知，當(dāng)入射光線一定，鏡面旋轉(zhuǎn)α角時，反射光線旋轉(zhuǎn)2α角度，因此從圖1中可知:
[0013]sin a = d/21
[0014]tan α = Δ L/D
[0015]在此次測量中，令I(lǐng) (約0.9m_lm) >> d(約0.lmm-lmm),于是有:
[0016]α sin α tan α
[0017]從而可推出:
[0018]AL = Dd/21
[0019]因此，驅(qū)動響應(yīng)應(yīng)變?yōu)?
[0020]Strain (% ) = Δ L/L = Dd/2L1
[0021]上式中，D，L，I均可測量得到，d可在CXD軟件中讀取數(shù)值。
[0022]最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，其特征在于，所述裝置包括盛有電解質(zhì)的容器、第一鉬片、第二鉬片、參比電極、負(fù)載、隔離片、支撐片、硅片、激光源、位移傳感器、電源以及樣品，其中，所述樣品、第二鉬片以及參比電極均放置于所述容器中，且樣品的高度略高于電解質(zhì)液面，所述第一鉬片放置在所述樣品的上表面，所述第一鉬片上放置有隔離片，隔離片正對樣品的位置上放置有負(fù)載，所述硅片搭在遠(yuǎn)離樣品的支撐片以及隔離片上，所述激光源的發(fā)射的激光照射在所述硅片上，所述位移傳感器用于接收被所述硅片反射的激光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，其特征在于，電源的正極接所述樣品，電源的負(fù)極接所述第二鉬片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，其特征在于，所述參比電極可以是Ag或AgCl。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電化學(xué)驅(qū)動響應(yīng)測量裝置，其特征在于，所述隔離片和支持片采用玻璃片。
【文檔編號】G01N27/26GK204116268SQ201420434046
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】卓朝旦 申請人:奉化市宇創(chuàng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)有限公司