用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具的制作方法
【專利摘要】用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，涉及模流痕檢測(cè)領(lǐng)域。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有模流痕的檢測(cè)需搭配框架，不同的封裝形式需使用不同的模具模擬測(cè)試，操作模次多，驗(yàn)證效果不明顯的問(wèn)題。用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，它包括模具本體；模具本體包括上模塊和下模塊；上模塊設(shè)置有上模塊鑲條；下模塊設(shè)置有與上模塊鑲條配合使用的下模塊鑲條；下模塊鑲條由進(jìn)膠通道和行腔部組成；行腔部分為多種行腔部功能區(qū)；下模塊鑲條采用其中的任意一種行腔部功能區(qū)或多種行腔部功能區(qū)。本實(shí)用新型可一次性驗(yàn)證環(huán)氧模塑料在不同的封裝形式的模流痕的狀況，降低耗材成本，操作模次少，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高驗(yàn)證效率，大幅縮短驗(yàn)證周期，驗(yàn)證效果十分明顯。
【專利說(shuō)明】
用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及模流痕檢測(cè)領(lǐng)域，特別是涉及用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具。

【背景技術(shù)】
[0002]新開(kāi)發(fā)環(huán)氧模塑料于客戶端封裝時(shí)，會(huì)產(chǎn)生模流痕，這就需要在封裝前先模擬驗(yàn)證模流痕的狀況，而原有的環(huán)氧模塑料模流痕多發(fā)生在本體較大的封裝形式上，故檢測(cè)環(huán)氧模塑料模流痕的模具通常以客戶要求的封裝形式為主，且模具上配以裸銅或鍍銀的框架，進(jìn)行模擬測(cè)試。原有的環(huán)氧模塑料模流痕的檢測(cè)需搭配框架的使用，模擬測(cè)試成本相對(duì)較高，不同的封裝形式使用不同的模具模擬測(cè)試，操作模次多，耗費(fèi)人力及框架成本，且驗(yàn)證效果不明顯。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，它包括模具本體；所述的模具本體包括上模塊和下模塊；所述的上模塊設(shè)置有上模塊鑲條；所述的下模塊設(shè)置有與上模塊鑲條配合使用的下模塊鑲條；所述的下模塊鑲條由位于中間位置的進(jìn)膠通道和位于兩邊位置的行腔部組成；所述的行腔部通過(guò)流道與進(jìn)膠通道連通；所述的行腔部一個(gè)或多個(gè)行腔組成；所述的行腔呈凹槽結(jié)構(gòu)；所述的行腔底部表面上設(shè)置有模擬芯片；所述的模擬芯片的表面設(shè)置有鍍鉻亮面層；所述的行腔除模擬芯片的其他表面上設(shè)置有毛面材質(zhì)層；所述的行腔部按模擬芯片封裝形式可分為多種行腔部功能區(qū)；所述的下模塊鑲條采用其中的任意一種行腔部功能區(qū)或多種行腔部功能區(qū)。
[0005]所述的行腔部功能區(qū)包括模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)、模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)、模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)和模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)；所述的下模塊鑲條采用其中的任意一種行腔部功能區(qū)、任意兩種行腔部功能區(qū)或四種行腔部功能區(qū)且呈對(duì)稱式分布在下模塊鑲條的兩邊。
[0006]所述的模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)設(shè)置有3 X 3呈陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為22X 10_ ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為11X5X0.30mm的用于模擬封裝TSSOP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.12mm。
[0007]所述的模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)設(shè)置有3X3呈陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為18X 12_ ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為16.3X10.4X0.30mm的用于模擬封裝LQFP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.15mm。
[0008]所述的模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)設(shè)置單一行腔；所述的行腔的尺寸為53X50mm;所述的行腔底部表面上設(shè)置有并列兩排、每排四個(gè)的大小為12X10X0.38mm的用于模擬封裝SD卡的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.15mm0
[0009]所述的模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)設(shè)置有并列四行、每行五個(gè)的陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為10X6_ ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為2.29X2.22X0.33mm的用于模擬封裝DIP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.18mm。
[0010]上述的TSSOP、LQFP、DIP、SD卡皆代表封裝形式。
[0011]工作原理:采用模擬芯片的方式來(lái)進(jìn)行模仿真實(shí)封裝，合模后，對(duì)行腔部功能區(qū)注膠后，開(kāi)模，脫料，得到樣品，將得到的樣品進(jìn)行模流痕的檢測(cè)；模擬芯片的表面設(shè)置有鍍鉻亮面層；行腔除模擬芯片的其他表面上設(shè)置有毛面材質(zhì)層，可從正反兩面模擬驗(yàn)證模流痕的狀況。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具可以一次性有效的驗(yàn)證環(huán)氧模塑料在不同的封裝形式中產(chǎn)生的模流痕的狀況，同時(shí)，鍍鉻亮面層和毛面材質(zhì)層的設(shè)計(jì)，可從正反兩面模擬驗(yàn)證環(huán)氧模塑料模流痕的狀況，使得驗(yàn)證所需的耗材也大大減少，降低了耗材成本，操作模次較少，降低了勞動(dòng)強(qiáng)度，提高了驗(yàn)證效率，大幅縮短了驗(yàn)證周期，驗(yàn)證效果也十分明顯。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為實(shí)施例的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具的示意圖；
[0014]圖2為實(shí)施例的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具的另一種行腔部功能區(qū)組合的示意圖；
[0015]圖3為實(shí)施例的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具的第三種行腔部功能區(qū)組合的示意圖；
[0016]其中，1-進(jìn)膠通道，2-行腔部，3-流道，11-行腔，12-模擬芯片，IA-模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)，IB-模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)，IC-模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)，ID-模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)。

【具體實(shí)施方式】
[0017]為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述，該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。
[0018]實(shí)施例
[0019]結(jié)合圖1、圖2和圖3所示，用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，它包括模具本體；所述的模具本體包括上模塊和下模塊；所述的上模塊設(shè)置有上模塊鑲條；所述的下模塊設(shè)置有與上模塊鑲條配合使用的下模塊鑲條；所述的下模塊鑲條由位于中間位置的進(jìn)膠通道I和位于兩邊位置的行腔部2組成；所述的行腔部2通過(guò)流道3與進(jìn)膠通道I連通；所述的行腔部I由一個(gè)或多個(gè)行腔11組成；所述的行腔11呈凹槽結(jié)構(gòu)；所述的行腔11底部表面上設(shè)置有模擬芯片12 ;所述的模擬芯片12的表面設(shè)置有鍍鉻亮面層；所述的行腔11除模擬芯片12的其他表面上設(shè)置有毛面材質(zhì)層；所述的行腔部I按模擬芯片12封裝形式可分為多種行腔部功能區(qū)；所述的行腔部功能區(qū)包括模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)1A、模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)1B、模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)IC和模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)ID ；
[0020]行腔部組合方式中的一種:所述的下模塊鑲條可以分別采用模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)IA和模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)ID且呈對(duì)稱式分布在下模塊鑲條的兩邊；
[0021]行腔部組合方式中的另一種:所述的下模塊鑲條還可以采用模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)IB和模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)IC且呈對(duì)稱式分布在下模塊鑲條的兩邊；
[0022]行腔部組合方式中的第三種:所述的下模塊鑲條還分別采用擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)1A、模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)1B、模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)IC和模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)ID的四種行腔部功能區(qū)且呈對(duì)稱式分布在下模塊鑲條的兩邊；
[0023]所述的模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)IA設(shè)置有3X 3呈陣列式分布的行腔11，每行中相鄰的兩個(gè)行腔11通過(guò)流道3連通；所述的行腔11的尺寸為22X 1mm ;所述的行腔11底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為11X5X0.30mm的用于模擬封裝TSSOP的模擬芯片12 ;所述的模擬芯片12的上表面與行腔11的上水平面的距離為0.12mm ;所述的模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)IB設(shè)置有3X3呈陣列式分布的行腔11，每行中相鄰的兩個(gè)行腔11通過(guò)流道3連通；所述的行腔11的尺寸為18X 12_ ;所述的行腔11底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為16.3X10.4X0.30mm的用于模擬封裝LQFP的模擬芯片12 ;所述的模擬芯片12的上表面與行腔11的上水平面的距離為0.15mm ;所述的模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)IC設(shè)置單一行腔；所述的行腔11的尺寸為53 X 50mm ;所述的行腔11底部表面上設(shè)置有并列兩排、每排四個(gè)的大小為12X10X0.38mm的用于模擬封裝SD卡的模擬芯片12 ;所述的模擬芯片12的上表面與行腔11的上水平面的距離為0.15mm ;所述的模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)ID設(shè)置有并列四行、每行五個(gè)的陣列式分布的行腔11，每行中相鄰的兩個(gè)行腔11通過(guò)流道3連通；所述的行腔11的尺寸為10X6_ ;所述的行腔11底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為2.29X2.22X0.33mm的用于模擬封裝DIP的模擬芯片12 ;所述的模擬芯片12的上表面與行腔11的上水平面的距離為0.18mm。
[0024]上述的TSSOP、LQFP, DI, SD卡皆代表封裝形式。
[0025]本實(shí)施例的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具的工作原理:采用模擬芯片12的方式來(lái)進(jìn)行模仿真實(shí)封裝，合模后，對(duì)行腔部I注膠后，開(kāi)模，脫料，得到樣品，將得到的樣品進(jìn)行模流痕的檢測(cè)；模擬芯片12的表面設(shè)置有鍍鉻亮面層；行腔11除模擬芯片12的其他表面上設(shè)置有毛面材質(zhì)層，可從正反兩面模擬驗(yàn)證模流痕的狀況。
[0026]上述實(shí)施例不應(yīng)以任何方式限制本實(shí)用新型，凡采用等同替換或等效轉(zhuǎn)換的方式獲得的技術(shù)方案均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，它包括模具本體；所述的模具本體包括上模塊和下模塊；其特征在于:所述的上模塊設(shè)置有上模塊鑲條；所述的下模塊設(shè)置有與上模塊鑲條配合使用的下模塊鑲條；所述的下模塊鑲條由位于中間位置的進(jìn)膠通道和位于兩邊位置的行腔部組成；所述的行腔部通過(guò)流道與進(jìn)膠通道連通；所述的行腔部一個(gè)或多個(gè)行腔組成；所述的行腔呈凹槽結(jié)構(gòu)；所述的行腔底部表面上設(shè)置有模擬芯片；所述的模擬芯片的表面設(shè)置有鍍鉻亮面層；所述的行腔除模擬芯片的其他表面上設(shè)置有毛面材質(zhì)層；所述的行腔部按模擬芯片封裝形式可分為多種行腔部功能區(qū)；所述的下模塊鑲條采用其中的任意一種行腔部功能區(qū)或多種行腔部功能區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，其特征在于:所述的行腔部功能區(qū)包括模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)、模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)、模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)和模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)；所述的下模塊鑲條采用其中的任意一種行腔部功能區(qū)、任意兩種行腔部功能區(qū)或四種行腔部功能區(qū)且呈對(duì)稱式分布在下模塊鑲條的兩邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，其特征在于:所述的模擬封裝TSSOP行腔部功能區(qū)設(shè)置有3 X 3呈陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為22X 1mm ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為11X5X0.30mm的用于模擬封裝TSSOP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.12mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，其特征在于:所述的模擬封裝LQFP行腔部功能區(qū)設(shè)置有3X3呈陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為18X12_ ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為16.3X10.4X0.30mm的用于模擬封裝LQFP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.15mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，其特征在于:所述的模擬封裝SD卡行腔部功能區(qū)設(shè)置單一行腔；所述的行腔的尺寸為53 X 50mm ;所述的行腔底部表面上設(shè)置有并列兩排、每排四個(gè)的大小為12X 10X0.38mm的用于模擬封裝SD卡的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于環(huán)氧模塑料的模流痕檢測(cè)的模具，其特征在于:所述的模擬封裝DIP行腔部功能區(qū)設(shè)置有并列四行、每行五個(gè)的陣列式分布的行腔，每行中相鄰的兩個(gè)行腔通過(guò)流道連通；所述的行腔的尺寸為10X6_ ;所述的行腔底部表面中間的位置上設(shè)置有大小為2.29X2.22X0.33mm的用于模擬封裝DIP的模擬芯片；所述的模擬芯片的上表面與行腔的上水平面的距離為0.18mm。
【文檔編號(hào)】G01N33/44GK204177803SQ201420655899
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】楊春梅, 張文祥, 王殿年 申請(qǐng)人:長(zhǎng)興電子材料（昆山）有限公司