可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器、集群的制作方法
【專利摘要】可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，主要由電極、導(dǎo)電液體、容腔、電阻層構(gòu)成。所述姿態(tài)傳感器的集群。本發(fā)明在電學原理上等同于由導(dǎo)電液體調(diào)控阻值的電阻或電阻群，主要利用姿態(tài)傳感器姿態(tài)改變時導(dǎo)電液體的流動改變電極與電極之間電阻率的分布來表達姿態(tài)數(shù)據(jù)。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、壽命長，可用于人工智能設(shè)備作為姿態(tài)感知裝置。
【專利說明】可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器、集群
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器，具體涉及可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]姿態(tài)傳感器是指用于獲取設(shè)備姿勢的傳感器，是智能機器人的重要感知輸入設(shè)備，人工神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)是現(xiàn)有人工智能較為先進的技術(shù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)具有以下缺點:1、現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器的物理輸出節(jié)點少；2、現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器物理制作精度要求高、成本高、輸出多為數(shù)字信號，輸出節(jié)點數(shù)不易擴展導(dǎo)致其與人工神經(jīng)元硬件的連接需要復(fù)雜的電路。
[0004]為了克服以上問題，本發(fā)明提出了一種模仿人體感知器官半規(guī)管的姿態(tài)傳感器。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明發(fā)明了可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、輸出節(jié)點多。
[0006]本發(fā)明具有如下技術(shù)內(nèi)容。
[0007]1、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層構(gòu)成；容腔與電阻層共界面；I個電極介入容腔內(nèi)；介入容腔內(nèi)的電極不與電阻層相連；1個電極與電阻層的外側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體總是與容腔內(nèi)電極相接觸；導(dǎo)電液體總是與電阻層內(nèi)側(cè)相接觸；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0008]2、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層、至少3個電極構(gòu)成；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少I個介入容腔的電極不與電阻層相連；容腔與電阻層共界面；電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0009]3、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個。
[0010]4、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個電極與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
[0011]5、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個與電阻層外側(cè)相連的電極同時與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
[0012]6、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少5個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個介入容腔的電極與電阻層外側(cè)相連。
[0013]7、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層平均厚度的2倍。
[0014]8、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0015]9、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連。
[0016]10、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的內(nèi)側(cè)與至少3個電極相連的電阻層的內(nèi)側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的外側(cè)相連。
[0017]11、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；所有電極均不與任何與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連。
[0018]12、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少I電極同時與電阻層的內(nèi)側(cè)和外側(cè)相連。
[0019]13、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有兩個連接在同一電阻層上的電極它們之間的表面距離大于等于他們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層的平均厚度的2倍。
[0020]14、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少I個電極相連；至少2個分別連接在同一電阻層內(nèi)、外側(cè)的電極不與所連電阻層上電極自身所連側(cè)的對立側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0021]15、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連。
[0022]16、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連；至少I個電極介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)；至少I個介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)的電極與至少I個電阻層外側(cè)相連但不與任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0023]17、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層上的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層厚度的2倍。
[0024]18、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0025]19、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的外側(cè)與至少2個電極相連的電阻層的外側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0026]20、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少2個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0027]21、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少3個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少3個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0028]22、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0029]23、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少有I個介入容腔內(nèi)的電極和與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不介入容腔；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0030]24、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極和與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0031]25、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連。
[0032]26、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0033]27、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層平均厚度的2倍。
[0034]28、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器集群，其特征在于:在技術(shù)內(nèi)容1-27中選擇多種姿態(tài)傳感器使它們的容腔相通或者合并它們的容腔；新容腔內(nèi)導(dǎo)電液體的體積小于新容腔的有效容積。
[0035]29、如技術(shù)內(nèi)容1-28中任意一條技術(shù)內(nèi)容所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:其還具有至少I個接地電阻器；每個接地電阻器的非接地端與I個電極相連。
[0036]30、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器集群，其特征在于:主要由在技術(shù)內(nèi)容1-29所述的姿態(tài)傳感器中單選或多選種類地至少2個姿態(tài)傳感器構(gòu)成、至少I條導(dǎo)線構(gòu)成；至少I個姿態(tài)傳感器的至少I個電極與其他姿態(tài)傳感器至少I個電極共連同一導(dǎo)電線；至少2個姿態(tài)傳感器都至少有I個電極不與自身所在姿態(tài)傳感器的其他電極共連同一導(dǎo)電線。
[0037]技術(shù)內(nèi)容說明及其有益效果。
[0038]核心原理:本發(fā)明在電學原理上等同于由導(dǎo)電液體調(diào)控阻值的電阻或電阻群，主要利用姿態(tài)傳感器姿態(tài)改變時導(dǎo)電液體的流動改變電極與電極之間電阻率的分布來表達姿態(tài)數(shù)據(jù)；改變的原理是導(dǎo)電液體、電阻層可以簡化地視作并聯(lián)在電極之間的兩個電阻，導(dǎo)電液體與導(dǎo)電層表面結(jié)合后可以視作可變電阻，導(dǎo)電液體運動時改變電極與電阻層之間的電學連接體積、面積、長度而導(dǎo)致電極之間阻值變化(電阻層的連接被改變)，從而影響并聯(lián)總電阻，即電極間電阻；本發(fā)明提到‘導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積’，值得注意的是:本發(fā)明需要本領(lǐng)域技術(shù)人員在實施設(shè)計時結(jié)合公知常識、現(xiàn)有技術(shù)、技術(shù)慣例，根據(jù)容腔、電極、電阻層的布局來確定導(dǎo)電液體體積的具體值，以避免喪失或弱化技術(shù)效果(本發(fā)明中如果粗暴的使用百分比來限定導(dǎo)電液體體積，則難以達成良好的保護的目的，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的)。本發(fā)明的基本原理也可以理解為導(dǎo)電液體的流動導(dǎo)致了電極間電阻層表面電阻的改變。本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)比較顯著的特征在于將大量的電極連接在同一電阻層上。
[0039]詞句解釋:‘容腔’是指具有容納能力的空間，它可以是單一容器的內(nèi)腔，也可以是由多個元件配合而成的容納空間；
[0040]‘有效容積’指容腔內(nèi)允許導(dǎo)電液體充斥的部分；
[0041]‘共界面’都是指電阻層表面也是容腔界面的一部分，也就是說容腔所在的容器可以是由電阻層單獨構(gòu)成，也可以由電阻層結(jié)合其他元件構(gòu)成容納空間，也可以由多個電阻層和其他原價構(gòu)成；
[0042]‘電阻層’是指具有電子流動阻礙能力的層，本發(fā)明中電阻層優(yōu)選為薄膜(比如碳電阻膜、金屬電阻膜)、薄片(比如片狀電阻材料)、薄層(比如氣相沉積產(chǎn)生的層)狀，但也不排除其它形狀(比如，使用一塊很厚的電阻層，將電極從外側(cè)深度介入電阻層中使電極到電阻層內(nèi)側(cè)的距離小于電阻層的厚度)；電阻層可以是良導(dǎo)體也可以是半導(dǎo)體，電阻層不包括超導(dǎo)體和絕緣體(不包括薄到可以構(gòu)成電子隧道結(jié)而被電子穿越的絕緣材料薄層)，電阻層可以是單一物質(zhì)構(gòu)成也可以是混合物構(gòu)成(比如多種物質(zhì)混合制作、又比如在以半導(dǎo)體材料制成的電阻層上進行局部或全部的參雜)，電阻層可以是單層結(jié)構(gòu)也可以是多層結(jié)構(gòu)(應(yīng)保證內(nèi)外表面之間導(dǎo)電)，電阻層表面可以是平整的也可以是不平整的(比如可以加工的形狀、蝕刻，比如加工中自然產(chǎn)生的毛刺、微凸)，本發(fā)明的電阻層可以是單個也可以是多個(比如:一個電阻層同時與多個容腔共界面、一個同時與多個電阻層共界面、一個容腔與一個電阻層共界面)，本發(fā)明中‘電阻層’可以具有少量的絕緣層，但不可讓絕緣層將電阻層全面覆蓋，而要使電阻層內(nèi)側(cè)表面能夠接觸到導(dǎo)電液體，值得注意的是絕緣材料制成的層全面覆蓋電阻層但薄到可以構(gòu)成電子隧道結(jié)可以被電子穿越的情況屬于本發(fā)明的可行方案；
[0043]‘電阻層的外側(cè)’是指電阻層不與容腔共界面的部分；
[0044]‘電阻層的內(nèi)側(cè)’是指電阻層與容腔界面的公共表面；
[0045]‘接地電阻器’是指電子學中常用的一端連接在電路中地點(GND)的電阻器，可以是阻值固定不變的電阻器，也可以是電阻值可調(diào)的電阻器(非隨時隨意變化，即調(diào)整后長時間保持電阻值無大變化的電阻器)；接地電阻器可以集成在姿態(tài)傳感器中(非容腔內(nèi))，也可以獨立安放在應(yīng)用電路中的；
[0046]‘電極’是指用導(dǎo)電性能優(yōu)于電阻層的良導(dǎo)體材料制成的連接物，電極可以是任意形狀、任意形態(tài)，電極優(yōu)選高導(dǎo)電材料進行制作，在不破壞本發(fā)明的可行性、穩(wěn)定性的情況下電極的導(dǎo)電性能越強越好，電極可以與導(dǎo)線是一體的，本發(fā)明對電極與電阻層連接關(guān)系的描述是忽略導(dǎo)電液體的情況下進行的；
[0047]‘電極介入容腔’是指電極與容腔共界面，即電極表面與成為容腔界面的一部分(包括伸入容腔內(nèi)部)
[0048]‘導(dǎo)電液體’是指具有較好導(dǎo)電能力的高流動性物質(zhì)，導(dǎo)電液體可以是單質(zhì)也可以是混合物，比如液態(tài)金屬、電解液、多種物質(zhì)組成的具有導(dǎo)電能力的液體等；
[0049]‘導(dǎo)電液體總是與容腔內(nèi)電極相接觸；導(dǎo)電液體總是與電阻層內(nèi)側(cè)相接觸’指容腔、容腔內(nèi)電極、電阻層、導(dǎo)電液體三者的結(jié)構(gòu)、數(shù)量、體積配置滿足‘處于任意姿態(tài)導(dǎo)電液體都同時與容腔內(nèi)電極、導(dǎo)電液體相接觸’的技術(shù)條件，本發(fā)明對電極與電阻層連接關(guān)系的描述是忽略導(dǎo)電液體的情況下進行的；
[0050]‘導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)’是指電阻層、導(dǎo)電液體、容腔三者結(jié)構(gòu)、數(shù)量、體積配置滿足‘至少有一種姿態(tài)會使導(dǎo)電液體與電阻層內(nèi)側(cè)相連’的技術(shù)條件，包含了 ‘導(dǎo)電液體與電阻層內(nèi)側(cè)一直相連、導(dǎo)電液體與電阻層內(nèi)側(cè)時連時斷’兩種情況。
[0051]特別說明1:本發(fā)明一般選擇導(dǎo)電性能劣于導(dǎo)電液體的材料(混合物或單質(zhì))作為電阻層，以便姿態(tài)變換時獲得較大的電阻變化速率和梯度；使用導(dǎo)電性能優(yōu)于導(dǎo)電液體的材料作為電阻層的情況，姿態(tài)變換時獲得的電阻變化速率和梯度較小。
[0052]特別說明2:相鄰電極表面距離影響電阻變化的垮度，一般情況下相鄰電極的表面距離越大電阻變化垮度較大，方便利用；相鄰電極表面間距較小的情況下，電阻率改變的速率不高，但同等體積下可以提供更多的輸入節(jié)點(電源相連點)或輸出節(jié)點(輸出信號點)；對于處于同一與容腔共界面的電阻層上(尤其是同處于外側(cè))的兩個電極而言，電極表面距離大于等于電極之間電阻層平均厚度2倍，可以獲得電阻變化跨度較大。
[0053]特別說明3:本發(fā)明主要為具有機器學習能力人工神經(jīng)元硬件而創(chuàng)造；但不排除用于其他電路。
[0054]特別說明4:在電極少于4的情況下，本發(fā)明可以有效感應(yīng)的姿態(tài)較少(電極數(shù)量大于4的方案中將3個作為輸出電極布置在三維坐標軸上，并結(jié)合公知常識、現(xiàn)有技術(shù)恰當?shù)呐渲萌萸恍螤?、?dǎo)電液體數(shù)量可以做到3個方向的感應(yīng))，但將它們進行有效集群(至少有3個單元在同一截面中他們截面的圖形平移后不重合)，同樣可以起到很好的效果(比如使用半導(dǎo)體元器件加工工藝在同一襯底上制作大量的電極少于3的姿態(tài)傳感器集群使用)。
[0055]特別說明5:無論姿態(tài)傳感器的設(shè)計者、生產(chǎn)者、使用者有意或無意在集群單元中設(shè)置劣、無效電極、壞單元(比如某集群的某容腔中不設(shè)置某一組件使該容腔失去功能或效果削弱)，只要其姿態(tài)傳感器中部分單元具有本發(fā)明的技術(shù)方案，則應(yīng)視為本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0056]特別說明6:由于漢語的復(fù)雜靈活的特點，發(fā)明人的意圖和閱讀者的理解難免出現(xiàn)偏差，作為對本領(lǐng)域技術(shù)人員的善意提醒:本發(fā)明最終技術(shù)目的是設(shè)計一個‘電阻率或電阻率分布隨姿態(tài)變化而變化的姿態(tài)傳感器’，在應(yīng)用設(shè)計本發(fā)明時要結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)、公知常識進行設(shè)計，而不是死板的按照本發(fā)明的字面意思來實施{又比如:本發(fā)明應(yīng)用設(shè)計時應(yīng)注意材料之間的化學、電化學關(guān)系；又比如:本發(fā)明應(yīng)用設(shè)計時應(yīng)注意減小電極與電阻層所構(gòu)成連接的接觸電阻；又比如本發(fā)明的增加單個電阻層外側(cè)連接的電極數(shù)量，提高精度越高、增加可感知姿態(tài)；又比如根據(jù)電極、容腔的結(jié)構(gòu)、數(shù)量、形狀布局正確配置導(dǎo)電液體的體積；又比如:在電阻層外施加絕緣外殼、電磁屏蔽外殼、外殼、在電阻層外增加加強層；等等};也就是說本發(fā)明申請文件的閱讀應(yīng)該站在具有公知常識、懂得現(xiàn)有技術(shù)、明白技術(shù)慣例的本領(lǐng)域技術(shù)人員的角度，在不違背本發(fā)明最終技術(shù)目的的前提上理解本發(fā)明申請文件。
[0057]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、壽命長、成本低廉、可用于人工智能設(shè)備作為姿態(tài)感知裝置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0058]圖1是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0059]圖2是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0060]圖3是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0061]圖4是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0062]圖5是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0063]圖6是本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0064]圖7為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0065]圖8為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0066]圖9為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0067]圖10為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0068]圖11為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0069]圖12為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0070]圖13為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0071]圖14為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0072]圖15為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0073]圖16為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
[0074]圖17為本發(fā)明一個實施實例的示意圖。
【具體實施方式】
[0075]下面結(jié)合實施實例對本發(fā)明作進一步說明。
[0076]實施實例1、如圖1中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極100、電極110、導(dǎo)電液體101、容腔102、電阻層103、絕緣層104構(gòu)成；容腔102由電阻層103、絕緣層104配合構(gòu)成；電極100介入容腔中央；電極110與電阻層外側(cè)；導(dǎo)電液體101裝載在容腔102內(nèi)；導(dǎo)電液體體積101小于容腔102的有效容積；導(dǎo)電液體101總是和電極100接觸；導(dǎo)電液體101總是與電阻層103接觸；
[0077]如圖1中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱1.d)；
[0078]1.d中Rll代表導(dǎo)電液體101運動導(dǎo)致的電極100、電極110之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0079]1.d中RllO為電阻層103在電極100、電極110之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0080]1.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，VllO為輸出信號；
[0081]l.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0082]實施實例2、如圖2中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極200、電極210、電極220、導(dǎo)電液體201、容腔202、電阻層203、絕緣層204構(gòu)成；容腔202由電阻層203、絕緣層204配合構(gòu)成；電極200介入容腔中央；電極210、電極220連接在電阻層203外側(cè)；
[0083]如圖2中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱2.d)；
[0084]2.d中R21代表導(dǎo)電液體201運動所導(dǎo)致的電極200、電極210之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0085]2.d中R22代表導(dǎo)電液體201運動所導(dǎo)致的電極200、電極220之間的簡單等效可變電阻；
[0086]2.d中R210為電阻層203在電極200、電極210之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0087]2.d中R220為電阻層203在電極200、電極220之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0088]2.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，V210、V220為輸出信號；
[0089]2.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0090]實施實例3、如圖3中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極300、電極310、導(dǎo)電液體301、容腔302、電阻層303、絕緣層304構(gòu)成；絕緣層304為T型在傳感器姿態(tài)為正立時可以隔斷導(dǎo)電液體301 ;容腔302由電阻層303、絕緣層304配合構(gòu)成；電極300、電極310介入容腔內(nèi)；電極300、電極310都連接在電阻層303內(nèi)側(cè)；
[0091]如圖3中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱3.d)；
[0092]3.d中R31代表導(dǎo)電液體301運動所導(dǎo)致的電極300、電極310之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0093]3.d中R310為電阻層303在電極300、電極310之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0094]3.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，V310為輸出信號；
[0095]3.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0096]實施實例4、如圖4中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極400、電極410、導(dǎo)電液體401、容腔402、電阻層403、絕緣層404構(gòu)成；容腔402由電阻層403、絕緣層404配合構(gòu)成；電極400介入容腔中央，電極400與電阻層403內(nèi)側(cè)相連；電極410與電阻層403外側(cè)相連；導(dǎo)電液體401裝載在容腔402內(nèi)；導(dǎo)電液體401體積小于容腔402的有效容積的50% ;導(dǎo)電液體401能夠與電阻層403接觸；
[0097]如圖4中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱4.d)；
[0098]4.d中R41代表導(dǎo)電液體401運動所導(dǎo)致的電極400、電極410之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0099]4.d中R410為電阻層403在電極400、電極410之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0100]4.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，V410為輸出信號；
[0101]4.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0102]實施實例5、如圖5中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極500、電極510、導(dǎo)電液體501、容腔502、電阻層503構(gòu)成；容腔502由電阻層503單獨構(gòu)成；電極500、電極510都與電阻層503外側(cè)相連；導(dǎo)電液體501裝載在容腔502內(nèi)；導(dǎo)電液體體積501小于容腔502的有效容積；
[0103]如圖5中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱5.d)；
[0104]5.d中R51代表導(dǎo)電液體501運動所導(dǎo)致的電極500、電極510之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0105]5.d中R510為電阻層503在電極500、電極510之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0106]5.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，V510為輸出信號；
[0107]5.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0108]實施實例6、如圖6中a所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極600、電極610、電極620、電極630、導(dǎo)電液體601、容腔602、電阻層603構(gòu)成；容腔602由電阻層603單獨構(gòu)成；電極600、電極610、電極620、電極630都與電阻層603外側(cè)相連；導(dǎo)電液體601裝載在容腔602內(nèi)；導(dǎo)電液體體積601小于容腔602的有效容積；
[0109]如圖6中b為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱6.b):
[0110]6.b中R61代表導(dǎo)電液體601運動所導(dǎo)致電極600、電極610之間的電阻變動的簡單等效可變電阻；
[0111]6.b中R62代表導(dǎo)電液體601運動所導(dǎo)致電極600、電極620之間的電阻變動的簡單等效可變電阻；
[0112]6.b中R63代表導(dǎo)電液體601運動所導(dǎo)致電極600、電極630之間的電阻變動的簡單等效可變電阻；
[0113]6.b中R61為電阻層603在電極600、電極610之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0114]6.b中R62為電阻層603在電極600、電極620之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0115]6.b中R63為電阻層603在電極600、電極630之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0116]6.b中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，V610、V620、V630為輸出信號;
[0117]6.d是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0118]實施實例7、如圖7中a所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由選自實施實例5的2個姿態(tài)傳感器51、姿態(tài)傳感器52構(gòu)成；姿態(tài)傳感器51、姿態(tài)傳感器52的各有一個電極共導(dǎo)線連接到VCC ；
[0119]如圖7中b為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱7.b)；
[0120]7.b中R51代表導(dǎo)電液體運動所導(dǎo)致姿態(tài)傳感器51兩個電極之間的簡單等效可變電阻；
[0121]7.b中R52代表導(dǎo)電液體運動所導(dǎo)致姿態(tài)傳感器52兩個電極之間的簡單等效可變電阻；
[0122]7.b中R510為電阻層在姿態(tài)傳感器51的兩個電極之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0123]7.b中R520為電阻層在姿態(tài)傳感器52的兩個電極之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0124]7.b中R為接地電阻，VCC為電源，GND為地點；V510、V520為輸出信號;
[0125]7.b是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0126]實施實例8、如圖8中a所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由選自實施實例3的I個姿態(tài)傳感器31、選自實施實例5的I個姿態(tài)傳感器52構(gòu)成；姿態(tài)傳感器31、姿態(tài)傳感器51的各有一個電極共導(dǎo)線連接到VCC ；
[0127]如圖8中b為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱8.b)；
[0128]8.b中R31代表導(dǎo)電液體運動所導(dǎo)致姿態(tài)傳感器31兩個電極之間的簡單等效可變電阻；
[0129]8.b中R51代表導(dǎo)電液體運動所導(dǎo)致姿態(tài)傳感器51兩個電極之間的簡單等效可變電阻；
[0130]8.b中R310為電阻層在姿態(tài)傳感器31兩個電極之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0131]8.b中R510為電阻層在姿態(tài)傳感器51兩個電極之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0132]8.b中R為接地電阻，VCC為電源，GND為地點；V310、V510為輸出信號;
[0133]8.b是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0134]實施實例9、如圖9所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極900、電極910、電極920、電極930、導(dǎo)電液體901、容腔902、電阻層903構(gòu)成；容腔902由電阻層903單獨構(gòu)成；電極900、電極910都與電阻層903外側(cè)相連；導(dǎo)電液體901裝載在容腔902內(nèi)；導(dǎo)電液體體積901小于容腔902的有效容積；電阻層903為半導(dǎo)體沉積層，在電阻層903內(nèi)腔對應(yīng)電極的位置具有局部參雜區(qū)909、919、929、939。
[0135]實施實例10、如圖10中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極AOO、電極AlO、電極A20、導(dǎo)電液體AO1、容腔A02、電阻層A03、電阻層A031、絕緣層A04構(gòu)成；容腔A02由電阻層A03、電阻層A031、絕緣層A04配合構(gòu)成；電極AOO介入容腔中央；電極AlO連接在電阻層A03外側(cè)；電極A20連接在電阻層A031外側(cè)；
[0136]如圖10中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱10.d)；
[0137]10.d中RAl代表導(dǎo)電液體AOl運動所導(dǎo)致的電極A00、電極AlO之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0138]10.d中RA2代表導(dǎo)電液體AOl運動所導(dǎo)致的電極A00、電極A20之間的簡單等效可變電阻；
[0139]10.d中RAlO為電阻層A03在電極A00、電極AlO之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0140]10.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，VA10、VA20為輸出信號；
[0141]10.是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0142]實施實例11、如圖11中a、b、c所示可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極B00、電極B10、電極B20、導(dǎo)電液體BO1、容腔B02、電阻層B03、電阻層B031、絕緣層B04構(gòu)成；容腔B02由電阻層B03、電阻層B031、絕緣層B04配合構(gòu)成；電極BOO介入容腔中央；電極BlO連接在電阻層B03外側(cè)；電極B20連接在電阻層B031外側(cè)；
[0143]如圖11中d為本實施實例的簡單等效電路圖(以下簡稱11.d);
[0144]11.d中RBl代表導(dǎo)電液體BOl運動所導(dǎo)致的電極B00、電極BlO之間的電阻變化的簡單等效可變電阻；
[0145]11.d中RB2代表導(dǎo)電液體BOl運動所導(dǎo)致的電極B00、電極B20之間的簡單等效可變電阻；
[0146]11.d中RBlO為電阻層B03在電極B00、電極BlO之間產(chǎn)生的等效固定阻值(無視導(dǎo)電液體);
[0147]ll.d中Rg為接地電阻，VCC為電源，GND為地點，VB10、VB20為輸出信號；
[0148]11.是一個簡單等效電路，采用了最簡的表述方式，并非完全等效電路。
[0149]實施實例12、如圖12所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極C00、電極C10、電極C20、電極C30、導(dǎo)電液體CO 1、容腔C02、電阻層C03、絕緣體C04構(gòu)成；容腔C02由電阻層C03和絕緣體C04構(gòu)成；電極C10、電極C00、電極C30都同時與電阻層C03內(nèi)側(cè)、外側(cè)相連，電極C20穿過絕緣體C04介入容腔C02內(nèi)；導(dǎo)電液體COl裝載在容腔C02內(nèi)；導(dǎo)電液體體積COl小于容腔C02的有效容積。
[0150]實施實例13、如圖13所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極D00、電極D10、電極D20、電極D30、導(dǎo)電液體001、容腔002、電阻層D03、絕緣體D04構(gòu)成；容腔D02由電阻層D03和絕緣體D04構(gòu)成；電極D00、電極D10、電極D30與電阻層D03外側(cè)相連；電極D20介入容腔D02 ;導(dǎo)電液體DOl裝載在容腔D02內(nèi)；導(dǎo)電液體體積DOl小于容腔D02的有效容積。
[0151]實施實例14、如圖14所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極E00、電極E10、電極E20、電極E30、導(dǎo)電液體EO1、容腔E02、電阻層E03、絕緣體E04構(gòu)成；容腔E02由電阻層E03構(gòu)成；電極E00、電極E10、電極E30與電阻層E03外側(cè)相連，電極E20與電阻層E03內(nèi)、外側(cè)相連；導(dǎo)電液體EOl裝載在容腔E02內(nèi)；導(dǎo)電液體體積EOl小于容腔E02的有效容積。
[0152]實施實例15、如圖15所示，如圖15所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極H)0、電極FlO、電極F20、電極F30、導(dǎo)電液體H)1、容腔R)2、電阻層F03構(gòu)成；容腔H)2由電阻層F03構(gòu)成；電極R)0、電極FlO、電極F20、電極F30與電阻層F03外側(cè)相連；容腔F02為環(huán)狀；導(dǎo)電液體FOl裝載在容腔R)2內(nèi)；導(dǎo)電液體體積FOl小于容腔H)2的有效容積。
[0153]實施實例16、如圖16所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極GOO、電極G20、電極G30、導(dǎo)電液體GO1、容腔G02、電阻層G03、絕緣體G04構(gòu)成；容腔G02由電阻層G03和絕緣體G04構(gòu)成；電極G20、電極G00、電極G30都與電阻層C03外側(cè)相連，電極G20穿透絕緣體G04介入容腔G02內(nèi)，G20是異形電極；導(dǎo)電液體GOl裝載在容腔G02內(nèi)；導(dǎo)電液體體積GOl小于容腔G02的有效容積。
[0154]實施實例17、如圖17所示的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，由電極H00、電極H10、電極H20、H21、H22、電極H30、導(dǎo)電液體H01、容腔H02、電阻層H03、絕緣體H04構(gòu)成；容腔H02主要由電阻層H03和絕緣體H04構(gòu)成；電極H00、電極H10、電極H30與電阻層H03外側(cè)相連；電極H20、H21、H22介入容腔H02與電阻層H03內(nèi)側(cè)相連；導(dǎo)電液體HOl裝載在容腔H02內(nèi)；導(dǎo)電液體體積HOl小于容腔H02的有效容積。
[0155]實施實例18、在實施實例2的基礎(chǔ)上改進，增加I個電極、I個接地電阻、I個輸出信號，將增加的電極連接到電阻層的外側(cè)表面，增加的電極與增加的接地電阻的非地端相連，增加的電極與輸出信號相連。
[0156]實施實例19、在實施實例2的基礎(chǔ)上改進，增加2個電極、2個接地電阻、2個輸出信號，將增加的電極連接到電阻層的外側(cè)表面，增加的電極與增加的接地電阻的非地端相連，增加的信號輸出與增加的接地電阻的非地端相連。
[0157]實施實例20、在實施實例2的基礎(chǔ)上改進，增加2個電極、I個接地電阻、I個輸出信號，將I個增加的電極連接到電阻層的外側(cè)表面，將I個增加的電極介入容腔內(nèi)，將增加的與電阻層外側(cè)相連的電極與增加的接地電阻的非地端相連，增加的信號輸出與增加的接地電阻的非地端相連，將增加的介入容腔內(nèi)的電極與電源VCC相連。
[0158]實施實例21、在實施實例3的基礎(chǔ)上改進，增加I個電極、I個接地電阻、I個輸出信號，將增加的電極介入容腔內(nèi)，將增加的電極連接到電阻層的內(nèi)側(cè)表面，將增加的電極與增加的接地電阻的非地端相連，增加的信號輸出與增加的接地電阻的非地端相連。
[0159]實施實例22、在實施實例3的基礎(chǔ)上改進，增加2個電極、I個接地電阻、I個輸出信號；將增加的電極介入容腔內(nèi)；將增加的電極連接到電阻層的外側(cè)表面，將增加的I個電極與增加的接地電阻的非地端相連，將增加的另I個連接到電源VCC ;將增加的信號輸出與增加的接地電阻的非地端相連。
[0160]以上實施實例是本發(fā)明的可行方案，但不是對本發(fā)明的保護范圍的限定，本發(fā)明所包含的技術(shù)方案雖多，這些各個方案的不同之處主要是電極與電阻層連接的分布上，本領(lǐng)域技術(shù)人員在理解本發(fā)明的核心內(nèi)容后能夠依照本發(fā)明的核心原理根據(jù)邏輯來推理他們的特征，故不贅述，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過本發(fā)明所給的技術(shù)啟示，結(jié)合‘公知常識’、‘現(xiàn)有技術(shù)’進行的可正常、良性運行的實施設(shè)計均應(yīng)算作本發(fā)明的范疇。
【權(quán)利要求】
1.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層構(gòu)成；容腔與電阻層共界面；I個電極介入容腔內(nèi)；介入容腔內(nèi)的電極不與電阻層相連；1個電極與電阻層的外側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體總是與容腔內(nèi)電極相接觸；導(dǎo)電液體總是與電阻層內(nèi)側(cè)相接觸；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
2.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層、至少3個電極構(gòu)成；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少I個介入容腔的電極不與電阻層相連；容腔與電阻層共界面；電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
3.如權(quán)利要求2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個。
4.如權(quán)利要求2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個電極與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
5.如權(quán)利要求2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個與電阻層外側(cè)相連的電極同時與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
6.如權(quán)利要求2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少5個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個介入容腔的電極與電阻層外側(cè)相連。
7.如權(quán)利要求2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間的電阻層平均厚度的2倍。
8.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
9.如權(quán)利要求8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連。
10.如權(quán)利要求8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的內(nèi)側(cè)與至少3個電極相連的電阻層的內(nèi)側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的外側(cè)相連。
11.如權(quán)利要求8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；所有電極均不與任何與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連。
12.如權(quán)利要求8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少I電極同時與電阻層的內(nèi)側(cè)和外側(cè)相連。
13.如權(quán)利要求8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有兩個連接在同一電阻層上的電極它們之間的表面距離大于等于他們之間的電阻層的平均厚度的2倍。
14.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少I個電極相連；至少2個分別連接在同一電阻層內(nèi)、外側(cè)的電極不與所連電阻層上電極自身所連側(cè)的對立側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
15.如權(quán)利要求14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連。
16.如權(quán)利要求14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連；至少I個電極介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)；至少I個介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)的電極與至少I個電阻層外側(cè)相連但不與任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
17.如權(quán)利要求14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層上的電極的表面間距大于等于它們之間的電阻層厚度的2倍。
18.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
19.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的外側(cè)與至少2個電極相連的電阻層的外側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
20.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少2個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
21.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少3個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少3個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
22.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
23.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少有I個介入容腔內(nèi)的電極和與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不介入容腔；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
24.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極和與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
25.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連。
26.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
27.如權(quán)利要求18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間的電阻層平均厚度的2倍。
28.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:在權(quán)利要求1-27中選擇多種姿態(tài)傳感器使它們的容腔相通或者合并它們的容腔；新容腔內(nèi)導(dǎo)電液體的體積小于新容腔的有效容積。
29.如權(quán)利要求1-28中任意一條權(quán)利要求所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:其還具有至少I個接地電阻器；每個接地電阻器的非接地端與I個電極相連。
30.可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器集群，其特征在于:主要由在權(quán)利要求1-27所述的姿態(tài)傳感器中單選或多選種類地至少2個姿態(tài)傳感器構(gòu)成、至少I條導(dǎo)線構(gòu)成；至少I個姿態(tài)傳感器的至少I個電極與其他姿態(tài)傳感器至少I個電極共連同一導(dǎo)電線；至少2個姿態(tài)傳感器都至少有I個電極不與自身所在姿態(tài)傳感器的其他電極共連同一導(dǎo)電線。
【文檔編號】G01C9/06GK204228161SQ201420690366
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月18日
【發(fā)明者】劉偉 申請人:劉偉