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      一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器的制造方法

      文檔序號(hào):6077065閱讀:296來(lái)源:國(guó)知局
      一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器的制造方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型屬于硬盤檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】,具體公開了一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,包括MCU微控制單元、及于MCU微控制單元連接MCU電源電路模塊、溫度測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊和硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊,其中MCU電源電路模塊分別與穩(wěn)定測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊進(jìn)行供電。本實(shí)用新型一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,1、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、抗震;2、通過溫度測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊對(duì)檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)溫度、濕度進(jìn)行監(jiān)控管理以符合磁電硬盤檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù),同時(shí)通過遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊監(jiān)控上一步驟檢測(cè)溫度輔助控制檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)溫度,以達(dá)到所有檢測(cè)項(xiàng)溫度相同,進(jìn)而提高檢測(cè)精準(zhǔn)度。同時(shí)本實(shí)用新型生產(chǎn)成本低、易推廣。
      【專利說(shuō)明】—種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于硬盤檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器。

      【背景技術(shù)】
      [0002]當(dāng)前磁電硬盤行業(yè)的工廠測(cè)試所用的轉(zhuǎn)接適配器,都是功能單一的連接器轉(zhuǎn)換,沒有測(cè)試環(huán)境評(píng)估功能,而磁電硬盤的測(cè)試對(duì)環(huán)境要求相對(duì)敏感;從所周知,在工廠生產(chǎn)制程中,對(duì)磁盤的測(cè)試要評(píng)估多達(dá)上100項(xiàng)的參數(shù),而其中有近30項(xiàng)測(cè)試對(duì)環(huán)境要求極其敏感,所以測(cè)試時(shí),要求各測(cè)試站的測(cè)試環(huán)境盡可能的一致,但對(duì)于大批量的生產(chǎn)制程來(lái)說(shuō),這個(gè)環(huán)境要求是有相當(dāng)難度的,所以需要通過對(duì)測(cè)試環(huán)境參數(shù)進(jìn)行測(cè)試評(píng)估,然后反饋測(cè)試系統(tǒng),以修正測(cè)試數(shù)據(jù)的測(cè)試方案,進(jìn)而完成磁電硬盤測(cè)試,提高產(chǎn)品測(cè)試的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性及產(chǎn)品合格率。
      [0003]基于上述問題,本實(shí)用新型提供一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器。實(shí)用新型內(nèi)容
      [0004]實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,解決現(xiàn)有傳統(tǒng)接口適配器單純的連接功能,提高磁電硬盤檢測(cè)過程的穩(wěn)定性、精準(zhǔn)性及便于控制檢測(cè)環(huán)境、保證上下步驟檢測(cè)環(huán)境一致。
      [0005]技術(shù)方案:一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,包括MCU微控制單元、及于MCU微控制單元連接MCU電源電路模塊、溫度測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊和硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊,其中MCU電源電路模塊分別與穩(wěn)定測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊進(jìn)行供電;所述MCU微控制單元接收本地溫度測(cè)試模塊和濕度測(cè)試模塊參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊連接的上位機(jī)顯示;同時(shí)所述MCU微控制單元接收遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊的參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊連接的上位機(jī)顯示。
      [0006]進(jìn)一步的所述用于超高速磁電硬盤的接口適配器還包括與MCU微控制單元連接的MCU外部輔助電路模塊,其中MCU外部輔助電路模塊與MCU電源電路模塊連接。
      [0007]進(jìn)一步的所述MCU微控制單元為51單片機(jī)芯片。
      [0008]進(jìn)一步的所述溫度測(cè)試模塊和遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊為溫度傳感器或溫度測(cè)試儀,濕度測(cè)試模塊為濕度傳感器或濕度測(cè)試儀。
      [0009]進(jìn)一步的所述溫度測(cè)試儀優(yōu)選杭州奮樂儀器廠生產(chǎn)的型號(hào)為FLA5000。
      [0010]進(jìn)一步的所述濕度測(cè)試儀優(yōu)選深圳市恩慈電子有限公司生產(chǎn)的型號(hào)為DT-625。
      [0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,1、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、抗震;2、通過溫度測(cè)試模塊、濕度測(cè)試模塊對(duì)檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)溫度、濕度進(jìn)行監(jiān)控管理以符合磁電硬盤檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù),同時(shí)通過遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊監(jiān)控上一步驟檢測(cè)溫度輔助控制檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)溫度,以達(dá)到所有檢測(cè)項(xiàng)溫度相同,進(jìn)而提高檢測(cè)精準(zhǔn)度。同時(shí)本實(shí)用新型生產(chǎn)成本低、易推廣。

      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0012]圖1是本實(shí)用新型一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0013]圖2是本實(shí)用新型一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器的數(shù)據(jù)處理流程圖;
      [0014]圖3是本實(shí)用新型一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器的電路板結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0015]其中圖中序號(hào)如下:1-MCU微控制單元、2-MCU電源電路模塊、3-MCU外部輔助電路模塊、4-溫度測(cè)試模塊、5-濕度測(cè)試模塊、6-遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊、7-硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊。

      【具體實(shí)施方式】
      [0016]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型。
      [0017]如圖1所示的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,包括MCU微控制單元1、及于MCU微控制單元I連接MCU電源電路模塊2、溫度測(cè)試模塊4、濕度測(cè)試模塊5、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6和硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊7,其中MCU電源電路模塊2分別與溫度測(cè)試模塊4、濕度測(cè)試模塊5、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6進(jìn)行供電;所述MCU微控制單元I接收本地溫度測(cè)試模塊4和濕度測(cè)試模塊5參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊7連接的上位機(jī)顯示;同時(shí)所述MCU微控制單元I接收遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6的參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊7連接的上位機(jī)顯示。
      [0018]進(jìn)一步的用于超高速磁電硬盤的接口適配器還包括與MCU微控制單元I連接的MCU外部輔助電路模塊3,其中MCU外部輔助電路模塊3與MCU電源電路模塊2連接,MCU外部輔助電路模塊3對(duì)MCU微控制單元I進(jìn)行輔助供電,保證MCU微控制單元I工作電壓狀態(tài)穩(wěn)定;MCU微控制單元I為51單片機(jī)芯片,采購(gòu)成本低且易于升級(jí);溫度測(cè)試模塊4和遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6為溫度傳感器或溫度測(cè)試儀,濕度測(cè)試模塊5為濕度傳感器或濕度測(cè)試儀。
      [0019]其中,溫度測(cè)試儀優(yōu)選杭州奮樂儀器廠生產(chǎn)的型號(hào)為FLA5000,工作狀態(tài)穩(wěn)定、測(cè)試參數(shù)精準(zhǔn)及安裝使用方便質(zhì)量輕、適應(yīng)范圍廣,溫度范圍:-30°C —100C /-30 0F- 199 °F°C,濕度范圍:0°C— 100% RH,測(cè)量精度:±0.5°C /0.9 °F,測(cè)量誤差:±0.5°C /0.9 T ;濕度測(cè)試儀優(yōu)選深圳市恩慈電子有限公司生產(chǎn)的型號(hào)為DT-625采樣率50/秒,參數(shù)采集精準(zhǔn)、穩(wěn)定。
      [0020]實(shí)施例
      [0021 ] 進(jìn)一步的如圖2所示本接口適配器通過硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊7與上位機(jī)連接,開啟MCU電源電路模塊2對(duì)溫度測(cè)試模塊4、濕度測(cè)試模塊5、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6供電,MCU微控制單元I利用溫度測(cè)試模塊4、濕度測(cè)試模塊5、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊6對(duì)各個(gè)參數(shù)進(jìn)行收集并利用上位機(jī)顯示,若與上一檢測(cè)步驟溫度不一致進(jìn)而對(duì)本檢測(cè)步驟環(huán)境進(jìn)行調(diào)整,以實(shí)現(xiàn)各個(gè)檢測(cè)步驟環(huán)境一致,保證各個(gè)檢測(cè)步驟所檢測(cè)的數(shù)據(jù)參數(shù)相同或縮小檢測(cè)誤差,提高磁電硬盤整體檢測(cè)穩(wěn)定性、精準(zhǔn)性。
      [0022]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn),這些改進(jìn)也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:包括MCU微控制單 元(1)、及于MCU微控制單元(1)連接MCU電源電路模塊(2 )、溫度測(cè)試模塊(4 )、濕度測(cè)試模塊(5 )、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊(6 )和硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊(7 ),其中MCU電源電路模塊(2)分別與穩(wěn)定測(cè)試模塊(4)、濕度測(cè)試模塊(5)、遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊(6)進(jìn)行供電;所述MCU微控制單元(1)接收本地溫度測(cè)試模塊(4)和濕度測(cè)試模塊(5)參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊(7)連接的上位機(jī)顯示;同時(shí)所述MCU微控制單元(1)接收遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊(6)的參數(shù)并利用與硬盤與服務(wù)器通訊互連電路模塊(7)連接的上位機(jī)顯不。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:所述用于超高速磁電硬盤的接口適配器還包括與MCU微控制單元(1)連接的MCU外部輔助電路模塊(3 ),其中MCU外部輔助電路模塊(3 )與MCU電源電路模塊(2 )連接。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:所述MCU微控制單元(1)為51單片機(jī)芯片。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:所述溫度測(cè)試模塊(4)和遠(yuǎn)端溫度測(cè)試模塊(6)為溫度傳感器或溫度測(cè)試儀,濕度測(cè)試模塊(5)為濕度傳感器或濕度測(cè)試儀。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:所述溫度測(cè)試儀優(yōu)選杭州奮樂儀器廠生產(chǎn)的型號(hào)為FLA5000。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于超高速磁電硬盤檢測(cè)的接口適配器,其特征在于:所述濕度測(cè)試儀優(yōu)選深圳市恩慈電子有限公司生產(chǎn)的型號(hào)為DT-625。
      【文檔編號(hào)】G01R1/04GK204241515SQ201420696218
      【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
      【發(fā)明者】鄭勇, 趙銘 申請(qǐng)人:蘇州市歐康諾電子科技有限公司
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