大功率高頻mosfet驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其包括與MOS管的信號輸入端相連接的脈沖隔離模塊，依次連接于脈沖隔離模塊上的脈沖調(diào)理模塊和驅(qū)動模塊，還包括連接于驅(qū)動模塊及MOS管上的故障檢測模塊，以及分別連接于脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊和故障檢測模塊上的電源模塊；故障檢測模塊包括與驅(qū)動模塊相連的負壓檢測電路和正壓檢測電路，與MOS管相連的脈沖檢測電路，以及與負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路相連的故障指示單元；脈沖隔離模塊、脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊、電源模塊及故障檢測模塊中的電容均采用貼片電容。本實用新型的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，便于電路板的制作，且具有更好的故障檢測能力。
【專利說明】大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電力電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路。

【背景技術(shù)】
[0002]大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路主要應(yīng)用在固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源中，是驅(qū)動MOSFET等高頻功率器件的專用電路，也是感應(yīng)加熱電源逆變單元的重要組成部分。但現(xiàn)有的MOSFET驅(qū)動電路中其電容為采用直插電容，因直插電容體積大且數(shù)量多而會造成電路板焊接困難。而且現(xiàn)有的MOSFET驅(qū)動電路其故障檢測功能也較為單一，從而會造成故障判斷上的不足。
實用新型內(nèi)容
[0003]有鑒于此，本實用新型旨在提出一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，以便于電路板的制作，且驅(qū)動電路具有更好的故障檢測能力。
[0004]為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其包括與M0S管的信號輸入端相連接的脈沖隔離模塊，依次連接于所述脈沖隔離模塊上的脈沖調(diào)理模塊和驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊與M0S管的信號輸入端相連，還包括連接于所述驅(qū)動模塊及M0S管上的故障檢測模塊，以及分別連接于所述脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊和故障檢測模塊上的電源模塊；所述故障檢測模塊包括與所述驅(qū)動模塊相連的負壓檢測電路和正壓檢測電路，與M0S管相連的脈沖檢測電路，以及與所述負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路相連的故障指示單元；所述脈沖隔離模塊、脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊、電源模塊及故障檢測模塊中的電容均采用貼片電容。
[0006]進一步的，所述的脈沖隔離模塊中采用磁隔離芯片。
[0007]進一步的，所述驅(qū)動模塊中采用單片式、表貼驅(qū)動芯片。
[0008]進一步的，所述驅(qū)動模塊中采用IXD-604系列驅(qū)動芯片。
[0009]進一步的，所述的故障指示單元為故障指示燈。
[0010]進一步的，所述的故障指示燈為分別連接設(shè)于負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路上的多個。
[0011]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有以下優(yōu)勢:
[0012]本實用新型的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，通過使用貼片電容可有利于線路的布局，且其具有散熱特性好，高頻特性好的特點。設(shè)置脈沖隔離、脈沖調(diào)理可保證輸入信號的可靠性和穩(wěn)定性。驅(qū)動模塊采用IXD-604系列驅(qū)動芯片，其工作電壓范圍較寬，具有較高的驅(qū)動能力，適合于高頻率及高功耗場合時應(yīng)用。故障檢測電路分別設(shè)置負壓檢測、正壓檢測即脈沖檢測，可確保故障檢測功能的完善性，提尚電路的保護性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]構(gòu)成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
[0014]圖1為本實用新型實施例所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0015]圖2為本實用新型實施例所述的電源模塊的電路原理圖；
[0016]圖3為本實用新型實施例所述的脈沖隔離模塊的電路原理圖；
[0017]圖4為本實用新型實施例所述的脈沖調(diào)理模塊的電路原理圖；
[0018]圖5為本實用新型實施例所述的驅(qū)動模塊的電路原理圖；
[0019]圖6為本實用新型實施例所述的故障檢測模塊的電路原理圖；

【具體實施方式】
[0020]需要說明的是，在不沖突的情況下，本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0021]下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本實用新型。
[0022]本實施例涉及一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，如圖1中所示，其包括與M0S管的信號輸入端相連接的脈沖隔離模塊，依次連接于脈沖隔離模塊上的脈沖調(diào)理模塊和驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊與M0S管的信號輸入端相連，還包括連接于驅(qū)動模塊及M0S管上的故障檢測模塊，以及分別連接于脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊和故障檢測模塊上的電源模塊。
[0023]本實施例中故障檢測模塊包括與驅(qū)動模塊相連的負壓檢測電路和正壓檢測電路，與M0S管相連的脈沖檢測電路，以及與負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路相連的故障指示單元。且本實施例中脈沖隔離模塊、脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊、電源模塊及故障檢測模塊中的電容均采用貼片電容，以避免使用直插電容帶來的電路布局及焊接困難。
[0024]電源模塊、脈沖隔離模塊、脈沖調(diào)理模塊，驅(qū)動模塊及故障檢測模塊的一種示例性電路可如圖2至圖6中所示。其中本實施例的脈沖隔離模塊中可為采用磁隔離芯片，以可避免電信號的干擾。驅(qū)動模塊采用單片式、表貼驅(qū)動芯片，以也可便于電路板布局及焊接，如其可為采用具有寬工作范圍及高驅(qū)動能力的IXD-604系列驅(qū)動芯片，具體型號可為如圖5中所示的IXDN604SI。本實施例中如圖6中所示，故障指示單元可為采用LED故障指示燈，并且從便于故障判斷的角度考慮，故障指示燈也為設(shè)置于負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路上的三個。
[0025]本大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，信號脈沖輸入脈沖隔離模塊，經(jīng)由磁隔離避免信號干擾，脈沖信號再進入脈沖調(diào)理模塊，經(jīng)調(diào)節(jié)整理后，輸出穩(wěn)定幅值和功率的脈沖信號，脈沖信號再輸入驅(qū)動模塊，經(jīng)過驅(qū)動模塊對信號功率放大后，能夠同時驅(qū)動10只大功率高頻MOSFET器件，從而能夠很好的保證脈沖的一致性和開關(guān)頻率特性，并可解決多只并聯(lián)MOSFET器件驅(qū)動困難的問題。
[0026]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于包括:與MOS管的信號輸入端相連接的脈沖隔離模塊，依次連接于所述脈沖隔離模塊上的脈沖調(diào)理模塊和驅(qū)動模塊，所述驅(qū)動模塊與MOS管的信號輸入端相連，還包括連接于所述驅(qū)動模塊及MOS管上的故障檢測模塊，以及分別連接于所述脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊和故障檢測模塊上的電源模塊；所述故障檢測模塊包括與所述驅(qū)動模塊相連的負壓檢測電路和正壓檢測電路，與MOS管相連的脈沖檢測電路，以及與所述負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路相連的故障指示單元；所述脈沖隔離模塊、脈沖調(diào)理模塊、驅(qū)動模塊、電源模塊及故障檢測模塊中的電容均采用貼片電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于:所述的脈沖隔離模塊中采用磁隔離芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于:所述驅(qū)動模塊中采用單片式、表貼驅(qū)動芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于:所述驅(qū)動模塊中采用IXD-604系列驅(qū)動芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于:所述的故障指示單元為故障指示燈。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大功率高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于:所述的故障指示燈為分別連接設(shè)于負壓檢測電路、正壓檢測電路和脈沖檢測電路上的多個。
【文檔編號】G01R31/00GK204205927SQ201420743034
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月2日
【發(fā)明者】李亞斌, 甄幸祿, 武敏智, 劉同召, 柴艷鵬 申請人:保定四方三伊電氣有限公司