雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅封裝的測試方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅封裝的測試方法，屬于電子元器件測試領(lǐng)域，包括步驟：S1：對(duì)雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行模擬高壓放電，其中，高壓放電時(shí)間為100ms；S2：對(duì)完成模擬高壓放電后的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行基本參數(shù)測試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅合格，若不符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅已損壞。
【專利說明】雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅封裝的測試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅封裝的測試方法，屬于電子元器件測試領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]在交流控制電機(jī)線路中，所用到的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅因其工作的特殊性對(duì)雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的正反向電壓要求較高，一般要求其內(nèi)部的電壓保證在900V?1000V以上，而雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的臺(tái)面結(jié)構(gòu)其內(nèi)部耐壓值一般可以做到大于1000V。但由于雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)其臺(tái)面里面是不能碰到或接近焊錫，而由于機(jī)修組裝不可能全部達(dá)到技術(shù)要求，所以對(duì)其測試提出了分選要求，只要裝片的焊錫多了或組裝斜了，對(duì)于雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅都會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性跟實(shí)用性，而為了防止上述產(chǎn)品質(zhì)量情況的發(fā)生，往往都會(huì)采取人工方式進(jìn)行高壓測試以防止焊錫多了或組裝斜的不可靠產(chǎn)品出廠，但采用這種方式既浪費(fèi)人力，又因?yàn)闇y試的量大，人工測試易出錯(cuò)，從而使得產(chǎn)品的質(zhì)量得不到保證。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種使測試更加合理、檢測結(jié)果更可靠，且有助于減少人工的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法。
[0004]本發(fā)明的一種雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，包括步驟:
[0005]S1:對(duì)雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行模擬高壓放電，其中，高壓放電時(shí)間為10ms ；
[0006]S2:對(duì)完成模擬高壓放電后的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行基本參數(shù)測試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅合格，若不符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅已損壞。
[0007]進(jìn)一步的，在所述步驟SI中，所述模擬高壓放電通過可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬高壓放電的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成。
[0008]進(jìn)一步的，在所述步驟SI中，所述高壓放電的方式為:在測試時(shí)間內(nèi)，使裝片焊錫靠近臺(tái)面的管子。
[0009]進(jìn)一步的，所述基本參數(shù)為正反電壓:VDRM和VRRM，正反漏電:IDRM和IRRM，控制極電流IGTl?4，控制極電壓:VGT1?4，撐住電流:IL1?4，維持電流:IH，通態(tài)峰值電壓:VTM0
[0010]借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn):通過使用本發(fā)明雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，從而使測試更加合理、檢測結(jié)果更可靠，且有助于減少人工。
[0011]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]如圖1是通過本發(fā)明的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法后判斷得到的合格的產(chǎn)品的波形圖；
[0013]如圖2是通過本發(fā)明的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法后判斷得到的已損壞的產(chǎn)品的波形圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0015]本發(fā)明的一種雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法包括步驟:
[0016]S1:對(duì)雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行模擬高壓放電，其中，高壓放電時(shí)間為100ms，該模擬高壓放電通過可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬高壓放電通過可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬高壓放電的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成，高壓放電的方式為:在測試時(shí)間內(nèi)，使裝片焊錫靠近臺(tái)面的管子。
[0017]S2:對(duì)完成模擬高壓放電后的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行基本參數(shù)測試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅合格，若不符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅已損壞。其中基本參數(shù)為正反電壓:VDRM和VRRM，正反漏電:IDRM和IRRM，控制極電流IGTl?4，控制極電壓:VGT1?4，撐住電流:IL1?4，維持電流:IH，通態(tài)峰值電壓:VTM。
[0018]如圖1所示通過本發(fā)明的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法后判斷得到的合格的產(chǎn)品的波形圖，測試過程為電壓從A，0V開始施加經(jīng)過2.5ms的測試時(shí)間到達(dá)B方波最高電壓，再經(jīng)C的T高壓放電的時(shí)間約100ms，裝片沒問題的再連續(xù)測試D，從圖中可看出，T2時(shí)產(chǎn)品的捕捉波形跟高壓放電的波形一樣，Tl加T2總測試時(shí)間為IlOms再到E結(jié)束。
[0019]如圖2所示通過本發(fā)明的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法后判斷得到的已損壞的產(chǎn)品的波形圖，測試過程為電壓從Al，OV開始施加經(jīng)過2.5ms的測試時(shí)間到達(dá)BI方波最高電壓，再經(jīng)Cl的T高壓放電的時(shí)間約100ms，從圖上可看出，裝片有問題的再經(jīng)過T2時(shí)，產(chǎn)品已經(jīng)不是正常的方波到Dl結(jié)束。
[0020]下面列舉利用本發(fā)明的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法進(jìn)行的實(shí)際產(chǎn)品的測試。
[0021]實(shí)施例一，型號(hào)為BTB04-1000LS的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為:通態(tài)均方根電流4A，其耐耐壓為大于1000V。
[0022]測試內(nèi)容:雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅測試參數(shù):利用IDRM和IRRM模擬高壓1000V
在拉長測試時(shí)間內(nèi)進(jìn)行高壓放電，再測試正常基本參數(shù)--反電壓:VDRM和VRRM同時(shí)
>1000V，正反漏電:IDRM和IRRM同時(shí)< 10uA，控制極電流:IGT1?4四個(gè)象限電流同時(shí)
<10mA，控制極電壓:VGT1?4四個(gè)象限電壓同時(shí)< 1.2V，撐住電流:IL1?4四個(gè)電流同時(shí)< 20m，維持電流:IH電流< 20mA，通態(tài)峰值電壓:VTM電壓ITM電流5A < 1.55V。當(dāng)上述指標(biāo)同時(shí)符合，則合格，若有一項(xiàng)不符合就判斷為不良品。
[0023]實(shí)施例二，型號(hào)為BTB137-1200LS的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為:通態(tài)均方根電流8A，其耐耐壓為大于1200V。
[0024]測試內(nèi)容:雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅測試參數(shù):利用IDRM和IRRM模擬高壓1200V在拉長測試時(shí)間內(nèi)進(jìn)行高壓放電，再測試正?；緟?shù)--反電壓:VDRM和VRRM同時(shí)
>1200V，正反漏電:IDRM和IRRM同時(shí)< 10uA，控制極電流:IGT1?4四個(gè)象限電流同時(shí)
<10mA，控制極電壓:VGT1?4四個(gè)象限電壓同時(shí)< 1.2V，撐住電流:IL1?4四個(gè)電流同時(shí)< 30m，維持電流:IH電流< 25mA，通態(tài)峰值電壓:VTM電壓ITM電流1A < 1.65V，當(dāng)上述指標(biāo)同時(shí)符合，則合格，若有一項(xiàng)不符合就判斷為不良品。
[0025]在上述兩個(gè)實(shí)施例的操作過程中，只需將測試條件編輯到可控硅測試模塊中，通過測試主機(jī)控制輸出高電壓并控制好測試時(shí)間，且使裝片焊錫靠近臺(tái)面的管子進(jìn)行充分的高壓放電，而焊錫沒有接近臺(tái)面的管子不會(huì)產(chǎn)生高壓放電，再利用分選自動(dòng)測試來判別其不良或良品，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化檢測以減少人工測試。上述測試方法中的模擬高壓放電需放在基本參數(shù)測試之前，從而防止在高壓放電時(shí)損壞已經(jīng)進(jìn)行正?；緟?shù)測試的產(chǎn)品被誤檢為合格。
[0026]綜上所示，通過使用上述雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，從而時(shí)測試更加合理、檢測結(jié)果更可靠，且有助于減少人工。
[0027]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，其特征在于:包括步驟: 51:對(duì)雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行模擬高壓放電，其中，高壓放電時(shí)間為10ms ； 52:對(duì)完成模擬高壓放電后的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行基本參數(shù)測試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅合格，若不符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅已損壞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，其特征在于:在所述步驟SI中，所述模擬高壓放電通過可控硅編程模塊實(shí)現(xiàn)，所述模擬高壓放電的模擬條件根據(jù)將實(shí)際人工測試條件加入至可控硅編程模塊內(nèi)進(jìn)行編制完成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，其特征在于:在所述步驟SI中，所述高壓放電的方式為:在測試時(shí)間內(nèi)，使裝片焊錫靠近臺(tái)面的管子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅的測試方法，其特征在于:所述基本參數(shù)為正反電壓:VDRM和VRRM，正反漏電:IDRM和IRRM，控制極電流IGTl?4，控制極電壓:VGTl?4，撐住電流:IL1?4，維持電流:IH，通態(tài)峰值電壓:VTM。
【文檔編號(hào)】G01R31/12GK104502823SQ201510001899
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2015年1月4日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月4日
【發(fā)明者】諸建周, 黃潔超 申請(qǐng)人:無錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司