本發(fā)明涉及電容老化測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)。

背景技術(shù)：

電容算是一個(gè)消耗性的元器件，在電路里面是不可缺少的元件。通常電容要是受過壓，過熱以及電化學(xué)腐蝕都會(huì)導(dǎo)致電容的老化，具體表現(xiàn)為充放電的時(shí)間會(huì)很短，甚至?xí)粨舸?，造成電解質(zhì)的泄露而固化造成直接的短路，原理是：不管是過壓還是過熱都會(huì)讓電容里面電解粒子的流動(dòng)超乎異常的活躍，從而形成逃逸極板的沖壓，尤其是過熱，這種現(xiàn)象更為明顯，直接表現(xiàn)為電容燒掉，發(fā)黑，在某種程度上過壓也會(huì)直接導(dǎo)致過熱現(xiàn)象。

led元器件在使用過久的情況下，會(huì)產(chǎn)生老化現(xiàn)象但是生活中，只要是led元器件，比如led燈壞了的情況下，人們就會(huì)更換并且扔掉壞了的，但是這樣則會(huì)造成資源浪費(fèi)，重則造成環(huán)境污染，因此，解決方法就是需要對(duì)這些元器件進(jìn)行回收再利用，但是又要考慮led元器件的損壞問題，檢測(cè)是否是老化造成的，現(xiàn)有的技術(shù)對(duì)于這一塊卻得不到很好的處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)，包括隧道箱，所述隧道箱的兩側(cè)連接有操作臺(tái)，所述操作臺(tái)的上壁安裝有傳送滾軸，且隧道箱的一側(cè)外壁安裝有l(wèi)ed燈組，所述隧道箱的上壁兩側(cè)設(shè)有影像傳感器，且隧道箱的前壁一側(cè)設(shè)有觸控屏，所述隧道箱的前壁另一側(cè)下方設(shè)有開關(guān)按鈕，且隧道箱的下方固定有支腳，所述支腳之間通過支桿進(jìn)行連接，所述操作臺(tái)的下方安裝有電配箱，所述電配箱的前壁固定有柜門，所述柜門通過卡扣固定在電配箱上，所述柜門的外壁一側(cè)設(shè)有鑰匙孔。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述隧道箱的內(nèi)部以3-5cm間隔安裝有高溫?zé)艄?，所述高溫?zé)艄苤g電導(dǎo)頭，所述電導(dǎo)頭之間連接有勵(lì)磁線圈。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述支腳共設(shè)置有四個(gè)，且四個(gè)支腳均勻焊接在隧道箱的下方四個(gè)拐角處。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述開關(guān)按鈕的輸出端與觸控屏的輸入端電性連接。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述影像傳感器共設(shè)置有四個(gè)，且以兩個(gè)一組分別嵌設(shè)在隧道箱的上壁兩側(cè)處。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述開關(guān)按鈕的輸出端與影像傳感器的輸入端電性連接。

本發(fā)明中，該隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)，其主要通過隧道箱和操作臺(tái)組成，led元器件放置在右側(cè)操作臺(tái)，經(jīng)由傳送滾軸傳送到隧道箱中，通過隧道箱內(nèi)的高溫?zé)艄苎杆侔l(fā)熱和勵(lì)磁線圈瞬間產(chǎn)生高壓，使得led元器件處于高溫高壓的環(huán)境中，通過設(shè)置的程序來控制其置于隧道箱中的時(shí)間，以保證led元器件可以達(dá)到過壓和過熱的狀態(tài)，通過影像傳感器的進(jìn)出影像分析，從而判斷l(xiāng)ed元器件是否老化，該隧道式led元器件電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理，自動(dòng)化運(yùn)行，工作效率高值得大力推廣。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)的外觀結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)隧道箱內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖例說明：

1-操作臺(tái)、2-傳送滾軸、3-led燈組、4-隧道箱、5-影像傳感器、6-卡扣、7-電配箱、8-柜門、9-鑰匙孔、10-支腳、11-支桿、12-觸控屏、13-開關(guān)按鈕、14-電導(dǎo)頭、15-勵(lì)磁線圈、16-高溫?zé)艄堋?/p>

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照?qǐng)D1-2，隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)，包括隧道箱4，隧道箱4的兩側(cè)連接有操作臺(tái)1，操作臺(tái)1的上壁安裝有傳送滾軸2，主要用來傳送led元器件，且隧道箱4的一側(cè)外壁安裝有l(wèi)ed燈組3，能夠根據(jù)檢測(cè)到的狀態(tài)發(fā)出相應(yīng)的燈光，隧道箱4的上壁兩側(cè)設(shè)有影像傳感器5，可以直接對(duì)進(jìn)出的led元器件拍照分析，且隧道箱4的前壁一側(cè)設(shè)有觸控屏12，隧道箱4的前壁另一側(cè)下方設(shè)有開關(guān)按鈕13，且隧道箱4的下方固定有支腳10，支腳10之間通過支桿11進(jìn)行連接，操作臺(tái)1的下方安裝有電配箱7，為主要的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，電配箱7的前壁固定有柜門8，柜門8通過卡扣6固定在電配箱7上，柜門8的外壁一側(cè)設(shè)有鑰匙孔9，隧道箱4的內(nèi)部以3-5cm間隔安裝有高溫?zé)艄?6，能夠瞬間產(chǎn)生高溫，高溫?zé)艄?6之間電導(dǎo)頭14，電導(dǎo)頭14之間連接有勵(lì)磁線圈15，可以瞬間產(chǎn)生高壓，支腳10共設(shè)置有四個(gè)，且四個(gè)支腳10均勻焊接在隧道箱4的下方四個(gè)拐角處，開關(guān)按鈕13的輸出端與觸控屏12的輸入端電性連接，影像傳感器5共設(shè)置有四個(gè)，且以兩個(gè)一組分別嵌設(shè)在隧道箱4的上壁兩側(cè)處，開關(guān)按鈕13的輸出端與影像傳感器5的輸入端電性連接。

工作原理：使用時(shí)，先將該機(jī)器通電，將待測(cè)led元器件放置在右側(cè)的操作臺(tái)1上，按下開關(guān)按鈕13，通過傳送滾軸2將其運(yùn)送到隧道箱4中，通過觸控屏12設(shè)置程序，通過控制傳送滾軸2的運(yùn)轉(zhuǎn)速率，從而控制led元器件在隧道箱4內(nèi)的留存時(shí)間，利用高溫?zé)艄?6產(chǎn)生高溫，使得led元器件過熱，同時(shí)，電導(dǎo)頭14激發(fā)電壓，通過勵(lì)磁線圈15產(chǎn)生磁場，使得led元器件處于高壓的狀態(tài)下，使其達(dá)到過壓過熱的狀態(tài)，通過影像傳感器5對(duì)進(jìn)出的led元器件留存影像分析，如果出來時(shí)發(fā)黑，代表已老化，這時(shí)led燈組3閃紅光，如果出來時(shí)未發(fā)黑，則代表正常，這時(shí)led燈組3閃綠光，從而完成測(cè)試過程。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)，包括隧道箱，所述隧道箱的兩側(cè)連接有操作臺(tái)，所述操作臺(tái)的上壁安裝有傳送滾軸，且隧道箱的一側(cè)外壁安裝有LED燈組，所述隧道箱的上壁兩側(cè)設(shè)有影像傳感器，所述柜門通過卡扣固定在電配箱上。本發(fā)明中，該隧道式電容自動(dòng)老化測(cè)試機(jī)，其主要通過隧道箱和操作臺(tái)組成，LED元器件放置在右側(cè)操作臺(tái)，經(jīng)由傳送滾軸傳送到隧道箱中，通過隧道箱內(nèi)的高溫?zé)艄苎杆侔l(fā)熱和勵(lì)磁線圈瞬間產(chǎn)生高壓，使得LED元器件處于高溫高壓的環(huán)境中，通過設(shè)置的程序來控制其置于隧道箱中的時(shí)間，以保證LED元器件可以達(dá)到過壓和過熱的狀態(tài)，通過影像傳感器的進(jìn)出影像分析，從而判斷LED元器件是否老化。

技術(shù)研發(fā)人員：黃穎輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.08.29