本公開涉及測(cè)試，尤其涉及一種測(cè)試系統(tǒng)以及測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)代工業(yè)，特別是電子工業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)中，靜電可對(duì)電子器件造成硬擊穿或軟擊穿的損害。硬擊穿是一次性造成電子器件徹底損壞，永久失效。軟擊穿可導(dǎo)致電子器件性能劣化或參數(shù)指標(biāo)下降進(jìn)而造成故障隱患。因此，要對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行靜電測(cè)試，以評(píng)估電子產(chǎn)品的抗靜電干擾能力。

2、在傳統(tǒng)的靜電測(cè)試中，靜電測(cè)試儀由放電裝置、探頭和檢測(cè)系統(tǒng)組成。在對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行靜電測(cè)試時(shí)，由放電裝置通過探頭對(duì)樣品定時(shí)放電，使被測(cè)樣品特定區(qū)域受到外部靜電，測(cè)試樣品的靜電耐壓值。在這種測(cè)試方式中，由探頭將放電裝置提供的靜電釋放至樣品表面，通過探頭接入電子器件樣品的特定端口進(jìn)行靜電測(cè)試，觀察電子器件樣品是否存在燒毀，或測(cè)試電子器件樣品電性能驗(yàn)證是否出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于探頭接入樣品的方式，對(duì)于測(cè)試樣品例如印制電路板(printed?circuit?board，pcb)的檢測(cè)需要進(jìn)行多次不同位置的放電進(jìn)行靜電測(cè)試以達(dá)到檢測(cè)目的，相對(duì)耗時(shí)且低效。另外，針對(duì)整板進(jìn)行測(cè)試，通常是對(duì)整板的接地端口進(jìn)行放電測(cè)試，無法真實(shí)有效模擬實(shí)際靜電情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題，本公開提供了一種測(cè)試系統(tǒng)以及測(cè)試方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)通過單點(diǎn)放電方式無法有效覆蓋至整個(gè)待測(cè)試器件表面導(dǎo)致測(cè)試耗時(shí)且低效的問題，有利于提高測(cè)試效率，以及模擬待測(cè)試器件更加真實(shí)的運(yùn)行環(huán)境，有利于提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度。

2、第一方面，本公開提供了一種測(cè)試系統(tǒng)包括：靜電發(fā)生裝置、靜電粒子產(chǎn)生裝置和發(fā)射裝置；

3、所述靜電粒子產(chǎn)生裝置分別與所述靜電發(fā)生裝置以及所述發(fā)射裝置連通；

4、所述靜電發(fā)生裝置用于向所述靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電，以使所述靜電粒子產(chǎn)生裝置中注入的中性粒子攜帶靜電；所述發(fā)射裝置用于將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。

5、在一些實(shí)施例中，所述測(cè)試系統(tǒng)還包括：靜電檢測(cè)裝置；

6、所述靜電檢測(cè)裝置用于檢測(cè)所述靜電粒子產(chǎn)生裝置內(nèi)的靜電電壓值。

7、在一些實(shí)施例中，所述測(cè)試系統(tǒng)還包括：開關(guān)裝置，所述開關(guān)裝置設(shè)置在所述靜電粒子產(chǎn)生裝置與所述發(fā)射裝置的連通處。

8、在一些實(shí)施例中，所述靜電粒子產(chǎn)生裝置包括空氣流動(dòng)模塊；

9、所述空氣流動(dòng)模塊用于控制所述靜電粒子產(chǎn)生裝置中攜帶靜電的粒子循環(huán)移動(dòng)。

10、在一些實(shí)施例中，所述測(cè)試系統(tǒng)還包括腔體；所述發(fā)射裝置與所述腔體連通；所述腔體用于放置所述待測(cè)試器件。

11、在一些實(shí)施例中，所述測(cè)試系統(tǒng)還包括器件測(cè)試裝置，所述器件測(cè)試裝置用于對(duì)所述待測(cè)試器件進(jìn)行電性測(cè)試。

12、在一些實(shí)施例中，所述發(fā)射裝置發(fā)射攜帶靜電的粒子的束流方向與所述待測(cè)試器件所在平面方向的夾角范圍為目標(biāo)夾角范圍。

13、在一些實(shí)施例中，所述發(fā)射裝置的發(fā)射端與所述待測(cè)試器件之間的距離小于目標(biāo)距離閾值。

14、第二方面，本公開還提供了一種測(cè)試方法，適用于如第一方面所述的測(cè)試系統(tǒng)，所述測(cè)試方法包括：

15、控制靜電發(fā)生裝置向所述靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電，以使所述靜電粒子產(chǎn)生裝置中存儲(chǔ)的中性粒子攜帶靜電；

16、控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。

17、在一些實(shí)施例中，在所述控制靜電發(fā)生裝置向所述靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電之前，所述測(cè)試方法包括：

18、確定覆蓋待測(cè)試器件的檢測(cè)區(qū)域所需的中性粒子的注入量，并注入所述靜電粒子產(chǎn)生裝置。

19、在一些實(shí)施例中，所述控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面，包括：

20、根據(jù)發(fā)射裝置的發(fā)射端口徑、待測(cè)試器件的檢測(cè)區(qū)域尺寸以及控制發(fā)射裝置的流速關(guān)系，確定調(diào)節(jié)發(fā)射裝置的當(dāng)前發(fā)射端口徑和當(dāng)前待測(cè)試器件的檢測(cè)區(qū)域尺寸對(duì)應(yīng)的發(fā)射裝置的目標(biāo)流速；

21、控制發(fā)射裝置以所述目標(biāo)流速將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。

22、在一些實(shí)施例中，所述控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面包括：

23、確定所述靜電粒子產(chǎn)生裝置內(nèi)的靜電電壓值達(dá)到待測(cè)試器件對(duì)應(yīng)的防靜電壓測(cè)試值，控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。

24、在一些實(shí)施例中，在控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面之后，所述測(cè)試方法還包括：

25、確定所述待測(cè)試器件無可視損壞情況，通過器件測(cè)試裝置對(duì)所述待測(cè)試器件進(jìn)行電性測(cè)試；

26、響應(yīng)于電性測(cè)試結(jié)果合格，確定待測(cè)試器件滿足當(dāng)前防靜電壓測(cè)試值。

27、在一些實(shí)施例中，在電性測(cè)試結(jié)果合格之后，所述測(cè)試方法還包括：

28、更換相同型號(hào)的另一待測(cè)試器件，并增加所述防靜電壓測(cè)試值進(jìn)行靜電測(cè)試；

29、將最后一次電性測(cè)試結(jié)果合格對(duì)應(yīng)的防靜電壓測(cè)試值作為待測(cè)試器件的極限靜電耐壓值。

30、本公開實(shí)施例提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

31、本公開實(shí)施例提供的測(cè)試系統(tǒng)，包括靜電發(fā)生裝置、靜電粒子產(chǎn)生裝置和發(fā)射裝置；靜電粒子產(chǎn)生裝置分別與靜電發(fā)生裝置以及發(fā)射裝置連通；靜電發(fā)生裝置用于向靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電，以使靜電粒子產(chǎn)生裝置中注入的中性粒子攜帶靜電；發(fā)射裝置用于將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。通過靜電發(fā)生裝置向靜電粒子產(chǎn)生裝置中的中性粒子提供靜電，以使中性粒子攜帶靜電，由發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面，以測(cè)試待測(cè)試器件的靜電釋放(electro-static?discharge，esd)防護(hù)水平，可真實(shí)模擬待測(cè)試器件例如pcb板在實(shí)際使用過程遇到的環(huán)境因素。通過改善放電方式，將電壓接入方式由現(xiàn)有技術(shù)中的探頭接入優(yōu)化為直接發(fā)射帶電粒子，將帶電粒子鋪滿待測(cè)試器件例如pcb表面，實(shí)現(xiàn)點(diǎn)對(duì)面的靜電輸入，從而更高效測(cè)試樣品的esd防護(hù)水平。由此，本公開實(shí)施例提供的測(cè)試系統(tǒng)，通過引入帶電粒子的方式，解決了現(xiàn)有技術(shù)通過單點(diǎn)放電方式無法有效覆蓋至整個(gè)待測(cè)試器件表面導(dǎo)致測(cè)試耗時(shí)且低效的問題，有利于提高測(cè)試效率，以及模擬待測(cè)試器件更加真實(shí)的運(yùn)行環(huán)境，有利于提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度。

技術(shù)特征：

1.一種測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，包括：靜電發(fā)生裝置、靜電粒子產(chǎn)生裝置和發(fā)射裝置；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，還包括：靜電檢測(cè)裝置；

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，還包括：開關(guān)裝置，所述開關(guān)裝置設(shè)置在所述靜電粒子產(chǎn)生裝置與所述發(fā)射裝置的連通處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述靜電粒子產(chǎn)生裝置包括空氣流動(dòng)模塊；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，還包括腔體；所述發(fā)射裝置與所述腔體連通；所述腔體用于放置所述待測(cè)試器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，還包括器件測(cè)試裝置，所述器件測(cè)試裝置用于對(duì)所述待測(cè)試器件進(jìn)行電性測(cè)試。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)射裝置發(fā)射攜帶靜電的粒子的束流方向與所述待測(cè)試器件所在平面方向的夾角范圍為目標(biāo)夾角范圍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)射裝置的發(fā)射端與所述待測(cè)試器件之間的距離小于目標(biāo)距離閾值。

9.一種測(cè)試方法，其特征在于，適用于如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的測(cè)試系統(tǒng)，所述測(cè)試方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)試方法，其特征在于，在所述控制靜電發(fā)生裝置向所述靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電之前，所述方法還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的測(cè)試方法，其特征在于，在控制發(fā)射裝置將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面之后，所述方法還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的測(cè)試方法，其特征在于，在電性測(cè)試結(jié)果合格之后，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)試系統(tǒng)以及測(cè)試方法。其中，測(cè)試系統(tǒng)包括：靜電發(fā)生裝置、靜電粒子產(chǎn)生裝置和發(fā)射裝置；靜電粒子產(chǎn)生裝置分別與靜電發(fā)生裝置以及發(fā)射裝置連通；靜電發(fā)生裝置用于向靜電粒子產(chǎn)生裝置提供靜電，以使靜電粒子產(chǎn)生裝置中注入的中性粒子攜帶靜電；發(fā)射裝置用于將攜帶靜電的粒子發(fā)射覆蓋待測(cè)試器件表面。本公開的技術(shù)方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)通過單點(diǎn)放電方式無法有效覆蓋至整個(gè)待測(cè)試器件表面導(dǎo)致測(cè)試耗時(shí)且低效的問題，有利于提高測(cè)試效率，以及模擬待測(cè)試器件更加真實(shí)的運(yùn)行環(huán)境，有利于提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度。

技術(shù)研發(fā)人員：王蘇鳴,劉永祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京羅克維爾斯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10