本發(fā)明屬于測(cè)試，尤其涉及一種芯片測(cè)試電路及其裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路芯片在生產(chǎn)制作過程中，因環(huán)節(jié)眾多，工藝精細(xì)復(fù)雜，部分芯片在制作過程中便已出現(xiàn)損壞，若將損壞芯片與正常芯片同時(shí)向市場(chǎng)進(jìn)行投放，必會(huì)造成市場(chǎng)的混亂，因此在芯片進(jìn)入市場(chǎng)前，需對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。

2、現(xiàn)有技術(shù)在芯片物料進(jìn)行通電測(cè)試時(shí)，需要將芯片放置在一個(gè)具備很多導(dǎo)電引腳的電檢槽內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，以檢查芯片物料是否能夠正常使用，而放置的過程均是將芯片物料逐個(gè)放置于電檢槽內(nèi)，通電測(cè)試的過程需要耗費(fèi)一定的時(shí)間，待上一個(gè)芯片物料測(cè)試完畢后才能放置下一個(gè)芯片物料，多個(gè)芯片物料的等待則耗費(fèi)大量生產(chǎn)時(shí)間，降低了產(chǎn)線的測(cè)試效率，不利于產(chǎn)線的高效生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種芯片測(cè)試電路，旨在解決傳統(tǒng)的技術(shù)方案中存在的多個(gè)芯片物料的測(cè)試耗費(fèi)時(shí)間長，生產(chǎn)效率低的問題。

2、一種芯片測(cè)試電路，用于連接多個(gè)待測(cè)試芯片，所述芯片測(cè)試電路包括：

3、電源單元，用于提供電源；

4、信號(hào)輸入單元，與所述電源單元以及所述待測(cè)試芯片連接，用于根據(jù)測(cè)試信號(hào)輸出芯片測(cè)試信號(hào)；

5、開關(guān)單元，與所述信號(hào)輸入單元以及所述待測(cè)試芯片連接，用于根據(jù)開關(guān)信號(hào)導(dǎo)通或斷開所述信號(hào)輸入單元和所述待測(cè)試芯片，并根據(jù)所述開關(guān)信號(hào)和所述芯片測(cè)試信號(hào)輸出反饋信號(hào)；

6、輸出單元，與所述開關(guān)單元以及所述電源單元連接，用于根據(jù)所述反饋信號(hào)生成輸出信號(hào)；

7、控制單元，與所述電源單元、所述信號(hào)輸入單元、所述開關(guān)單元以及所述輸出單元連接，用于接收所述輸出信號(hào)，并生成所述開關(guān)信號(hào)和所述測(cè)試信號(hào)。

8、進(jìn)一步地，所述電源單元包括第一電壓轉(zhuǎn)換模塊和第二電壓轉(zhuǎn)換模塊，所述第一電壓轉(zhuǎn)換模塊與所述控制單元連接并輸出第一電壓至所述控制單元，?所述第二電壓轉(zhuǎn)換模塊與所述信號(hào)輸入單元連接并輸出第二電壓至所述信號(hào)輸入單元。

9、進(jìn)一步地，所述第一電壓轉(zhuǎn)換模塊包括穩(wěn)壓芯片、第一電容、第二電容、第三電容、第一分壓電阻、第二分壓電阻以及第一電感；

10、所述第一電感的第一端連接外部電壓，所述第一電感的另一端連接所述穩(wěn)壓芯片的輸入端，所述第一電容設(shè)置在所述穩(wěn)壓芯片的輸入端和地之間，所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻串連連接在所述穩(wěn)壓芯片的輸出端和地之間，所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻的公共連接端連接所述穩(wěn)壓芯片的調(diào)節(jié)端，所述第二電容設(shè)置在所述穩(wěn)壓芯片的調(diào)節(jié)端和地之間，所述第三電容設(shè)置在所述穩(wěn)壓芯片的輸出端和地之間，所述穩(wěn)壓芯片的輸出端連接所述控制單元。

11、進(jìn)一步地，所述開關(guān)單元包括多個(gè)并聯(lián)的開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括npn三極管、pnp三極管、第一電阻以及第二電阻；

12、所述pnp三極管的發(fā)射極作為所述開關(guān)模塊的輸出端，所述第一電阻連接在所述pnp三極管的基極和所述pnp三極管的發(fā)射極之間，所述pnp三極管的集電極連接所述待測(cè)試芯片，所述第二電阻連接在所述pnp三極管的基極和所述npn三極管的集電極之間，所述npn三極管的基極連接所述控制單元，所述npn三極管的發(fā)射極接地。

13、進(jìn)一步地，所述信號(hào)輸出單元包括第二三極管、第三三極管、第四三極管、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七點(diǎn)阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第六電容、第七電容、第八電容以及第九電容；

14、所述第三電阻和所述第四電阻串聯(lián)連接在所述第二三極管的基極和地之間，所述第三電阻和所述第四電阻的公共連接端作為第一信號(hào)輸入端，所述第二三極管的發(fā)射極接地，所述第五電阻和所述第六電阻串聯(lián)連接在所述電源單元和所述第二三極管的集電極之間，所述第六電容連接在所述第五電阻和所述第六電阻的公共連接端和地之間，所述第三三極管的基極連接所述第五電阻和所述第六電阻的公共連接端，所述第三三極管的集電極接地，所述第七電容連接在所述第三三極管的發(fā)射極和電源單元之間，所述第七電阻連接在所述第三三極管的發(fā)射極和電源單元之間，所述第八電容連接在所述第三三極管的發(fā)射極和地之間，所述第八電阻的第一端作為第二信號(hào)輸入端，所述第八電阻的第二端通過所述第九電阻連接所述第四三極管的基極，所述第九電容連接在所述第九電阻的第二端和所述第四三極管的集電極之間，所述第四三極管的基極通過所述第十電阻和地之間，所述第四三極管的發(fā)射極接地。

15、進(jìn)一步地，所述輸出單元包括：比較器、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻、第十六電阻、第十電容以及第十一電容；

16、所述比較器的反相輸入端通過串聯(lián)的所述第十一電阻和所述第十二電阻連接所述電源單元，所述第十三電阻連接在所述第十一電阻和所述第十二電阻公共連接端和地之間，所述第十電容連接在所述第十一電阻和所述第十二電阻公共連接端和地之間，所述比較器的正相輸入端通過串聯(lián)的所述第十四電阻和所述第十五電阻連接所述開關(guān)單元，所述第十一電容連接在所述第十四電阻和所述第十五電阻公共連接端和地之間，所述比較器的輸出端連接所述控制單元，所述第十六電阻連接在所述比較器的輸出端和所述電源單元之間。

17、進(jìn)一步地，還包括發(fā)聲模塊，所述發(fā)聲模塊與所述控制單元連接，用于根據(jù)所述控制單元發(fā)出的發(fā)聲信號(hào)進(jìn)行發(fā)聲動(dòng)作。

18、進(jìn)一步地，所述發(fā)聲模塊包括第十七電阻、第一三極管以及蜂鳴器；

19、所述第十七電阻連接在所述第一三極管的基極和所述控制單元之間，所述第一三極管的集電極連接所述蜂鳴器的負(fù)極，所述第一三極管的發(fā)射極接地，所述蜂鳴器的正極連接所述電源單元。

20、進(jìn)一步地，電源單元還包括第三電壓轉(zhuǎn)換模塊，所述第三電壓轉(zhuǎn)換模塊包括穩(wěn)壓器、第四電容、第五電容、第十八電阻以及發(fā)光二極管；

21、所述穩(wěn)壓器的輸入端連接外部電壓，所述第四電容連接在所述穩(wěn)壓器的輸入端和地之間，所述穩(wěn)壓器的接地端接地，所述第五電容連接在所述穩(wěn)壓器的輸出端和地之間，所述第十八電阻的第一端連接所述穩(wěn)壓器的輸出端，所述第十八電阻的第二端連接所述發(fā)光二極管的正極，所述發(fā)光二極管的負(fù)極接地，所述穩(wěn)壓器的輸出端連接所述信號(hào)輸入單元。

22、此外，還提供了一種芯片測(cè)試裝置，用于連接待測(cè)試芯片，所述芯片測(cè)試裝置包括：

23、多個(gè)芯片接口，所述芯片接口用于連接所述待測(cè)試芯片；

24、上述的芯片測(cè)試電路，所述芯片測(cè)試電路連接所述芯片接口。

25、上述的芯片測(cè)試電路，可以同時(shí)將多個(gè)待測(cè)試芯片同時(shí)接入測(cè)試電路，通過控制單元控制開關(guān)單元接入該多個(gè)待測(cè)試芯片，并按照預(yù)定的測(cè)試順序?qū)Υ郎y(cè)試芯片進(jìn)行測(cè)試，待測(cè)試芯片可以以較快的速度切換測(cè)試，大大降低了芯片物料的切換時(shí)間，提高了測(cè)試效率和生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種芯片測(cè)試電路，用于連接多個(gè)待測(cè)試芯片，其特征在于，所述芯片測(cè)試電路包括：

2.?如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述電源單元包括第一電壓轉(zhuǎn)換模塊和第二電壓轉(zhuǎn)換模塊，所述第一電壓轉(zhuǎn)換模塊與所述控制單元連接并輸出第一電壓至所述控制單元，?所述第二電壓轉(zhuǎn)換模塊與所述信號(hào)輸入單元連接并輸出第二電壓至所述信號(hào)輸入單元。

3.如權(quán)利要求2所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述第一電壓轉(zhuǎn)換模塊包括穩(wěn)壓芯片、第一電容、第二電容、第三電容、第一分壓電阻、第二分壓電阻以及第一電感；

4.如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述開關(guān)單元包括多個(gè)并聯(lián)的開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括npn三極管、pnp三極管、第一電阻以及第二電阻；

5.如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述信號(hào)輸出單元包括第二三極管、第三三極管、第四三極管、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七點(diǎn)阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第六電容、第七電容、第八電容以及第九電容；

6.如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述輸出單元包括：比較器、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻、第十六電阻、第十電容以及第十一電容；

7.如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，還包括發(fā)聲模塊，所述發(fā)聲模塊與所述控制單元連接，用于根據(jù)所述控制單元發(fā)出的發(fā)聲信號(hào)進(jìn)行發(fā)聲動(dòng)作。

8.如權(quán)利要求7所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述發(fā)聲模塊包括第十七電阻、第一三極管以及蜂鳴器；

9.如權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試電路，其特征在于，所述電源單元還包括第三電壓轉(zhuǎn)換模塊，所述第三電壓轉(zhuǎn)換模塊包括穩(wěn)壓器、第四電容、第五電容、第十八電阻以及發(fā)光二極管；

10.一種芯片測(cè)試裝置，用于連接待測(cè)試芯片，其特征在于，所述芯片測(cè)試裝置包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種芯片測(cè)試電路，用于連接多個(gè)待測(cè)試芯片，所述芯片測(cè)試電路包括：電源單元，用于提供電源；信號(hào)輸入單元，與所述電源單元以及所述待測(cè)試芯片連接，用于根據(jù)測(cè)試信號(hào)輸出芯片測(cè)試信號(hào)；開關(guān)單元，與所述信號(hào)輸入單元以及所述待測(cè)試芯片連接，用于根據(jù)開關(guān)信號(hào)導(dǎo)通或斷開信號(hào)輸入單元和待測(cè)試芯片，并根據(jù)開關(guān)信號(hào)和所述芯片測(cè)試信號(hào)輸出反饋信號(hào)；輸出單元，與所述開關(guān)單元以及所述電源單元連接，用于根據(jù)所述反饋信號(hào)生成輸出信號(hào)；控制單元，與所述電源單元、所述信號(hào)輸入單元、所述開關(guān)單元以及所述輸出單元連接，用于接收所述輸出信號(hào)，并生成所述開關(guān)信號(hào)和所述測(cè)試信號(hào)。

技術(shù)研發(fā)人員：徐海,董一鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中山遠(yuǎn)實(shí)微科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19