本申請涉及半導體測試，特別是涉及一種半導體測試結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在半導體無功測試時通常需要設置冷卻結(jié)構(gòu)以滿足降溫需求，現(xiàn)有常用單面水冷和雙面水冷兩種方式。

2、其中，就雙面水冷而言，由于會在功率半導體的上方和下方均需要設置水道板，導致功率半導體的上方用于放置測試電路板的空間會縮小，甚至沒有空間用于放置測試電路板，導致功率半導體檢測較困難。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種半導體測試結(jié)構(gòu)，為測試電路板的穩(wěn)定放置提供充足的空間，確保功率半導體的檢測正常進行，并可以滿足散熱降溫需求。

2、一種半導體測試結(jié)構(gòu)，包括壓接軟銅排、壓接硬銅排和轉(zhuǎn)接銅排，

3、所述壓接硬銅排連接于所述壓接軟銅排與所述轉(zhuǎn)接銅排之間，且所述壓接軟銅排背離所述壓接硬銅排的一端用于連接功率半導體，所述轉(zhuǎn)接銅排背離所述壓接硬銅排的一端用于連接線纜；

4、所述半導體測試結(jié)構(gòu)還包括支撐座和冷卻板，所述支撐座支撐于所述壓接硬銅排，所述冷卻板安裝于所述支撐座，并位于所述壓接硬銅排的上方，所述冷卻板用于對所述壓接硬銅排進行散熱。

5、可以理解的是，利用壓接硬銅排的設置，以連接于壓接軟銅排和轉(zhuǎn)接銅排之間，延長了壓接軟銅排至轉(zhuǎn)接銅排之間的安裝長度，以便將轉(zhuǎn)接銅排布置在其他位置。因此，當為了滿足壓接硬銅排穩(wěn)定裝配時，也就相當于預留出較多的裝配空間，以用于放置測試電路板。在這個過程中，利用支撐座的設置確保壓接硬銅排裝配穩(wěn)定，不會輕易產(chǎn)生偏移或者波動而影響測試效果或者增加雜感，并可以確保測試電路板穩(wěn)定放置；且，利用冷卻板的裝配可以及時并有效的對壓接硬銅排進行散熱降溫，避免過熱而影響測試結(jié)果。

6、在其中一些實施例中，沿豎直方向，所述轉(zhuǎn)接銅排位于所述壓接軟銅排的上方，所述壓接硬銅排朝向所述轉(zhuǎn)接銅排的一端具有第一彎折段，所述第一彎折段沿豎直方向向上延伸，所述第一彎折段的延伸末端連接于所述轉(zhuǎn)接銅排。

7、在其中一些實施例中，所述壓接硬銅排還具有第二彎折段和連接段，所述連接段連接于所述第二彎折段和所述第一彎折段之間；

8、其中，所述連接段、所述第一彎折段和所述第二彎折段，兩兩成角度設置，且所述第二彎折段沿所述壓接軟銅排的長度方向延伸，所述第二彎折段的延伸末端連接于對應的所述壓接軟銅排。

9、在其中一些實施例中，所述連接段和所述第二彎折段位于第一平面內(nèi)。

10、在其中一些實施例中，所述支撐座包括支撐底板和連接于所述支撐底板的支撐豎板，所述支撐豎板與所述支撐底板成角度設置，所述支撐底板支撐于所述連接段和所述第二彎折段，所述支撐豎板支撐于所述第一彎折段；其中，至少所述支撐底板連接有所述冷卻板。

11、在其中一些實施例中，所述支撐底板和/或所述支撐豎板均凹設有裝配槽，所述壓接硬銅排安裝于所述裝配槽，且所述裝配槽的形狀與所述壓接硬銅排的形狀相適配；其中，所述壓接硬銅排的厚度小于所述裝配槽的凹陷深度。

12、在其中一些實施例中，所述壓接軟銅排的數(shù)量為多個，且多個所述壓接軟銅排沿第一方向間隔布置，所述第一方向為所述壓接軟銅排的寬度方向；每個所述壓接軟銅排對應連接一個所述壓接硬銅排和一個所述轉(zhuǎn)接銅排，且各個所述壓接硬銅排和各個所述轉(zhuǎn)接銅排均間隔布置；其中，以全部所述壓接軟銅排為壓接組，以全部的所述轉(zhuǎn)接銅排為轉(zhuǎn)接組，所述轉(zhuǎn)接組設置于所述壓接組沿第一方向的一側(cè)；多個所述壓接軟銅排中，靠近所述轉(zhuǎn)接組的所述壓接軟銅排對應的所述壓接硬銅排的長度，小于遠離所述轉(zhuǎn)接組的所述壓接軟銅排對應的所述壓接硬銅排的長度。

13、在其中一些實施例中，多個所述壓接硬銅排中，長度較大的所述壓接硬銅排位于長度較小的所述壓接硬銅排的外側(cè)。

14、其中一些實施例中，所述冷卻板構(gòu)造有送氣氣道以及連通于所述送氣氣道的進氣口和多個吹氣孔，多個所述吹氣孔位于所述冷卻板朝向所述壓接硬銅排的一側(cè)，所述送氣氣道的延伸形狀與所述壓接硬銅排的延伸形狀相適應，且多個所述吹氣孔沿所述送氣氣道的延伸方向間隔布置；和/或，所述支撐底板構(gòu)造有多個沿自身厚度方向貫穿的散熱孔，且多個所述散熱孔沿所述壓接硬銅排的延伸方向相適應間隔布置。

15、在其中一些實施例中，所述半導體測試結(jié)構(gòu)還包括：

16、探針固定板，覆蓋于部分所述壓接硬銅排背離所述支撐座的一側(cè)，所述探針固定板連接于所述支撐座，所述探針固定板構(gòu)造有穿設孔，且所述探針固定板構(gòu)造有用于避讓所述壓接軟銅排的避讓孔；

17、測試電路板，安裝于所述探針固定板背離所述壓接硬銅排的一側(cè)，所述測試電路板的電路板針腳穿過所述穿設孔延伸至所述探針固定板的下方。

技術(shù)特征：

1.一種半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體測試結(jié)構(gòu)(100)包括壓接軟銅排(10)、壓接硬銅排(20)和轉(zhuǎn)接銅排(30)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿豎直方向，所述轉(zhuǎn)接銅排(30)位于所述壓接軟銅排(10)的上方，所述壓接硬銅排(20)朝向所述轉(zhuǎn)接銅排(30)的一端具有第一彎折段(21)，所述第一彎折段(21)沿豎直方向向上延伸，所述第一彎折段(21)的延伸末端連接于所述轉(zhuǎn)接銅排(30)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓接硬銅排(20)還具有第二彎折段(22)和連接段(23)，所述連接段(23)連接于所述第二彎折段(22)和所述第一彎折段(21)之間；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接段(23)和所述第二彎折段(22)位于第一平面內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐座(40)包括支撐底板(41)和連接于所述支撐底板(41)的支撐豎板(42)，所述支撐豎板(42)與所述支撐底板(41)成角度設置，所述支撐底板(41)支撐于所述連接段(23)和所述第二彎折段(22)，所述支撐豎板(42)支撐于所述第一彎折段(21)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐底板(41)和/或所述支撐豎板(42)均凹設有裝配槽(401)，所述壓接硬銅排(20)安裝于所述裝配槽(401)，且所述裝配槽(401)的形狀與所述壓接硬銅排(20)的形狀相適配；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓接軟銅排(10)的數(shù)量為多個，且多個所述壓接軟銅排(10)沿第一方向間隔布置，所述第一方向為所述壓接軟銅排(10)的寬度方向；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述壓接硬銅排(20)中，長度較大的所述壓接硬銅排(20)位于長度較小的所述壓接硬銅排(20)的外側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述冷卻板(50)構(gòu)造有送氣氣道(503)以及連通于所述送氣氣道(503)的進氣口(501)和多個吹氣孔(502)，多個所述吹氣孔(502)位于所述冷卻板(50)朝向所述壓接硬銅排(20)的一側(cè)，所述送氣氣道(503)的延伸形狀與所述壓接硬銅排(20)的延伸形狀相適應，且多個所述吹氣孔(502)沿所述送氣氣道(503)的延伸方向間隔布置；和/或，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的半導體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體測試結(jié)構(gòu)(100)還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導體測試技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種半導體測試結(jié)構(gòu)。該半導體測試結(jié)構(gòu)包括壓接軟銅排、壓接硬銅排和轉(zhuǎn)接銅排。壓接硬銅排連接于壓接軟銅排與轉(zhuǎn)接銅排之間，且壓接軟銅排背離壓接硬銅排的一端用于連接功率半導體，轉(zhuǎn)接銅排背離壓接硬銅排的一端用于連接線纜。半導體測試結(jié)構(gòu)還包括支撐座和冷卻板，支撐座支撐于壓接硬銅排，冷卻板安裝于支撐座，并位于壓接硬銅排的上方，冷卻板用于對壓接硬銅排進行散熱。本申請?zhí)峁┑陌雽w測試結(jié)構(gòu)，能夠為測試電路板的穩(wěn)定放置提供充足的空間，確保功率半導體的檢測正常進行，并可以滿足散熱降溫需求。

技術(shù)研發(fā)人員：董冰蕭,沈姍姍,陳華貴,宋鵬飛
受保護的技術(shù)使用者：深圳市愿力創(chuàng)科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19