本申請應用于醫(yī)療影像的，特別是涉及一種探測器芯片和探測器芯片的制作方法。

背景技術(shù)：

1、x射線探測器是一種將x射線能量轉(zhuǎn)換為可供記錄的電信號的裝置。它接收到射線照射，然后產(chǎn)生與輻射強度成正比的電信號。x射線檢測器可用于許多應用。例如，醫(yī)療成像。在獲取人體某一組織斷層成像時，通常探測器所接受到的射線信號的強弱，取決于該部位的人體截面內(nèi)組織的密度，即探測器所接收到的信號強弱所反映的是人體組織不同的吸收系數(shù)，從而對組織性質(zhì)做出判斷。

2、然而，現(xiàn)有探測器受制于x射線信號收集芯片像素尺寸，模擬數(shù)字信號轉(zhuǎn)換芯片尺寸等問題導致其成像精度較差，由于轉(zhuǎn)換次數(shù)較多，低于信號采集閾值的信號無法成像，限制了其適用范圍。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N探測器芯片，以解決電子元件散熱效果差的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N探測器芯片，包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器；晶體層，晶體層設置于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一側(cè)；第一連接件，第一連接件設置于模數(shù)轉(zhuǎn)換器與晶體層之間，模數(shù)轉(zhuǎn)換器通過第一連接件耦接晶體層；第二連接件，第二連接件的一端耦接于模數(shù)轉(zhuǎn)換器，另一端用于耦接外部部件。

3、其中，晶體層靠近模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一側(cè)端面上形成有多個像素點，第一連接件與像素點耦接。

4、其中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器與晶體層之間設置有絕緣層，絕緣層包裹第一連接件與至少部分第二連接件。

5、其中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器遠離晶體層的一側(cè)端面上設置有散熱件。

6、其中，第二連接件為彎折結(jié)構(gòu)，第二連接件一端耦接于模數(shù)轉(zhuǎn)換器靠近晶體層一側(cè)的端面上，另一端與絕緣層遠離晶體層的端面平齊，或凸出絕緣層的端面。

7、為解決上述問題，本申請還提供了一種探測器芯片的制作方法，包括：獲取帶有焊盤的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；將第一連接件與第二連接件垂直固定于焊盤上；將散熱件固定在模數(shù)轉(zhuǎn)換器遠離焊盤的端面上，形成組合體；將組合體進行固化；在第一連接件與第二連接件上制作出焊盤；將晶體層焊接在第一連接件上，并加膠固定。

8、其中，晶體層為碲化鎘、碲鋅鎘、硒化鎘中的至少一種。

9、其中，將散熱件固定在模數(shù)轉(zhuǎn)換器遠離焊盤的端面上，形成組合體的步驟包括：將散熱件通過導熱膠粘貼于模數(shù)轉(zhuǎn)換器遠離晶體層的端面上，其中，散熱件上設置有安裝孔，散熱件為鋁、鋁合金、銅中的一種或多種的組合。

10、其中，將組合體進行固化的步驟包括：將絕緣膠注入組合體進行固化；對固化后組合體進行打磨，以使組合體表面平整。

11、其中，在第一連接件與第二連接件制作出焊盤的步驟包括：在固化后的組合體的兩側(cè)端面上進行鍍金和表面鎳鈀金處理，以在第一連接件與第二連接件上制作出焊盤。

12、本申請的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請通過第一連接件將晶體層與模數(shù)轉(zhuǎn)換器連接并封裝在一個芯片內(nèi)部，能夠?qū)⒔邮艿降膞射線的粒子流通過晶體層與模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并通過與模數(shù)轉(zhuǎn)換器耦接的第二連接件傳遞至后級處理器，從而使得探測器芯片能夠平面擴展，可更具場景進行調(diào)節(jié)，提高了探測器的集成度、分辨率、便利性以及適用性，同時減少信號的轉(zhuǎn)換次數(shù)，降低了探測器芯片信號采集閾值，擴大了ct成像范圍，改善成像質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種探測器芯片，其特征在于，所述探測器芯片包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器芯片，其特征在于，所述晶體層靠近所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一側(cè)端面上形成有多個像素點，所述第一連接件與所述像素點耦接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器芯片，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的探測器芯片，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的探測器芯片，其特征在于，所述第二連接件為彎折結(jié)構(gòu)，所述第二連接件一端耦接于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器靠近所述晶體層一側(cè)的端面上，另一端與所述絕緣層遠離所述晶體層的端面平齊，或凸出所述絕緣層的端面。

6.一種探測器芯片的制作方法，其特征在于，所述探測器芯片的制作方法包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述探測器芯片的制作方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述探測器芯片的制作方法，其特征在于，所述將散熱件固定在模數(shù)轉(zhuǎn)換器遠離焊盤的端面上，形成組合體的步驟包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述探測器芯片的制作方法，其特征在于，所述將所述組合體進行固化的步驟包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述探測器芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一連接件與所述第二連接件制作出焊盤的步驟包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N探測器芯片和探測器芯片的制作方法，其中探測器芯片包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器、晶體層、第一連接件以及第二連接件；所述晶體層設置于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一側(cè)；所述第一連接件設置于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器與所述晶體層之間，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器通過所述第一連接件耦接所述晶體層；所述第二連接件的一端耦接于所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器，另一端用于耦接外部部件。通過上述方式，通過將晶體層與模數(shù)轉(zhuǎn)換器封裝在一個芯片內(nèi)部，提高了探測器的集成度、分辨率、便利性以及適用性，同時減少信號的轉(zhuǎn)換次數(shù)，降低了探測器芯片信號采集閾值，擴大了CT成像范圍，改善成像質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：席儀鑫,劉世生,鄒良云
受保護的技術(shù)使用者：深南電路股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10