本申請屬于電力設(shè)施,具體涉及一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置、方法及設(shè)備。
背景技術(shù):
1、在電纜的敷設(shè)過程中,為了適應(yīng)多變的敷設(shè)環(huán)境,電纜常常需要進(jìn)行轉(zhuǎn)彎敷設(shè)。然而,轉(zhuǎn)彎敷設(shè)不可避免地會(huì)導(dǎo)致電纜結(jié)構(gòu)發(fā)生形變,從而產(chǎn)生應(yīng)力。所產(chǎn)生的應(yīng)力導(dǎo)致電纜轉(zhuǎn)彎區(qū)域的老化速度會(huì)大于正常區(qū)域的老化速度。
2、若是對電纜進(jìn)行整體的老化程度評估,并不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)電纜的轉(zhuǎn)彎區(qū)域的老化程度異常。而且電纜的轉(zhuǎn)彎區(qū)域作為電纜的一部分,又無法獲取轉(zhuǎn)彎區(qū)域這一單獨(dú)部分的運(yùn)行數(shù)據(jù),以評估電纜的轉(zhuǎn)彎區(qū)域的老化程度。因此,如何實(shí)現(xiàn)對電纜轉(zhuǎn)彎區(qū)域的老化程度的精準(zhǔn)評估是本領(lǐng)域人員亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請實(shí)施例提供一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置、方法及設(shè)備,目的在于確定關(guān)注區(qū)域相對于正常區(qū)域的老化情況,從而提高對于電纜各區(qū)域的老化速度的確定效率與準(zhǔn)確性。
2、第一方面,本申請實(shí)施例提供了一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,所述裝置包括:
3、電纜參數(shù)獲取模塊,用于獲取電纜的耐老化參數(shù);其中,所述耐老化參數(shù)包括材料成分參數(shù)以及所述材料成分參數(shù)的含量參數(shù);
4、關(guān)注區(qū)域特征獲取模塊,用于獲取電纜在關(guān)注區(qū)域內(nèi)的目標(biāo)特征提取結(jié)果;
5、老化分析模塊,用于將所述耐老化參數(shù)以及所述目標(biāo)特征提取結(jié)果輸入至預(yù)先構(gòu)建的老化分析模型,根據(jù)所述老化分析模型的輸出結(jié)果,確定所述關(guān)注區(qū)域的相對老化系數(shù);其中,所述相對老化系數(shù)為所述關(guān)注區(qū)域的老化速度與正常區(qū)域的老化速度的比值;
6、告警模塊,用于根據(jù)所述相對老化系數(shù)確定所述關(guān)注區(qū)域的老化程度,并在所述老化程度達(dá)到預(yù)設(shè)老化程度閾值的情況下,生成老化告警信息。
7、第二方面,本申請實(shí)施例提供了一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估方法,所述方法包括:
8、通過電纜參數(shù)獲取模塊獲取電纜的耐老化參數(shù);其中,所述耐老化參數(shù)包括材料成分參數(shù)以及所述材料成分參數(shù)的含量參數(shù);
9、通過關(guān)注區(qū)域特征獲取模塊獲取電纜在關(guān)注區(qū)域內(nèi)的目標(biāo)特征提取結(jié)果;
10、通過老化分析模塊將所述耐老化參數(shù)以及所述轉(zhuǎn)彎半徑輸入至預(yù)先構(gòu)建的老化分析模型,根據(jù)所述老化分析模型的輸出結(jié)果,確定所述關(guān)注區(qū)域的相對老化系數(shù);其中,所述相對老化系數(shù)為所述關(guān)注區(qū)域的老化速度與正常區(qū)域的老化速度的比值;
11、通過告警模塊根據(jù)所述相對老化系數(shù)確定所述關(guān)注區(qū)域的老化程度,并在所述老化程度達(dá)到預(yù)設(shè)老化程度閾值的情況下,生成老化告警信息。
12、第三方面,本申請實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備,該電子設(shè)備包括處理器、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令,所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。
13、第四方面,本申請實(shí)施例提供了一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)程序或指令,所述程序或指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。
14、第五方面,本申請實(shí)施例提供了一種芯片,所述芯片包括處理器和通信接口,所述通信接口和所述處理器耦合,所述處理器用于運(yùn)行程序或指令,實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法。
15、在本申請實(shí)施例中,電纜參數(shù)獲取模塊,用于獲取電纜的耐老化參數(shù);其中,所述耐老化參數(shù)包括材料成分參數(shù)以及所述材料成分參數(shù)的含量參數(shù);關(guān)注區(qū)域特征獲取模塊,用于獲取電纜在關(guān)注區(qū)域內(nèi)的目標(biāo)特征提取結(jié)果;老化分析模塊,用于將所述耐老化參數(shù)以及所述目標(biāo)特征提取結(jié)果輸入至預(yù)先構(gòu)建的老化分析模型,根據(jù)所述老化分析模型的輸出結(jié)果,確定所述關(guān)注區(qū)域的相對老化系數(shù);其中,所述相對老化系數(shù)為所述關(guān)注區(qū)域的老化速度與正常區(qū)域的老化速度的比值;告警模塊,用于根據(jù)所述相對老化系數(shù)確定所述關(guān)注區(qū)域的老化程度,并在所述老化程度達(dá)到預(yù)設(shè)老化程度閾值的情況下,生成老化告警信息。上述基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,通過獲取電纜的耐老化參數(shù)以及關(guān)注區(qū)域內(nèi)的目標(biāo)特征提取結(jié)果,可以確定關(guān)注區(qū)域相對于正常區(qū)域的老化情況,從而提高對于電纜各區(qū)域的老化速度的確定效率與準(zhǔn)確性。
1.一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述裝置包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述關(guān)注區(qū)域包括轉(zhuǎn)彎區(qū)域,所述目標(biāo)特征提取結(jié)果包括電纜在轉(zhuǎn)彎區(qū)域內(nèi)的轉(zhuǎn)彎半徑;
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述形變程度確定單元,具體用于:
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述相對系數(shù)確定單元,具體用于:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述關(guān)注區(qū)域包括懸空區(qū)域,所述目標(biāo)特征提取結(jié)果包括電纜在懸空區(qū)域內(nèi)的懸空長度;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述關(guān)注區(qū)域包括積熱區(qū)域,所述目標(biāo)特征提取結(jié)果包括電纜在積熱區(qū)域內(nèi)的積熱溫度;
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估裝置,其特征在于,所述告警模塊,具體用于:
8.一種基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估方法,其特征在于,所述方法包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估方法,其特征在于,通過老化分析模塊將所述耐老化參數(shù)以及所述轉(zhuǎn)彎半徑輸入至預(yù)先構(gòu)建的老化分析模型,根據(jù)所述老化分析模型的輸出結(jié)果,確定所述轉(zhuǎn)彎區(qū)域的相對老化系數(shù),包括:
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括處理器,存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令,所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求8-9中任一項(xiàng)所述的基于電纜敷設(shè)環(huán)境的關(guān)注區(qū)域的絕緣層老化評估方法的步驟。