本申請(qǐng)涉及測(cè)量，尤其涉及一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法及相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、太陽(yáng)能電池行業(yè)硅片表面方阻的測(cè)量領(lǐng)域中，通常需要測(cè)試多個(gè)點(diǎn)來(lái)確定硅片表面的均勻度，常用的測(cè)試方式是單個(gè)探頭通過(guò)各自的電機(jī)進(jìn)行x,y,z軸運(yùn)動(dòng)，來(lái)進(jìn)行各個(gè)點(diǎn)位的測(cè)量，或者測(cè)試探頭保持不動(dòng)，通過(guò)電機(jī)帶動(dòng)測(cè)試平臺(tái)和硅片一起運(yùn)動(dòng)，從而完成各個(gè)點(diǎn)位的測(cè)量。

2、而上述常用的測(cè)試方式一方面因含有多個(gè)運(yùn)動(dòng)部件即多個(gè)電機(jī)，均存在測(cè)試設(shè)備體積大的缺點(diǎn)，另一方面，因運(yùn)動(dòng)部件運(yùn)動(dòng)速度較慢，導(dǎo)致測(cè)試一片硅片的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，影響測(cè)試成本和效率。

3、因此，如何提升硅片表面方阻測(cè)量的測(cè)試效益是亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了提升硅片表面方阻測(cè)量的測(cè)試效益，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法及系統(tǒng)、多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

2、第一方面，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法，應(yīng)用于多點(diǎn)測(cè)量裝置，其特征在于，所述多點(diǎn)測(cè)量裝置包括控制單元、信號(hào)采集單元和多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，所述多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備與所述控制單元和所述信號(hào)采集單元相連，所述多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備包括測(cè)試臺(tái)、運(yùn)動(dòng)電機(jī)和測(cè)量結(jié)構(gòu)；所述方法包括：

3、檢測(cè)到所述測(cè)試臺(tái)放置有待測(cè)硅片后，通過(guò)所述控制單元驅(qū)動(dòng)所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，以使所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與所述待測(cè)硅片相接觸；

4、利用所述切換單元和所述信號(hào)采集單元，依次獲取通過(guò)所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，以完成所述待測(cè)硅片表面方阻的測(cè)試。

5、有益效果是：

6、在本申請(qǐng)的實(shí)施例所提供的技術(shù)方案中，在檢測(cè)到測(cè)試臺(tái)放置有待測(cè)硅片后，通過(guò)控制單元驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，以使測(cè)量結(jié)構(gòu)與待測(cè)硅片相接觸，這樣，可以僅僅利用一個(gè)運(yùn)動(dòng)電機(jī)通過(guò)帶動(dòng)測(cè)量結(jié)構(gòu)移動(dòng)進(jìn)行測(cè)試準(zhǔn)備，減少了運(yùn)動(dòng)部件的配置節(jié)省硬件空間，同時(shí)簡(jiǎn)化了運(yùn)動(dòng)過(guò)程；測(cè)量結(jié)構(gòu)與待測(cè)硅片相接觸后，利用切換單元和信號(hào)采集單元，依次獲取通過(guò)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，以完成待測(cè)硅片表面方阻的測(cè)試，這樣使得信號(hào)采集單元的同一測(cè)量通道能夠依次獲取多個(gè)測(cè)量探頭各自測(cè)量得到的電壓信號(hào)，可避免不同通道引起的差異，提升測(cè)量數(shù)據(jù)即電壓信號(hào)的準(zhǔn)確性。

7、第二方面，本發(fā)明提供了一種多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，應(yīng)用所述接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法，包括底座、測(cè)試臺(tái)、運(yùn)動(dòng)電機(jī)和測(cè)量結(jié)構(gòu)；

8、所述測(cè)試臺(tái)和所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)設(shè)置于所述底座上，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)相連，并與所述測(cè)試臺(tái)相對(duì)設(shè)置，以使所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)能夠通過(guò)運(yùn)動(dòng)將所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與放置于所述測(cè)試臺(tái)上的待測(cè)硅片相接觸；

9、所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括多個(gè)測(cè)量探頭，所述多個(gè)測(cè)量探頭按照預(yù)設(shè)配置需求排列。

10、第三方面，本發(fā)明提供了一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)，包括運(yùn)動(dòng)單元和測(cè)試單元；

11、運(yùn)動(dòng)單元，用于檢測(cè)到所述測(cè)試臺(tái)放置有待測(cè)硅片后，通過(guò)所述控制單元驅(qū)動(dòng)所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，以使所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與所述待測(cè)硅片相接觸；

12、測(cè)試單元，用于利用所述切換單元和所述信號(hào)采集單元，依次獲取所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，以完成所述待測(cè)硅片表面方阻的測(cè)試。

13、第四方面，本申請(qǐng)還提供了一種電子設(shè)備，包括：一個(gè)或多個(gè)處理器；存儲(chǔ)裝置，用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)程序，當(dāng)所述一個(gè)或多個(gè)程序被所述一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述電子設(shè)備如前實(shí)現(xiàn)所述的接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法。

14、第五方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)可讀指令，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)可讀指令被計(jì)算機(jī)的處理器執(zhí)行時(shí)，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如上所述的接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法。

15、第六方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品或計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品或計(jì)算機(jī)程序包括計(jì)算機(jī)指令，該計(jì)算機(jī)指令存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中。計(jì)算機(jī)設(shè)備的處理器從計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)讀取該計(jì)算機(jī)指令，處理器執(zhí)行該計(jì)算機(jī)指令，使得該計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行上述各種可選實(shí)施例中提供的接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法。

16、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法，應(yīng)用于多點(diǎn)測(cè)量裝置，其特征在于，所述多點(diǎn)測(cè)量裝置包括控制單元、切換單元、信號(hào)采集單元和多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，所述多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備與所述控制單元、所述切換單元和所述信號(hào)采集單元相連，所述多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備包括測(cè)試臺(tái)、運(yùn)動(dòng)電機(jī)和測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)與所述測(cè)量結(jié)構(gòu)相連接；所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與所述測(cè)試臺(tái)相對(duì)設(shè)置；所述檢測(cè)到所述測(cè)試臺(tái)放置有待測(cè)硅片后，通過(guò)所述控制單元驅(qū)動(dòng)所述運(yùn)動(dòng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，以使所述測(cè)量結(jié)構(gòu)與所述待測(cè)硅片相接觸，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述切換單元和所述信號(hào)采集單元，依次獲取所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述切換單元和所述信號(hào)采集單元，按照所述切換順序依次獲取所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

7.一種多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，應(yīng)用權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法，所述多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備包括底座、測(cè)試臺(tái)、運(yùn)動(dòng)電機(jī)和測(cè)量結(jié)構(gòu)；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括9個(gè)測(cè)量探頭。

9.一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)，應(yīng)用權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法，所述系統(tǒng)包括：

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)可讀指令，當(dāng)所述計(jì)算機(jī)可讀指令被計(jì)算機(jī)的處理器執(zhí)行時(shí)，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行權(quán)利要求1-7中的任一項(xiàng)所述的接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種接觸式方阻多點(diǎn)測(cè)量方法及相關(guān)設(shè)備，該方法應(yīng)用于多點(diǎn)測(cè)量裝置，包括控制單元、切換單元、信號(hào)采集單元和多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備，多點(diǎn)測(cè)量設(shè)備包括測(cè)試臺(tái)、運(yùn)動(dòng)電機(jī)和測(cè)量結(jié)構(gòu)，運(yùn)動(dòng)電機(jī)與測(cè)量結(jié)構(gòu)相連接。該方法包括：檢測(cè)到測(cè)試臺(tái)放置有待測(cè)硅片后，通過(guò)控制單元驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，使測(cè)量結(jié)構(gòu)與待測(cè)硅片相接觸；利用切換單元和信號(hào)采集單元，依次獲取通過(guò)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括的多個(gè)測(cè)量探頭測(cè)量得到的電壓信號(hào)，以完成待測(cè)硅片表面方阻的測(cè)試。本申請(qǐng)?jiān)谶\(yùn)動(dòng)電機(jī)帶動(dòng)測(cè)量結(jié)構(gòu)與待測(cè)硅片相接觸后，通過(guò)切換單元和信號(hào)采集單元利用同一測(cè)量通道能夠依次獲取多個(gè)測(cè)量探頭各自測(cè)量得到的電壓信號(hào)，提升電壓信號(hào)的準(zhǔn)確性以及測(cè)試效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李永超,袁程
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫研譜智能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17