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      用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路

      文檔序號:39605712發(fā)布日期:2024-10-11 13:13閱讀:21來源:國知局
      用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路

      本發(fā)明涉及衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗干擾,尤其涉及用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路。


      背景技術(shù):

      1、天線分為線極化天線與圓極化天線兩種,導(dǎo)航終端主要使用圓極化天線,而雷達波主要使用線極化天線。目前,全球所有的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)中工作頻率主要集中在1-2ghz,而雷達波在這個頻段范圍內(nèi)往往也會使用跟衛(wèi)星導(dǎo)航一樣的頻段。不同頻段之間所產(chǎn)生的干擾可以通過濾波器進行過濾。但對于同頻段使用的導(dǎo)航終端和雷達波并不能通過濾波器進行過濾,而且雷達波本身比導(dǎo)航終端具備更強的信號,當(dāng)兩者處于同一個頻段下雷達波會嚴重影響導(dǎo)航終端的圓極化信號使其無法正常工作。

      2、目前有關(guān)對于導(dǎo)航終端同頻抗干擾的研究尚停留在對信號進行處理的階段,多數(shù)是通過對同一頻段下的干擾信號和所需求的信號之間進行提取處理以起到同頻抗干擾的作用,但當(dāng)干擾信號過于強大的時候,上述方法便無法實現(xiàn),比較局限。且目前的90度混合器只具備合路公分的作用效果。由于是無源器件的緣故,目前的90度混合器在抗干擾方面與合路公分方面無法做到同時兼顧各自良好的性能,只能二者取一,且目前尚沒有利用耦合混合器為研究對象在其基礎(chǔ)上實現(xiàn)信號抗干擾的作用。

      3、在這樣的背景下,研究一個能在同一頻段下不影響導(dǎo)航終端工作的同時又能對雷達波具備一定的抑制信號抗干擾作用具有重大的研究意義。導(dǎo)航終端的同頻抗干擾對90度混合器研究提出了要求,本發(fā)明提供了用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路方法,其工作在1-2ghz,符合衛(wèi)星導(dǎo)航天線通信系統(tǒng)的發(fā)展要求。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出了用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,通過引入90度單向?qū)ㄒ葡嗥鹘Y(jié)構(gòu),在工作頻段內(nèi)避免了90度混合器合路公分效果單向?qū)щ娦圆畹膯栴}。在抗干擾方面實現(xiàn)最優(yōu)的信號反射匹配效果的同時,也能保證90度混合器自帶的功率合路分配功能,能得到不錯的優(yōu)化匹配性能。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,包括:

      3、介質(zhì)基板、銅片、若干sma射頻連接器,其中,所述介質(zhì)基板的一面設(shè)置有改良90度混合器,所述改良90度混合器連接90度單相導(dǎo)通移相器;

      4、若干所述sma射頻連接器分別設(shè)置在抗同頻干擾電路的輸入端口及若干輸出端口;所述銅片為所述抗同頻干擾電路的接地面,并通過在所述介質(zhì)基板上進行金屬通孔處理相連接,所述銅片同時與sma射頻連接器的外層金屬焊接。

      5、優(yōu)選地,設(shè)計所述改良90度混合器的方法為:

      6、將90度混合器隔離端的輸出端口進行彎曲回轉(zhuǎn)形成j型結(jié)構(gòu),所述j型結(jié)構(gòu)與90度混合器的直通端微帶線處向下延伸的部分微帶線共同構(gòu)成所述改良90度混合器。

      7、優(yōu)選地,所述改良90度混合器的首端左上角第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口為輸入端口,位于所述改良90度混合器首端左下角的第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口以及末端右上角的第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口為輸出端口。

      8、優(yōu)選地,所述改良90度混合器包括第一傳輸微帶線、第二傳輸微帶線、阻抗變換微帶線及一分二微帶結(jié)構(gòu),其中,所述第一傳輸微帶線位于所述改良90度混合器的并聯(lián)臂,所述第二傳輸微帶線位于所述改良90度混合器右下方的所述一分二微帶結(jié)構(gòu)處的彎曲段,所述阻抗變換微帶線位于所述改良90度混合器的串聯(lián)臂。

      9、優(yōu)選地,所述90度單向?qū)ㄒ葡嗥靼ǜ哳l貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3及異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1,其中,高頻貼片電感l(wèi)1分別與高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電阻r1相互并聯(lián)并置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的基極作為輸入端,高頻貼片電阻r3與高頻貼片電感l(wèi)3串聯(lián)置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的集電極,高頻貼片電感l(wèi)4與高頻貼片電容c1串聯(lián)后與高頻貼片電阻r2并聯(lián)置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的發(fā)射極作為輸出端;高頻貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3及異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1之間均通過微帶線相連接。

      10、優(yōu)選地,高頻貼片電感用于給所述異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1提供直流工作電壓,高頻貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3均可采用不同參數(shù)的設(shè)置。

      11、優(yōu)選地,所述第一傳輸微帶線、所述第二傳輸微帶線、所述阻抗變換微帶線及所述一分二微帶結(jié)構(gòu)均為銅制微帶線,其中,所述第一傳輸微帶線和所述阻抗變換微帶線為單節(jié)阻抗變換微帶線,用于1/4波長阻抗匹配。

      12、優(yōu)選地,所述銅片的厚度為一盎司。

      13、優(yōu)選地,所述銅片貼合于遠離改良90度混合器的介質(zhì)基板的一面設(shè)置。

      14、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下優(yōu)點和技術(shù)效果:

      15、本發(fā)明所提供的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路可以通過手動旋轉(zhuǎn)到某一處雷達波線極化信號最強的方向上與之平行對齊,使整個抗同頻干擾電路結(jié)構(gòu)對該雷達波線極化信號的抑制抗干擾效果最好;

      16、本發(fā)明可以實現(xiàn)抗干擾功能的工作,并且尺寸較少、隔離度良好、回波損耗較高,即干擾信號從源頭上比較難進入信號接收系統(tǒng)當(dāng)中。



      技術(shù)特征:

      1.用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,設(shè)計所述改良90度混合器的方法為:

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述改良90度混合器的首端左上角第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口為輸入端口,位于所述改良90度混合器首端左下角的第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口以及末端右上角的第一傳輸微帶線結(jié)構(gòu)頂端端口為輸出端口。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述改良90度混合器包括第一傳輸微帶線、第二傳輸微帶線、阻抗變換微帶線及一分二微帶結(jié)構(gòu),其中,所述第一傳輸微帶線位于所述改良90度混合器的并聯(lián)臂,所述第二傳輸微帶線位于所述改良90度混合器右下方的所述一分二微帶結(jié)構(gòu)處的彎曲段,所述阻抗變換微帶線位于所述改良90度混合器的串聯(lián)臂。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述90度單向?qū)ㄒ葡嗥靼ǜ哳l貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3及異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1,其中,高頻貼片電感l(wèi)1分別與高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電阻r1相互并聯(lián)并置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的基極作為輸入端,高頻貼片電阻r3與高頻貼片電感l(wèi)3串聯(lián)置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的集電極,高頻貼片電感l(wèi)4與高頻貼片電容c1串聯(lián)后與高頻貼片電阻r2并聯(lián)置于異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1的發(fā)射極作為輸出端;高頻貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3及異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1之間均通過微帶線相連接。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,高頻貼片電感用于給所述異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管m1提供直流工作電壓,高頻貼片電感l(wèi)1、高頻貼片電感l(wèi)2、高頻貼片電感l(wèi)3、高頻貼片電感l(wèi)4,高頻貼片電容c1、高頻貼片電阻r1、高頻貼片電阻r2、高頻貼片電阻r3均可采用不同參數(shù)的設(shè)置。

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述第一傳輸微帶線、所述第二傳輸微帶線、所述阻抗變換微帶線及所述一分二微帶結(jié)構(gòu)均為銅制微帶線,其中,所述第一傳輸微帶線和所述阻抗變換微帶線為單節(jié)阻抗變換微帶線,用于1/4波長阻抗匹配。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述銅片的厚度為一盎司。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,其特征在于,所述銅片貼合于遠離改良90度混合器的介質(zhì)基板的一面設(shè)置。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了用于衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗同頻干擾電路,涉及衛(wèi)星導(dǎo)航終端的抗干擾技術(shù)領(lǐng)域,電路包括:介質(zhì)基板、銅片、若干SMA射頻連接器,其中,介質(zhì)基板的一面設(shè)置有改良90度混合器,改良90度混合器連接90度單相導(dǎo)通移相器;若干SMA射頻連接器分別設(shè)置在抗同頻干擾電路的輸入端口及若干輸出端口;銅片為抗同頻干擾電路的接地面,并通過在介質(zhì)基板上進行金屬通孔處理相連接,銅片同時與SMA射頻連接器的外層金屬焊接。本發(fā)明可以實現(xiàn)抗干擾功能的工作,并且尺寸較少、隔離度良好、回波損耗較高,即干擾信號從源頭上比較難進入信號接收系統(tǒng)當(dāng)中。

      技術(shù)研發(fā)人員:麥嘉洛,林福民
      受保護的技術(shù)使用者:廣東工業(yè)大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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