本發(fā)明涉及探測器，特別涉及一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)：

1、非接觸式溫度傳感器，它的敏感元件與被測對象互不接觸，又稱非接觸式測溫儀表。這種儀表可用來測量運動物體、小目標和熱容量小或溫度變化迅速(瞬變)對象的表面溫度，也可用于測量溫度場的溫度分布。

2、針對現(xiàn)有技術(shù)存在以下問題：

3、高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝在使用時，生產(chǎn)效率較低，不能夠很好地進行高效率低能耗生產(chǎn)，同時高效率低能耗的芯片生產(chǎn)線在生產(chǎn)過程中，不能夠?qū)鈱W溫度傳感器進行一個良好的防護改善作用，并且高效率低能耗的芯片生產(chǎn)線在生產(chǎn)過程中，不能很好地提高光學溫度傳感器的提高成品率以及工作效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

3、一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，包括以下步驟；步驟一，清洗：清洗基體時，用稀釋氫氟酸漂洗基體，去除表面雜物；步驟二，基體上下兩面生長氮化硅：在基體的上表面和下表面分別形成上層氮化硅和下層氮化硅；步驟三，生長多晶硅，硼注入，退火：在上層氮化硅表面生長多晶硅，在多晶硅上進行硼元素的摻雜；步驟四，涂覆增粘劑，干燥：在180℃下進行烘片1小時；步驟五，旋涂光刻膠：在95℃下，熱板前烘1分鐘，然后進行光刻將設計的圖案轉(zhuǎn)移到基體上面；步驟六，去膠清洗：采用稀釋氫氟酸進行漂洗，去除自然氧化層；步驟七，封裝：將處理好的芯片封裝放置到內(nèi)殼中的主板上，接著將內(nèi)殼套入防護外殼內(nèi)，最后在內(nèi)外殼之間的空隙內(nèi)灌注耐高溫絕緣材料；步驟八，性能測試：將溫度傳感器放置到油槽內(nèi)進行電阻值測量；步驟九，清洗烘干；步驟十，外觀檢查；進行外觀檢查，將不合格溫度傳感器淘汰，將通過外觀檢查合格的溫度傳感器包裝起來。

4、優(yōu)選的，所述步驟二，上層氮化硅和下層氮化硅的厚度均為5000埃。

5、優(yōu)選的，所述步驟三，然后高溫爐退火，修復晶格缺陷，激活雜質(zhì)，退火溫度為1000℃，退火時間為20分鐘。

6、優(yōu)選的，所述步驟四，去除吸附在表面的濕氣，充分干燥并保持潔凈。

7、優(yōu)選的，所述步驟五，接著使用磁控濺射設備在氧氣氣氛下轟擊pt靶材，可以在具有圖案化的襯底上沉積pto薄膜，最后磁控濺射結(jié)束后在700°c-800℃進行退火，可以將圖案化的pto薄膜轉(zhuǎn)化成圖案化的pt薄膜。

8、優(yōu)選的，所述步驟五，退火溫度為線性升溫過程溫度范圍節(jié)點為兩個250℃-300℃和700℃-800℃，退火過程中升溫到250℃，并使溫度保持10min-15min，退火高溫為700℃-800℃，退火的高溫保溫時間為30min-60min。

9、優(yōu)選的，所述步驟六，正膠去膜劑清洗，丙酮、乙醇清洗；去離子水清洗。

10、由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)來說，取得的技術(shù)進步是：

11、1、本發(fā)明提供一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，光刻膠在基體預留出設計的電路圖案，再將pto噴涂到芯片表面將光刻膠覆蓋，最后再逐步加熱，使光刻膠裂解得到設計的電路圖案，再將pto加熱分解，得到pt電路圖，可以進一步得到設計圖案，大大提高芯片生產(chǎn)效率，并且無需使用激光，大大節(jié)省能耗，可以裝配成高效率低能耗的芯片生產(chǎn)線。

12、2、本發(fā)明提供一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，采用pt薄膜對芯片進行保護，防腐蝕，顯著提高了成品率，同時這可以增加薄膜與基體之間的結(jié)合強度，并且通過該工藝得到的光學溫度傳感器，其性能相對于傳統(tǒng)的光學溫度傳感器得到了較為明顯的提高。

13、3、本發(fā)明提供一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，溫度傳感器具有耐高溫絕緣穩(wěn)定性好等優(yōu)點，本發(fā)明還披露了其生產(chǎn)工藝能夠提高成品率，工作效率。

技術(shù)特征：

1.一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：包括以下步驟；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟二，上層氮化硅和下層氮化硅的厚度均為5000埃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟三，然后高溫爐退火，修復晶格缺陷，激活雜質(zhì)，退火溫度為1000℃，退火時間為20分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟四，去除吸附在表面的濕氣，充分干燥并保持潔凈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟五，接著使用磁控濺射設備在氧氣氣氛下轟擊pt靶材，可以在具有圖案化的襯底上沉積pto薄膜，最后磁控濺射結(jié)束后在700°c-800℃進行退火，可以將圖案化的pto薄膜轉(zhuǎn)化成圖案化的pt薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟五，退火溫度為線性升溫過程溫度范圍節(jié)點為兩個250℃-300℃和700℃-800℃，退火過程中升溫到250℃，并使溫度保持10min-15min，退火高溫為700℃-800℃，退火的高溫保溫時間為30min-60min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟六，正膠去膜劑清洗，丙酮、乙醇清洗；去離子水清洗。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，涉及探測器技術(shù)領域，包括以下步驟；步驟一，清洗：清洗基體時，用稀釋氫氟酸漂洗基體，去除表面雜物；步驟二，基體上下兩面生長氮化硅：在基體的上表面和下表面分別形成上層氮化硅和下層氮化硅；步驟三，生長多晶硅。本發(fā)明所述的一種高靈敏度非接觸光學溫度傳感器生產(chǎn)工藝，光刻膠在基體預留出設計的電路圖案，再將PtO噴涂到芯片表面將光刻膠覆蓋，最后再逐步加熱，使光刻膠裂解得到設計的電路圖案，再將PtO加熱分解，得到Pt電路圖，可以進一步得到設計圖案，大大提高芯片生產(chǎn)效率，并且無需使用激光，大大節(jié)省能耗，可以裝配成高效率低能耗的芯片生產(chǎn)線。

技術(shù)研發(fā)人員：寸陽珂,丁家偉,耿德英,孫健,彭英博,丁夢雅
受保護的技術(shù)使用者：鎮(zhèn)江陽雅科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10