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      特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法、裝置及系統(tǒng)與流程

      文檔序號(hào):40280947發(fā)布日期:2024-12-11 13:20閱讀:18來源:國知局
      特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法、裝置及系統(tǒng)與流程

      本申請涉及能源數(shù)據(jù)處理,更具體地,涉及一種特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法、裝置及系統(tǒng)。


      背景技術(shù):

      1、局部放電檢測已經(jīng)成為當(dāng)前各項(xiàng)狀態(tài)檢測技術(shù)中最重要的一項(xiàng)技術(shù)手段,國網(wǎng)公司已發(fā)布特高頻局部放電帶電檢測儀器的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),各網(wǎng)省公司按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求,建立了局部放電帶電檢測儀器的檢驗(yàn)比對平臺(tái),初步具備了傳感器傳輸阻抗、檢測頻帶、穩(wěn)定性等項(xiàng)目的檢驗(yàn)比對能力。

      2、然而,已有標(biāo)準(zhǔn)對于局部放電模式識(shí)別和抗干擾能力的校驗(yàn),尚未給出有效的量化評價(jià)方法和手段。對局部放電檢測而言,檢測裝置的抗干擾能力和模式識(shí)別能力至關(guān)重要,是衡量局部放電檢測和診斷能力的關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)所在,大多數(shù)檢測儀器主要是通過典型局放模型加壓方式產(chǎn)生模擬放電信號(hào),這種局放模擬方式可控性差、不穩(wěn)定,無法滿足裝置性能校驗(yàn)的一致性和可比性,性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)場測試的需要,難以有效開展放電類型識(shí)別準(zhǔn)確性的量化評價(jià)。

      3、因此亟需一種基于特高頻的局部放電信號(hào)重構(gòu)方案,能夠完整復(fù)現(xiàn)變電站現(xiàn)場真實(shí)場景的典型局部放電信號(hào),提高驗(yàn)證的可靠性。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、鑒于現(xiàn)有技術(shù)的以上問題,本申請?zhí)峁┮环N特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法、裝置及系統(tǒng),其能夠提高搜索效率和搜索結(jié)果的相關(guān)性及準(zhǔn)確性。

      2、為達(dá)到上述目的,本申請?zhí)峁┮环N特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,包括:

      3、通過第一特高頻傳感器采集局放源產(chǎn)生的電磁場e0,得到電壓波形u0;

      4、將所述電壓波形u0通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備進(jìn)行輸出,得到輸出波形u1;

      5、將所述輸出波形u1通過第二特高頻傳感器進(jìn)行輻射,產(chǎn)生電磁場e1;其中,所述第一特高頻傳感器與所述第二特高頻傳感器的傳遞函數(shù)相同;

      6、通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu)。

      7、優(yōu)選的,通過第一特高頻傳感器采集局放源產(chǎn)生的電磁場e0,得到電壓波形u0,包括:

      8、所述局放源產(chǎn)生的電磁場e0經(jīng)所述第一特高經(jīng)特高頻傳感器轉(zhuǎn)換,得到電壓波形u0。

      9、優(yōu)選的,所述局放源產(chǎn)生的電磁場e0與所述電壓波形u0,滿足:

      10、e0×h(jw)=u0

      11、其中,h(jw)為所述第一特高頻傳感器與所述第二特高頻傳感器的傳遞函數(shù)。

      12、優(yōu)選的,將所述輸出波形u1通過第二特高頻傳感器進(jìn)行輻射,產(chǎn)生電磁場e1,滿足:

      13、e1×h(jw)=u1

      14、其中,h(jw)為所述第一特高頻傳感器與所述第二特高頻傳感器的傳遞函數(shù)。

      15、優(yōu)選的,通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu);包括:

      16、通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,

      17、所述電壓波形u0與所述波形u1,滿足:

      18、e1=u0÷h(jw)=e0即得到e1=e0,完成局部放電信號(hào)重構(gòu)。

      19、優(yōu)選的,通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu)后,還包括:

      20、將所述電磁場e1的類型和圖譜與所述電磁場e0的類型和圖譜進(jìn)行對比;

      21、若二者一致,則確定所述局部放電信號(hào)重構(gòu)結(jié)果準(zhǔn)確。

      22、優(yōu)選的,還包括:

      23、通過所述第二特高頻傳感器輻射測試電信號(hào),并同時(shí)輻射干擾信號(hào);

      24、通過第三特高頻傳感器采集所述測試電信號(hào),得到輸出測試信號(hào);

      25、將所述輸出測試信號(hào)與所述測試電信號(hào)進(jìn)行對比,得到所述第三特高頻傳感器的評價(jià)結(jié)果。

      26、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本申請的有益效果在于:本申請通過輸出與原始電壓波形相同的波形,可以高精度地重現(xiàn)采集到的局放信號(hào)。這確保盡可能接近現(xiàn)場采集到的信號(hào),提高了測試和校驗(yàn)的準(zhǔn)確性。



      技術(shù)特征:

      1.一種局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,通過第一特高頻傳感器采集局放源產(chǎn)生的電磁場e0,得到電壓波形u0,包括:

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,所述局放源產(chǎn)生的電磁場e0與所述電壓波形u0,滿足:

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,將所述輸出波形u1通過第二特高頻傳感器進(jìn)行輻射,產(chǎn)生電磁場e1,滿足:

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu);包括:

      6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形u1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu)后,還包括:將所述電磁場e1的類型和圖譜與所述電磁場e0的類型和圖譜進(jìn)行對比;

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)方法,其特征在于,還包括:

      8.一種局部放電信號(hào)重構(gòu)裝置,其特征在于,包括:

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,還包括gtem小室,用于對所述數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出的電壓波形u0局部放電信號(hào)的電磁場進(jìn)行耦合;其中,所述gtem小室為錐形的同軸線結(jié)構(gòu),在所述gtem小室靠后3/4處安裝所述第二特高頻傳感器。

      10.一種局部放電信號(hào)重構(gòu)系統(tǒng),包括權(quán)利要求8-9任一項(xiàng)所述的局部放電信號(hào)重構(gòu)裝置,以及對比分析裝置;


      技術(shù)總結(jié)
      本申請涉及能源數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法、裝置及系統(tǒng)。特高頻局部放電信號(hào)重構(gòu)方法包括:通過第一特高頻傳感器采集局放源產(chǎn)生的電磁場E0,得到電壓波形U0;將所述電壓波形U0通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備進(jìn)行輸出,得到輸出波形U1;將所述輸出波形U1通過第二特高頻傳感器進(jìn)行輻射,產(chǎn)生電磁場E1;其中,所述第一特高頻傳感器與所述第二特高頻傳感器的傳遞函數(shù)相同;通過數(shù)字化局部放電模擬設(shè)備輸出所述波形U1,完成局部放電信號(hào)重構(gòu)。本申請能夠完整的復(fù)現(xiàn)變電站現(xiàn)場真實(shí)場景下的典型局部放電信號(hào),提高驗(yàn)證的可靠性。

      技術(shù)研發(fā)人員:何寧輝,張恒,周秀,李秀廣,馬飛越,王博,伍弘
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:國網(wǎng)寧夏電力有限公司電力科學(xué)研究院
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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