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      目標(biāo)磁強計的誤差校正方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

      文檔序號:40283152發(fā)布日期:2024-12-11 13:25閱讀:16來源:國知局
      目標(biāo)磁強計的誤差校正方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

      本申請涉及磁場測量,尤其涉及一種目標(biāo)磁強計的誤差校正方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。


      背景技術(shù):

      1、磁強計是一種專門用于測量磁場磁感應(yīng)強度的儀器,廣泛應(yīng)用于地質(zhì)勘探、材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、物理學(xué)研究等多個領(lǐng)域。根據(jù)工作原理的不同,磁強計可分為多種類型,例如基于核自旋共振(nuclear?magnetic?resonance,nmr)原理的原子磁強計,原子磁強計是一種利用原子核的自旋磁矩在外磁場中的行為來測量外磁場磁強的儀器。但在測量過程中,外磁場的環(huán)境溫度可以影響磁強計中的電子設(shè)備、線圈和其他元件的性能,進而對磁強測量的準(zhǔn)確性產(chǎn)生影響。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、有鑒于此,本申請實施例提供了一種目標(biāo)磁強計的誤差校正方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì),以解決現(xiàn)有技術(shù)中溫度影響目標(biāo)磁強計測量磁強準(zhǔn)確性的問題。

      2、本申請實施例的第一方面,提供了一種目標(biāo)磁強計的誤差校正方法,包括:獲取標(biāo)定磁場的磁強,在可控溫的標(biāo)定磁場環(huán)境中基于目標(biāo)磁強計對多個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場進行磁強測量,得到各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值;基于各個溫度、各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值和標(biāo)定磁場的磁強,建立溫度和測量誤差系數(shù)之間的誤差預(yù)測模型;獲取待測磁場溫度,根據(jù)待測磁場溫度和誤差預(yù)測模型,確定待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù);基于目標(biāo)磁強計測量對待測磁場進行磁強測量,得到待測磁場磁強測量值;基于待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù)對待測磁場磁強測量值進行校正,得到待測磁場磁強校正值。

      3、本申請實施例的第二方面,提供了一種目標(biāo)磁強計的誤差校正裝置,包括:訓(xùn)練數(shù)據(jù)獲取模塊,用于獲取標(biāo)定磁場的磁強,在可控溫的標(biāo)定磁場環(huán)境中基于目標(biāo)磁強計對多個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場進行磁強測量,得到各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值;模型訓(xùn)練模塊,用于基于各個溫度、各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值和標(biāo)定磁場的磁強,建立溫度和測量誤差系數(shù)之間的誤差預(yù)測模型;預(yù)測模塊,用于獲取待測磁場溫度,根據(jù)待測磁場溫度和誤差預(yù)測模型,確定待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù);測量模塊,用于基于目標(biāo)磁強計測量對待測磁場進行磁強測量,得到待測磁場磁強測量值;校正模塊,用于基于待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù)對待測磁場磁強測量值進行校正,得到待測磁場磁強校正值。

      4、本申請實施例的第三方面,提供了一種電子設(shè)備,包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器中并且可在處理器上運行的計算機程序,該處理器執(zhí)行計算機程序時實現(xiàn)上述方法的步驟。

      5、本申請實施例的第四方面,提供了一種可讀存儲介質(zhì),該可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機程序,該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述方法的步驟。

      6、本申請實施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果是:通過獲取標(biāo)定磁場的磁強,確定一個已知且準(zhǔn)確的標(biāo)定磁場的磁強,標(biāo)定磁場的磁強將作為后續(xù)測量和校正的基準(zhǔn)。在可控溫的標(biāo)定磁場環(huán)境中,改變環(huán)境溫度,采用目標(biāo)磁強計對多個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場進行磁強測量,得到各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值,收集到溫度與目標(biāo)磁強計之間測量值的原始數(shù)據(jù)。利用各個溫度、各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值建立一個數(shù)學(xué)模型,即溫度和測量誤差之間的誤差預(yù)測模型,誤差預(yù)測模型可以預(yù)測在特定溫度下,由于溫度影響導(dǎo)致的誤差偏移系數(shù),在建立誤差預(yù)測模型的過程中,捕捉溫度與測量誤差之間的關(guān)系規(guī)律,以便于后續(xù)對測量結(jié)果進行校正。獲取待測磁場溫度,根據(jù)待測磁場溫度和誤差預(yù)測模型,確定待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù),待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù)可以表示由于溫度影響,目標(biāo)磁強計在測量待測磁場時可能出現(xiàn)的誤差比例。在未經(jīng)過校正的情況下,基于目標(biāo)磁強計測量待測磁場的磁強,得到原始的測量數(shù)據(jù),即待測磁場磁強測量值。利用誤差偏移系數(shù)對待測磁場磁強測量值進行調(diào)整,從而得到待測磁場磁強校正值,待測磁場磁強校正值已考慮并糾正了溫度因素導(dǎo)致的偏差,更接近待測磁場的真實磁強。本申請?zhí)岢龅哪繕?biāo)磁強計的誤差校正方法,基于誤差預(yù)測模型進行誤差偏移系數(shù)預(yù)測和測量值校正,通過系統(tǒng)性和科學(xué)性的將溫度對目標(biāo)磁強計測量的影響進行補償,解決現(xiàn)有技術(shù)中溫度影響目標(biāo)磁強計測量磁強準(zhǔn)確性的問題,提高目標(biāo)磁強計在不同溫度下的測量精度和可靠性。



      技術(shù)特征:

      1.一種目標(biāo)磁強計的誤差校正方法,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于各個所述溫度、各個所述溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值和所述標(biāo)定磁場的磁強,建立溫度和測量誤差系數(shù)之間的誤差預(yù)測模型,包括:

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述目標(biāo)磁強計測量對所述待測磁場進行磁強測量,得到待測磁場磁強測量值,包括:

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述目標(biāo)磁強計測量對所述待測磁場進行磁強測量,得到待測磁場磁強測量值之前,還包括:

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述獲取待測磁場溫度,包括:

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述待測磁場溫度和所述誤差預(yù)測模型,確定所述待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù),包括:

      7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于所述目標(biāo)磁強計測量對所述待測磁場進行多次磁強測量,得到多個待測磁場磁強初始測量值,包括:

      8.一種目標(biāo)磁強計的誤差校正裝置,其特征在于,包括:

      9.一種電子設(shè)備,包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并且可在所述處理器上運行的計算機程序,其特征在于,所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項所述方法的步驟。

      10.一種可讀存儲介質(zhì),所述可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機程序,其特征在于,所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項所述方法的步驟。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請涉及磁場測量技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種目標(biāo)磁強計的誤差校正方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。該方法包括:獲取標(biāo)定磁場的磁強,基于目標(biāo)磁強計對多個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場進行磁強測量,得到各個溫度對應(yīng)的標(biāo)定磁場的磁強測量值;建立溫度和測量誤差之間的誤差預(yù)測模型;獲取待測磁場溫度,根據(jù)待測磁場溫度和誤差預(yù)測模型,確定待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù);基于目標(biāo)磁強計測量對待測磁場進行磁強測量,得到待測磁場磁強測量值;基于待測磁場溫度對應(yīng)的誤差偏移系數(shù)對待測磁場磁強測量值進行校正,得到待測磁場磁強校正值,解決現(xiàn)有技術(shù)中溫度影響目標(biāo)磁強計測量磁強準(zhǔn)確性的問題,提高目標(biāo)磁強計在不同溫度下的測量精度和可靠性。

      技術(shù)研發(fā)人員:張遠(yuǎn)鵬,汪海濤,侯永伸,劉雪峰,楊林,高新,趙文博,陳言坤,舒海龍,遲卉,黃魁,易忠,牛美霞
      受保護的技術(shù)使用者:中國人民解放軍軍事科學(xué)院防化研究院
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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