本申請(qǐng)涉及電子電路，尤其涉及一種檢測(cè)電路、芯片及設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、熱敏電阻、光敏電阻和壓敏電阻等可變電阻的阻值可隨環(huán)境狀態(tài)(如溫度、光照強(qiáng)度、壓力等)的變化產(chǎn)生相應(yīng)變化。例如對(duì)應(yīng)于通過(guò)部署壓敏電阻以喚醒屏幕的電子設(shè)備，在用戶觸碰電子設(shè)備的屏幕以施加壓力時(shí)，壓敏電阻的阻值增大以輸出控制信號(hào)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)喚醒屏幕。其中，通常通過(guò)設(shè)置定值電阻來(lái)確定可變電阻的阻值大小，例如通過(guò)電流流經(jīng)定值電阻和可變電阻的壓降確定可變電阻相對(duì)于定值電阻的大小。

2、然而，通過(guò)壓降方式確定可變電阻的阻值大小，通常需要部署額外的電壓比較電路；特別是在可變電阻的阻值與定值電阻的阻值差異較小時(shí)，可能還需要在電壓比較電路中部署放大器等元件進(jìn)行電壓放大才能進(jìn)行比較，芯片面積占用較大，不利于芯片設(shè)計(jì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種檢測(cè)電路、芯片及設(shè)備。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N檢測(cè)電路，該電路包括：包括偏置模塊、參考模塊和比較模塊，其中，偏置模塊用于向參考模塊和比較模塊分別提供第一鏡像電流和第二鏡像電流；參考模塊包括第一參考電阻單元，且參考模塊用于基于第一鏡像電流和第一參考電阻單元向比較模塊中的目標(biāo)節(jié)點(diǎn)提供下拉電流；比較模塊包括待測(cè)電阻單元，且比較模塊用于基于第二鏡像電流和待測(cè)電阻單元向比較模塊中的目標(biāo)節(jié)點(diǎn)提供上拉電流，其中，目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的上拉電流和下拉電流用于確定檢測(cè)電路的輸出結(jié)果。

3、在本申請(qǐng)實(shí)施例中，基于電流比較即可確定待測(cè)電阻與第一參考電阻的電阻大小關(guān)系，無(wú)需額外部署電壓比較電路，節(jié)省芯片占用面積。

4、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，檢測(cè)電路基于以下方式確定輸出結(jié)果：當(dāng)待測(cè)電阻單元的阻值小于第一參考電阻單元的阻值時(shí)，上拉電流的電流值小于下拉電流的電流值，檢測(cè)電路的輸出結(jié)果為低電平信號(hào)；當(dāng)待測(cè)電阻單元的阻值大于第一參考電阻單元的阻值時(shí)，上拉電流的電流值大于下拉電流的電流值，檢測(cè)電路的輸出結(jié)果為高電平信號(hào)。

5、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述待測(cè)電阻單元至少包括以下電阻的任意一種：熱敏電阻、光敏電阻、壓敏電阻、電熔絲。

6、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，偏置模塊包括第一鏡像單元，參考模塊包括第二鏡像單元，比較模塊包括第三鏡像單元，其中，第一鏡像單元與第二鏡像單元形成第一電流鏡支路，第一鏡像單元與第三鏡像單元形成第二電流鏡支路；偏置模塊用于基于第一電流鏡支路向參考模塊提供第一鏡像電流，第一鏡像電流流經(jīng)第一參考電阻單元產(chǎn)生第一壓降以使得流經(jīng)第二鏡像單元的電流為第一電流，且第一電流作為比較模塊中的目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流；偏置模塊用于基于第二電流鏡支路向比較模塊提供第二鏡像電流，第二鏡像電流流經(jīng)待測(cè)電阻單元產(chǎn)生第二壓降以使得流經(jīng)第三鏡像單元的電流為第二電流，且第二電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的上拉電流。

7、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一鏡像單元包括第一mos管，第二鏡像單元包括第二mos管，第三鏡像單元包括第三mos管，偏置模塊包括第二參考電阻單元和參考電流源，且第二參考電阻單元與第一參考電阻單元的阻值相等；第二參考電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，第二參考電阻單元的另一端與第一mos管的源極連接，第一參考電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，第一參考電阻單元的另一端與第二mos管的源極連接，待測(cè)電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，待測(cè)電阻單元的另一端與第三mos管的源極連接，以及第一mos管的源極與第一mos管的柵極端接，且第一mos管的柵極分別與第二mos管的柵極和第三mos管的柵極連接，以使得第一mos管與第二mos管形成第一電流鏡支路并通過(guò)第一電流鏡支路向偏置模塊提供第一鏡像電流，以及使得第一mos管與第三mos管形成第二電流鏡支路并通過(guò)第二電流鏡支路向比較模塊提供第二鏡像電流。

8、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述參考模塊包括第四mos管和第五mos管，比較模塊包括第六mos管和第七mos管；第四mos管的漏極與第二mos的漏極連接，第四mos管的源極與第五mos管的漏極連接，第五mos管的源極與接地端連接，第六mos管的漏極與第三mos管的漏極連接，第六mos管的源極與第七mos管的漏極連接，第七mos管的源極與接地端連接，以及第四mos管的柵極與第六mos管的柵極連接，且第四mos管的柵極與第六mos管的柵極設(shè)有第二驅(qū)動(dòng)電壓，第五mos管的柵極與第七mos管的柵極連接，且第五mos管的柵極和第七mos管的柵極均與第四mos管的漏極連接，以使得第四mos管、第五mos管、第六mos管和第七mos管形成第三電流鏡支路，參考模塊通過(guò)第三電流鏡支路向比較模塊提供第一電流，以使第一電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流。

9、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一mos管、第二mos管和第三mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1:1；第四mos管與第六mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1；第五mos管與第七mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1。

10、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一mos管、第二mos管和第三mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1:m；第四mos管與第六mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:m；第五mos管與第七mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:m；其中，m滿足以下公式關(guān)系：

11、

12、其中，r01為第一參考電阻單元的阻值，rxpre為待測(cè)電阻單元的阻值變化范圍的最小阻值，vthmp2為第二mos管的有效閾值電壓，vthmp3為第三mos管的有效閾值電壓，iref為參考電流源的電流值，m大于1。

13、在本申請(qǐng)實(shí)施例中，當(dāng)待測(cè)電阻與第一參考電阻的阻值差異較小難以比較電流大小時(shí)，可以通過(guò)改變電路中對(duì)應(yīng)mos管的溝道寬長(zhǎng)比以相對(duì)擴(kuò)大電流差異大小來(lái)進(jìn)行電流大小比較，無(wú)需額外部署放大器等元件，相對(duì)減小了檢測(cè)電路占用的芯片面積，降低芯片功耗。

14、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一mos管、第二mos管和第三mos管為pmos管，第四mos管、第五mos管、第六mos管和第七mos管為nmos管。

15、第二方面，提供了一種芯片，芯片中形成有如第一方面任一項(xiàng)所述的電路。

16、第三方面，提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括芯片，芯片中形成有如第一方面任一項(xiàng)所述的電路。

技術(shù)特征：

1.一種檢測(cè)電路，其特征在于，包括偏置模塊、參考模塊和比較模塊，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述檢測(cè)電路基于以下方式確定輸出結(jié)果：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述待測(cè)電阻單元至少包括以下電阻的任意一種：熱敏電阻、光敏電阻、壓敏電阻、電熔絲。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的電路，其特征在于，所述偏置模塊包括第一鏡像單元，所述參考模塊包括第二鏡像單元，所述比較模塊包括第三鏡像單元，其中，所述第一鏡像單元與第二鏡像單元形成第一電流鏡支路，所述第一鏡像單元與第三鏡像單元形成第二電流鏡支路；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述第一鏡像單元包括第一mos管，所述第二鏡像單元包括第二mos管，所述第三鏡像單元包括第三mos管，所述偏置模塊包括第二參考電阻單元和參考電流源，且所述第二參考電阻單元與所述第一參考電阻單元的阻值相等；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述參考模塊包括第四mos管和第五mos管，所述比較模塊包括第六mos管和第七mos管；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管和所述第三mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1:1；

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管和所述第三mos管的溝道寬長(zhǎng)比的比值為1:1:m；

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管和所述第三mos管為pmos管，所述第四mos管、所述第五mos管、所述第六mos管和第七mos管為nmos管。

10.一種芯片，其特征在于，所述芯片中形成有如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的電路。

11.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括芯片，所述芯片中形成有如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的電路。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種檢測(cè)電路、芯片及設(shè)備，在該電路中，偏置模塊向參考模塊和比較模塊分別拷貝第一鏡像電流和第二鏡像電流，將第一鏡像電流流經(jīng)參考模塊中第一參考電阻單元產(chǎn)生壓降得到的電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流，將第二鏡像電流流經(jīng)比較模塊中的待測(cè)電阻單元產(chǎn)生壓降得到的電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的上拉電流，通過(guò)比較上拉電流和下拉電流即可確定出待測(cè)電阻相對(duì)第一參考電阻的大小，無(wú)需額外部署電壓比較電路；且基于增大第一鏡像電流和第二鏡像電流的拷貝比例，可相對(duì)等效擴(kuò)大待測(cè)電阻相對(duì)第一參考電阻的大小，提高比較精度以確保電路輸出結(jié)果的準(zhǔn)確性，無(wú)需額外部署放大器等元件，相對(duì)減小了芯片的占用面積。

技術(shù)研發(fā)人員：胡康
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海艾為半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26