本發(fā)明涉及芯片檢測(cè)，更為具體地，涉及一種芯片測(cè)試裝置及方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體芯片堆壘技術(shù)領(lǐng)域中，在芯片形成或出廠之前，需要對(duì)其相關(guān)性能進(jìn)行測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的質(zhì)量檢測(cè)、分級(jí)和不良品篩選等。目前，芯片堆壘的方式多種多樣，如hbm、wide-io或hmc等，在對(duì)此類芯片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要外部探針與芯片上的金屬凸點(diǎn)bump進(jìn)行接觸，從而實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)及測(cè)試結(jié)果的傳輸。

2、但是，由于芯片上的各金屬凸點(diǎn)的尺寸微小并且比較脆弱，若采用現(xiàn)有的探針直接對(duì)金屬凸點(diǎn)進(jìn)行接觸測(cè)試，會(huì)導(dǎo)致金屬凸點(diǎn)的焊料端損傷，進(jìn)而影響后續(xù)的接合工藝及芯片性能，影響產(chǎn)品良率。

3、因此，目前亟需一種芯片測(cè)試方案，能夠在實(shí)現(xiàn)芯片與測(cè)試信號(hào)導(dǎo)通的同時(shí)，防止金屬凸點(diǎn)的焊料端受損，而影響芯片性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種芯片測(cè)試裝置及方法，以解決現(xiàn)有芯片測(cè)試方案會(huì)導(dǎo)致芯片的焊料端損傷，從而影響芯片性能等問題。

2、本發(fā)明提供的芯片測(cè)試裝置，包括：呈陣列分布的測(cè)試探針；其中，所述待檢測(cè)芯片的金屬凸點(diǎn)設(shè)置在芯片保護(hù)層上，包括位于所述芯片保護(hù)層上的支撐柱以及位于所述支撐柱端部的焊料帽；所述測(cè)試探針具有一開口端，所述測(cè)試探針的開口端用于與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)的傳遞；在所述測(cè)試探針的外側(cè)設(shè)置有絕緣定位層，所述絕緣定位層與所述芯片保護(hù)層相抵接，用于對(duì)所述測(cè)試探針與所述支撐柱的接觸進(jìn)行定位；所述測(cè)試探針的設(shè)置位置與所述金屬凸點(diǎn)的分布一一對(duì)應(yīng)。

3、此外，可選的技術(shù)方案是，還包括固定所述測(cè)試探針的探針支架以及驅(qū)動(dòng)所述探針支架運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置；其中，所述驅(qū)動(dòng)裝置用于通過所述探針支架帶動(dòng)所述測(cè)試探針與對(duì)應(yīng)位置的金屬凸點(diǎn)接觸導(dǎo)通。

4、此外，可選的技術(shù)方案是，所述探針支架設(shè)置有多個(gè)，所述探針支架與所述測(cè)試探針對(duì)應(yīng)設(shè)置；并且，所述絕緣定位層設(shè)置在各測(cè)試探針的外側(cè)。

5、此外，可選的技術(shù)方案是，所述探針支架設(shè)置有一個(gè)，所述測(cè)試探針在所述探針支架上呈陣列分布；所述絕緣定位層設(shè)置在探針支架的邊緣外側(cè)。

6、此外，可選的技術(shù)方案是，所述絕緣定位層為板狀結(jié)構(gòu)或者柱狀結(jié)構(gòu)。

7、此外，可選的技術(shù)方案是，在沿平行于所述芯片保護(hù)層的方向上，所述絕緣定位層的長(zhǎng)度不小于所述測(cè)試探針的長(zhǎng)度。

8、此外，可選的技術(shù)方案是，在所述芯片保護(hù)層上設(shè)置有定位結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述絕緣定位層與所述芯片保護(hù)層相抵接時(shí)，所述絕緣定位層的下端限位在所述定位結(jié)構(gòu)內(nèi)。

9、此外，可選的技術(shù)方案是，所述測(cè)試探針具有一可變形的內(nèi)部腔體；在滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，所述測(cè)試探針的開口端向內(nèi)收縮變形至與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，所述焊料帽避讓在所述測(cè)試探針的內(nèi)部腔體中。

10、此外，可選的技術(shù)方案是，所述測(cè)試探針的材質(zhì)為記憶金屬，所述預(yù)設(shè)條件為預(yù)設(shè)溫度條件。

11、另一方面，本發(fā)明還提供一種芯片測(cè)試方法，利用上述芯片測(cè)試裝置對(duì)待檢測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試，所述方法包括：將測(cè)試探針移動(dòng)至待檢測(cè)芯片的上方后，控制所述測(cè)試探針下降或所述待檢測(cè)芯片上升，直至絕緣定位層與芯片保護(hù)層相抵接；控制所述測(cè)試探針的開口端與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，通過測(cè)試探針向所述待檢測(cè)芯片發(fā)送測(cè)試信號(hào)，通過所述測(cè)試信號(hào)對(duì)所述待檢測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試。

12、利用上述芯片測(cè)試裝置及方法，將測(cè)試探針設(shè)置為具有一開口端的可變形腔體結(jié)構(gòu)，使得測(cè)試探針的開口端能夠在滿足預(yù)設(shè)條件的情況下與支撐柱接觸導(dǎo)通，進(jìn)而通過支撐柱實(shí)現(xiàn)測(cè)試探針與金屬凸點(diǎn)之間的導(dǎo)通，以及在測(cè)試探針的外側(cè)設(shè)置絕緣定位層，據(jù)此對(duì)相鄰的測(cè)試探針進(jìn)行隔離，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與待檢測(cè)芯片之間的精確定位，提高檢測(cè)準(zhǔn)確度，并避免測(cè)試探針與焊料帽的直接接觸，確保焊料帽的外形完整，避免由于焊料帽損傷導(dǎo)致的后續(xù)工藝及性能受到影響。

13、為了實(shí)現(xiàn)上述以及相關(guān)目的，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面包括后面將詳細(xì)說明的特征。下面的說明以及附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅是可使用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發(fā)明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。

技術(shù)特征：

1.一種芯片測(cè)試裝置，其特征在于，包括呈陣列分布的測(cè)試探針；其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，還包括固定所述測(cè)試探針的探針支架以及驅(qū)動(dòng)所述探針支架運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置；其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片測(cè)試裝置，其特征在于，

10.一種芯片測(cè)試方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的芯片測(cè)試裝置對(duì)待檢測(cè)芯片進(jìn)行測(cè)試，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種芯片測(cè)試裝置及方法，其中的裝置包括：包括呈陣列分布的測(cè)試探針；其中，所述待檢測(cè)芯片的金屬凸點(diǎn)設(shè)置在芯片保護(hù)層上，包括位于所述芯片保護(hù)層上的支撐柱以及位于所述支撐柱端部的焊料帽；所述測(cè)試探針具有一開口端，所述測(cè)試探針的開口端用于與所述支撐柱接觸導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)的傳遞；在所述測(cè)試探針的外側(cè)設(shè)置有絕緣定位層，所述絕緣定位層與所述芯片保護(hù)層相抵接，用于對(duì)所述測(cè)試探針與所述支撐柱的接觸進(jìn)行定位；所述測(cè)試探針的設(shè)置位置與所述金屬凸點(diǎn)的分布一一對(duì)應(yīng)。利用上述發(fā)明能夠在不損傷焊料帽的情況下，完成對(duì)芯片的相關(guān)測(cè)試。

技術(shù)研發(fā)人員：賴俊生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：皇虎測(cè)試科技（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10