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      一種芯片測(cè)試裝置的制作方法

      文檔序號(hào):40275046發(fā)布日期:2024-12-11 13:09閱讀:11來(lái)源:國(guó)知局
      一種芯片測(cè)試裝置的制作方法

      本技術(shù)涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域,特別涉及一種芯片測(cè)試裝置。


      背景技術(shù):

      1、芯片在封裝及出廠前,需要經(jīng)過(guò)多重電氣參數(shù)測(cè)試,以篩選不良品,提高產(chǎn)品質(zhì)量。目前的芯片測(cè)試裝置主要起到固定和導(dǎo)電的作用,芯片測(cè)試裝置的內(nèi)阻和接觸電阻影響測(cè)試結(jié)果。在測(cè)量小電流芯片時(shí),使用現(xiàn)有的芯片測(cè)試裝置的測(cè)試結(jié)果較準(zhǔn)確。但是在測(cè)量1a以上的大電流芯片時(shí),使用現(xiàn)有的芯片測(cè)試裝置的測(cè)試結(jié)果誤差較大。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型涉及一種芯片測(cè)試裝置,以解決使用現(xiàn)有的芯片測(cè)試裝置在測(cè)量大電流芯片的電氣參數(shù)時(shí)測(cè)試結(jié)果誤差較大的技術(shù)問(wèn)題。

      2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種芯片測(cè)試裝置,包括上蓋、底座、多個(gè)支撐部件和兩組以上電連接器;

      3、所述上蓋套接在所述底座上,所述上蓋相對(duì)所述底座可上下移動(dòng),所述上蓋的中間位置開(kāi)設(shè)有用于取放芯片的通槽,所述底座的第一表面用于放置所述芯片;

      4、多個(gè)所述支撐部件間隔設(shè)置在所述上蓋和所述底座之間,多個(gè)所述支撐部件用于支撐所述上蓋并使所述上蓋相對(duì)所述底座上下移動(dòng);

      5、所述電連接器安裝在所述底座上,每組所述電連接器均包括第一連接器和第二連接器;所述第一連接器包括相互連接的第一端、第二端和第三端;所述第二連接器包括相互連接的第四端和第五端;所述第一端設(shè)置在所述第四端的上方,所述第一端和所述第四端用于夾持所述芯片的一個(gè)管腳;所述第二端和所述第五端貫穿所述底座并從所述底座的第二表面露出,所述第一表面和所述第二表面相對(duì)設(shè)置;所述第三端跟隨所述上蓋移動(dòng)以打開(kāi)或閉合所述第一端,當(dāng)所述第一端打開(kāi)時(shí),所述芯片的一個(gè)管腳可放入所述第一端和所述第四端之間,或者從所述第一端和所述第四端之間取出;當(dāng)所述第一端閉合時(shí),所述芯片的一個(gè)管腳被所述第一端和所述第四端夾緊。

      6、可選的,所述底座的第一表面上開(kāi)設(shè)有用于放置芯片的放置槽。

      7、可選的,所述第一端和所述第四端平行設(shè)置,所述第四端的上表面與所述放置槽的底面在同一平面上。

      8、可選的,所述上蓋的內(nèi)部設(shè)置有用于帶動(dòng)所述第三端移動(dòng)的限位卡槽,所述第三端設(shè)置在所述限位卡槽內(nèi)。

      9、可選的,所述上蓋的內(nèi)部設(shè)置有限位卡勾,所述底座上設(shè)置有與所述限位卡勾相配合的限位凸臺(tái),所述限位卡勾設(shè)置在所述限位凸臺(tái)的下方。

      10、可選的,相鄰的兩組所述電連接器之間均設(shè)置有分隔板。

      11、可選的,相鄰兩個(gè)所述分隔板之間的距離為所述管腳的寬度的100%~110%。

      12、可選的,所述支撐部件為彈簧或帶有卡扣的支撐柱。

      13、可選的,所述支撐部件的總數(shù)為四個(gè),四個(gè)所述支撐部件分布在所述上蓋和所述底座的四個(gè)拐角位置。

      14、可選的,所述第二端和所述第五端平行設(shè)置,并且均與所述底座的第二表面垂直。

      15、可選的,兩組以上所述電連接器設(shè)置在所述放置槽的同一側(cè),或者,兩組以上所述電連接器設(shè)置在所述放置槽的兩側(cè)。

      16、可選的,所述第二端為固定端,所述第一端和所述第三端具有彈性,所述第三端上抬或下壓時(shí),所述第一端跟隨所述第三端移動(dòng)以閉合或打開(kāi)。

      17、本實(shí)用新型提供的一種芯片測(cè)試裝置,包括兩組以上電連接器,每組電連接器可以?shī)A住芯片的一個(gè)管腳。可以通過(guò)兩組以上電連接器對(duì)芯片進(jìn)行開(kāi)爾文連接,再與具有開(kāi)爾文四線檢測(cè)(開(kāi)爾文四線檢測(cè),kelvin?four-terminal?sensing)功能的芯片測(cè)試設(shè)備配合使用,可解決由于芯片測(cè)試裝置的內(nèi)阻和接觸電阻造成的大電流芯片的測(cè)試結(jié)果誤差較大的問(wèn)題,提高大電流芯片的電氣參數(shù)測(cè)試結(jié)果。該芯片測(cè)試裝置也可以對(duì)小電流芯片的電氣參數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確地測(cè)量。該芯片測(cè)試裝置可以作為自動(dòng)測(cè)試夾具,通過(guò)機(jī)械手控制下壓上蓋、放置及取出芯片。電連接器與芯片的管腳之間的接觸面積可以設(shè)計(jì)的盡量大,以便進(jìn)一步減小接觸電阻,增加允許通過(guò)的電流。



      技術(shù)特征:

      1.一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,包括上蓋、底座、多個(gè)支撐部件和兩組以上電連接器;

      2.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述底座的第一表面上開(kāi)設(shè)有用于放置芯片的放置槽。

      3.如權(quán)利要求2所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述第一端和所述第四端平行設(shè)置,所述第四端的上表面與所述放置槽的底面在同一平面上。

      4.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述上蓋的內(nèi)部設(shè)置有用于帶動(dòng)所述第三端移動(dòng)的限位卡槽,所述第三端設(shè)置在所述限位卡槽內(nèi)。

      5.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述上蓋的內(nèi)部設(shè)置有限位卡勾,所述底座上設(shè)置有與所述限位卡勾相配合的限位凸臺(tái),所述限位卡勾設(shè)置在所述限位凸臺(tái)的下方。

      6.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,相鄰的兩組所述電連接器之間均設(shè)置有分隔板。

      7.如權(quán)利要求6所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,相鄰兩個(gè)所述分隔板之間的距離為所述管腳的寬度的100%~110%。

      8.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述支撐部件為彈簧或帶有卡扣的支撐柱。

      9.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述支撐部件的總數(shù)為四個(gè),四個(gè)所述支撐部件分布在所述上蓋和所述底座的四個(gè)拐角位置。

      10.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述第二端和所述第五端平行設(shè)置,并且均與所述底座的第二表面垂直。

      11.如權(quán)利要求2所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,兩組以上所述電連接器設(shè)置在所述放置槽的同一側(cè),或者,兩組以上所述電連接器設(shè)置在所述放置槽的兩側(cè)。

      12.如權(quán)利要求1所述的一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述第二端為固定端,所述第一端和所述第三端具有彈性,所述第三端上抬或下壓時(shí),所述第一端跟隨所述第三端移動(dòng)以閉合或打開(kāi)。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)提供了一種芯片測(cè)試裝置,包括上蓋、底座、多個(gè)支撐部件和兩組以上電連接器;上蓋套接在底座上,上蓋相對(duì)底座可上下移動(dòng),上蓋的中間位置開(kāi)設(shè)有用于取放芯片的通槽,底座的第一表面用于放置芯片;多個(gè)支撐部件間隔設(shè)置在上蓋和底座之間,多個(gè)支撐部件用于支撐上蓋并使上蓋相對(duì)底座上下移動(dòng);電連接器安裝在底座上,每組電連接器均包括第一連接器和第二連接器;第一連接器包括相互連接的第一端、第二端和第三端;第二連接器包括相互連接的第四端和第五端;第一端設(shè)置在第四端的上方??梢酝ㄟ^(guò)兩組以上電連接器對(duì)芯片進(jìn)行開(kāi)爾文連接,再與具有開(kāi)爾文四線檢測(cè)功能的芯片測(cè)試設(shè)備配合使用,可提高大電流芯片的電氣參數(shù)測(cè)試結(jié)果。

      技術(shù)研發(fā)人員:高上彬
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:杭州友旺電子有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240304
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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