本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工,特別是涉及一種檢測(cè)治具。
背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用。在半導(dǎo)體的制造工藝中,需要將晶片研磨到指定厚度,再進(jìn)行后續(xù)的加工工序。
2、現(xiàn)有的晶片在厚度測(cè)量的過程中會(huì)將晶片直接放置在治具上,導(dǎo)致在厚度測(cè)量的過程中晶片的端面很容易被治具劃傷,影響晶片端面的平整度,尤其在精度要求較高的情況下,端面存在劃傷的晶片嚴(yán)重影響加工質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:
2、厚度測(cè)量過程中劃傷晶片端面,影響加工質(zhì)量。
3、為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了一種檢測(cè)治具,包括:
4、底板,所述底板上設(shè)置有第一鏤空區(qū);
5、轉(zhuǎn)板,與所述底板可轉(zhuǎn)動(dòng)連接;所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二鏤空區(qū);
6、載物板,與所述轉(zhuǎn)板連接,所述載物板隨所述轉(zhuǎn)板一并相對(duì)所述底板轉(zhuǎn)動(dòng);所述載物板上設(shè)置有第三鏤空區(qū)及多個(gè)插孔,各所述插孔沿所述載物板周緣間隔設(shè)置;
7、支撐柱,所述支撐柱分別插入各所述插孔內(nèi),所述支撐柱用于將晶片架設(shè)在所述載物板上;及
8、檢測(cè)件,所述檢測(cè)件用于檢測(cè)其與晶片之間的距離;
9、其中,所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)依次連通形成檢測(cè)通道;所述檢測(cè)件對(duì)稱布置在所述檢測(cè)通道的兩端。
10、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述支撐柱包括插接部、延伸部及抵持部;所述插接部插入所述插孔內(nèi),所述延伸部自所述插接部向遠(yuǎn)離所述載物板方向延伸,所述抵持部設(shè)置在所述延伸部遠(yuǎn)離所述插接部的一側(cè),所述抵持部用于與晶片相抵接。
11、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述抵持部的外側(cè)面自所述延伸部向遠(yuǎn)離所述插接部方向呈逐漸收縮狀傾斜設(shè)置。
12、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述支撐柱還包括手持部;所述手持部與所述抵持部遠(yuǎn)離所述延伸部的一側(cè)連接。
13、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述底板、所述轉(zhuǎn)板及所述載物板均呈圓形直板狀,所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)均呈圓弧形通孔狀,所述第一鏤空區(qū)沿所述底板的周緣間隔設(shè)置,所述第二鏤空區(qū)沿所述轉(zhuǎn)板的周緣間隔設(shè)置,所述第三鏤空區(qū)沿所述載物板的周緣間隔設(shè)置。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述載物板上設(shè)置有通槽;所述通槽的一端與所述第三鏤空區(qū)相連通,所述通槽的另一端向所述載物板的圓心位置處延伸。
15、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有導(dǎo)向條,所述載物板上設(shè)置有導(dǎo)向槽;所述導(dǎo)向條呈長條狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述載物板的一側(cè),所述導(dǎo)向槽呈長條形凹槽狀設(shè)置在所述載物板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè),所述導(dǎo)向條對(duì)應(yīng)嵌入所述導(dǎo)向槽內(nèi),所述導(dǎo)向槽與所述通槽的延伸方向相同。
16、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述底板上設(shè)置有第一定位塊,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二定位塊;所述第一定位塊凸設(shè)在所述底板的外側(cè)曲面上,所述第二定位塊凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板的外側(cè)曲面上;
17、其中,所述轉(zhuǎn)板的第二定位塊旋轉(zhuǎn)至與所述第一定位塊對(duì)應(yīng)位置處時(shí),所述通槽的開口方向朝向所述檢測(cè)件。
18、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述底板上設(shè)置有鉸接孔,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有鉸接柱;所述鉸接孔呈圓形凹槽狀設(shè)置在所述底板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè),所述鉸接柱呈圓柱狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述底板的一側(cè),所述鉸接柱插設(shè)在所述鉸接孔內(nèi)。
19、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述載物板上設(shè)置有把手;所述把手凸設(shè)在所述載物板的外側(cè)曲面上。
20、上述檢測(cè)治具與現(xiàn)有技術(shù)相比,其有益效果在于:
21、通過在載物板上設(shè)置支撐柱,將晶片架設(shè)在載物板上,實(shí)現(xiàn)晶片端面與載物板分離,進(jìn)而避免厚度測(cè)量過程中對(duì)晶片端面造成劃傷,保證后續(xù)的加工質(zhì)量,提高晶片加工穩(wěn)定性。
22、通過設(shè)置可相對(duì)底板轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)板,在測(cè)量過程中不需要移動(dòng)檢測(cè)件,通過控制轉(zhuǎn)板的旋轉(zhuǎn)即可對(duì)晶片進(jìn)行全角度的厚度測(cè)量,消除檢測(cè)件移動(dòng)控制過程中出現(xiàn)的位移誤差,進(jìn)而提高對(duì)晶片厚度的檢測(cè)精度,滿足對(duì)晶片的高精度加工需求。
1.一種檢測(cè)治具,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述支撐柱包括插接部、延伸部及抵持部;所述插接部插入所述插孔內(nèi),所述延伸部自所述插接部向遠(yuǎn)離所述載物板方向延伸,所述抵持部設(shè)置在所述延伸部遠(yuǎn)離所述插接部的一側(cè),所述抵持部用于與晶片相抵接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述抵持部的外側(cè)面自所述延伸部向遠(yuǎn)離所述插接部方向呈逐漸收縮狀傾斜設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述支撐柱還包括手持部;所述手持部與所述抵持部遠(yuǎn)離所述延伸部的一側(cè)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述底板、所述轉(zhuǎn)板及所述載物板均呈圓形直板狀,所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)均呈圓弧形通孔狀,所述第一鏤空區(qū)沿所述底板的周緣間隔設(shè)置,所述第二鏤空區(qū)沿所述轉(zhuǎn)板的周緣間隔設(shè)置,所述第三鏤空區(qū)沿所述載物板的周緣間隔設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述載物板上設(shè)置有通槽;所述通槽的一端與所述第三鏤空區(qū)相連通,所述通槽的另一端向所述載物板的圓心位置處延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有導(dǎo)向條,所述載物板上設(shè)置有導(dǎo)向槽;所述導(dǎo)向條呈長條狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述載物板的一側(cè),所述導(dǎo)向槽呈長條形凹槽狀設(shè)置在所述載物板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè),所述導(dǎo)向條對(duì)應(yīng)嵌入所述導(dǎo)向槽內(nèi),所述導(dǎo)向槽與所述通槽的延伸方向相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述底板上設(shè)置有第一定位塊,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二定位塊;所述第一定位塊凸設(shè)在所述底板的外側(cè)曲面上,所述第二定位塊凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板的外側(cè)曲面上;
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述底板上設(shè)置有鉸接孔,所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有鉸接柱;所述鉸接孔呈圓形凹槽狀設(shè)置在所述底板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè),所述鉸接柱呈圓柱狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述底板的一側(cè),所述鉸接柱插設(shè)在所述鉸接孔內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的檢測(cè)治具,其特征在于,所述載物板上設(shè)置有把手;所述把手凸設(shè)在所述載物板的外側(cè)曲面上。