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      一種單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺的制作方法

      文檔序號:40350540發(fā)布日期:2024-12-18 13:28閱讀:5來源:國知局
      一種單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺的制作方法

      本技術屬于沖擊試驗設備,具體涉及一種單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺。


      背景技術:

      1、沖擊試驗臺是進行沖擊試驗的設備,根據(jù)結構不同,大致劃分為自由落體式和加力式兩種,自由落體式?jīng)_擊試驗臺僅靠待測物體的自由落體實現(xiàn)沖擊,沖擊試驗能夠達成的指標較低,適用范圍有限,加力式?jīng)_擊試驗臺不僅利用待測物體自由落體時的沖擊力實現(xiàn)沖擊,還通過沖擊平臺底部的連接桿下拉,進行加力,如中國專利cn2202084300u、cn205317439u、cn211855774u就公開了這類沖擊試驗臺,連接桿的數(shù)量分為單根及多根,連接桿的下拉可通過壓縮氣體驅動、電力驅動等方式實現(xiàn),若要實現(xiàn)半正弦波形的輸出,還需要在沖擊平臺的下方設置波形墊,使沖擊平臺撞擊后能夠發(fā)生多次高度逐漸降低的反彈,對于多根連接桿的下拉式?jīng)_擊試驗臺而言,可將波形墊設置在多根連接桿的中間部位,在調整沖擊試驗的指標時,通過連接桿將沖擊平臺向上頂起,即可通過相鄰連接桿之間的間隔拆卸波形墊進行更換,但多根連接桿的下拉動作難以完全一致,會在一定程度上影響試驗結果的準確性;對于單根連接桿的下拉式?jīng)_擊試驗臺而言,其不存在下拉動作一致性的問題,但為了確保沖擊平臺沖擊時能夠充分接觸波形墊,需要先在波形墊中心開設用于穿設連接桿的通孔,再將波形墊套裝在連接桿上后,才能將其固定在沖擊平臺的下方,這樣一來,波形墊無法從側面直接取下,在調整沖擊試驗的指標時,需要先拆開沖擊平臺與連接桿的連接部位,再將沖擊平臺取下,再拆卸波形墊并進行更換,更換完成后,還需要重新安裝沖擊平臺,操作不便,且波形墊更換前后沖擊平臺與連接桿的相對位置難以保證一致,會影響試驗條件的一致性。


      技術實現(xiàn)思路

      1、本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術的缺點,提供一種波形墊更換簡單方便的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺。

      2、為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是,單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,包括:

      3、底座;

      4、沖擊平臺,所述沖擊平臺可上下移動地設置在所述底座的上方,所述沖擊平臺上設有用于檢測沖擊信號的傳感器;

      5、連接桿,所述連接桿可上下移動地插設在所述底座內,所述連接桿的上端部凸出所述底座的上端面與所述沖擊平臺的底部中心相連接,所述連接桿的下端部伸入所述底座與用于驅動所述連接桿上下移動的驅動器相連接;

      6、波形墊,所述波形墊套設在所述連接桿上并位于所述底座與所述沖擊平臺之間,所述波形墊連接在所述底座的上端面;所述波形墊沿所述連接桿的徑向方向分割成至少兩個塊狀墊,這兩個所述塊狀墊分布于所述連接桿的兩側并分別與所述底座的上端面相連接。

      7、優(yōu)選地,在連接至所述底座的上端面時,相鄰的所述塊狀墊相向側表面之間的間距小于等于0.5mm。

      8、優(yōu)選地,所述波形墊包括金屬底盤和成型于所述金屬底盤上的聚氨酯塊或橡膠塊,所述金屬底盤的中心開設有用于所述連接桿穿過的第一通孔,所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的中心開設有用于所述連接桿穿過的第二通孔,所述第二通孔與所述第一通孔同軸且孔徑相等。

      9、進一步優(yōu)選地,所述金屬底盤上開設有用于連接所述底座的螺栓孔,所述螺栓孔有多個并分布在所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的外側,相鄰的所述螺栓孔之間間隔設置。

      10、進一步優(yōu)選地,所述金屬底盤的上表面設有用于增強所述聚氨酯塊或所述橡膠塊與所述金屬底盤連接力的連接結構,所述連接結構包括連接孔組和環(huán)形連接槽,所述連接孔組有多組,每組所述連接孔組均包括若干圍繞所述第一通孔的軸心線均布的連接孔,所有所述連接孔組圍繞所述第一通孔的軸心線呈同心圓分布,所述環(huán)形連接槽同軸設置在所述第一通孔的外側,所述環(huán)形連接槽有多道且圍繞所述第一通孔的軸心線呈同心圓分布。

      11、進一步優(yōu)選地,所述環(huán)形連接槽與所述連接孔組交錯設置,相鄰的所述環(huán)形連接槽與所述連接孔組之間的間距相等。

      12、進一步優(yōu)選地,所述連接孔為沉頭孔,所述連接孔的沉頭端位于所述金屬底盤的下表面,所述環(huán)形連接槽的截面呈v形。

      13、進一步優(yōu)選地,所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的底部填充在所有所述環(huán)形連接槽及所有所述連接孔內。

      14、進一步優(yōu)選地,所述聚氨酯塊由澆筑在所述金屬底盤上的液態(tài)聚氨酯固化而成,所述橡膠塊由澆筑在所述金屬底盤上的液態(tài)橡膠固化而成。

      15、進一步優(yōu)選地,所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的下端部呈圓柱狀,上端部呈錐角為165-170°的去頭圓錐狀。

      16、由于上述技術方案運用,本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點:

      17、本實用新型提供的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,包括底座、可上下移動地設置在底座上方的沖擊平臺、可上下移動地插設在底座內的連接桿、套設在連接桿上并位于底座與沖擊平臺之間的波形墊,沖擊平臺上設有用于檢測沖擊信號的傳感器,連接桿的上端部凸出底座的上端面與沖擊平臺的底部中心相連接,連接桿的下端部伸入底座與用于驅動連接桿上下移動的驅動器相連接,波形墊連接在底座的上端面;通過使波形墊沿連接桿的徑向方向分割成至少兩個塊狀墊,使這兩個塊狀墊分布于連接桿的兩側并分別與底座的上端面相連接,能夠通過從側面取出所有塊狀墊并進行更換實現(xiàn)整個波形墊的更換,操作簡單方便,省時省力。



      技術特征:

      1.一種單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,包括:

      2.根據(jù)權利要求1所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:在連接至所述底座的上端面時,相鄰的所述塊狀墊相向側表面之間的間距小于等于0.5mm。

      3.根據(jù)權利要求1所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述波形墊包括金屬底盤和成型于所述金屬底盤上的聚氨酯塊或橡膠塊,所述金屬底盤的中心開設有用于所述連接桿穿過的第一通孔,所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的中心開設有用于所述連接桿穿過的第二通孔,所述第二通孔與所述第一通孔同軸且孔徑相等。

      4.根據(jù)權利要求3所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述金屬底盤上開設有用于連接所述底座的螺栓孔,所述螺栓孔有多個并分布在所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的外側,相鄰的所述螺栓孔之間間隔設置。

      5.根據(jù)權利要求3所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述金屬底盤的上表面設有用于增強所述聚氨酯塊或所述橡膠塊與所述金屬底盤連接力的連接結構,所述連接結構包括連接孔組和環(huán)形連接槽,所述連接孔組有多組,每組所述連接孔組均包括若干圍繞所述第一通孔的軸心線均布的連接孔,所有所述連接孔組圍繞所述第一通孔的軸心線呈同心圓分布,所述環(huán)形連接槽同軸設置在所述第一通孔的外側,所述環(huán)形連接槽有多道且圍繞所述第一通孔的軸心線呈同心圓分布。

      6.根據(jù)權利要求5所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述環(huán)形連接槽與所述連接孔組交錯設置,相鄰的所述環(huán)形連接槽與所述連接孔組之間的間距相等。

      7.根據(jù)權利要求5所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述連接孔為沉頭孔,所述連接孔的沉頭端位于所述金屬底盤的下表面,所述環(huán)形連接槽的截面呈v形。

      8.根據(jù)權利要求5所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的底部填充在所有所述環(huán)形連接槽及所有所述連接孔內。

      9.根據(jù)權利要求3所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述聚氨酯塊由澆筑在所述金屬底盤上的液態(tài)聚氨酯固化而成,所述橡膠塊由澆筑在所述金屬底盤上的液態(tài)橡膠固化而成。

      10.根據(jù)權利要求3所述的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,其特征在于:所述聚氨酯塊或所述橡膠塊的下端部呈圓柱狀,上端部呈錐角為165-170°的去頭圓錐狀。


      技術總結
      本技術提供的單桿下拉式半正弦波形沖擊試驗臺,包括底座、可上下移動地設置在底座上方的沖擊平臺、可上下移動地插設在底座內的連接桿、套設在連接桿上并位于底座與沖擊平臺之間的波形墊,沖擊平臺上設有用于檢測沖擊信號的傳感器,連接桿的上端部凸出底座的上端面與沖擊平臺的底部中心相連接,連接桿的下端部伸入底座與用于驅動連接桿上下移動的驅動器相連接,波形墊連接在底座的上端面;通過使波形墊沿連接桿的徑向方向分割成至少兩個塊狀墊,使這兩個塊狀墊對稱分布于連接桿的兩側并分別與底座的上端面相連接,能夠通過從側面取出所有塊狀墊并進行更換實現(xiàn)整個波形墊的更換,操作簡單方便,省時省力。

      技術研發(fā)人員:許堅,宋雪芹,謝亦龍,吳立飛
      受保護的技術使用者:蘇州福艾斯振動系統(tǒng)有限公司
      技術研發(fā)日:20240429
      技術公布日:2024/12/17
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