專利名稱:聚焦離子束顯微鏡樣品臺及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試分析技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種聚焦離子束顯微鏡樣品臺及 其使用方法。
背景技術(shù)：
聚焦離子束顯微鏡(Focus Ion Beam Microscope，F(xiàn)IB)是一種離子束切割加工儀 器，傳統(tǒng)的FIB具有樣品斷面的切割制作功能。目前聚焦離子束顯微鏡廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體 電子產(chǎn)業(yè)及IC工業(yè)上，其主要用途有(1)半導(dǎo)體芯片微小斷面的切割制作；(2)芯片電子 回路的修改；(3)透射電子顯微鏡樣品的制備。FIB的工作原理是通過一種重金屬離子撞擊 樣品來有效控制去除材料，它利用高能離子入射固體樣品，與樣品的原子核和核外電子發(fā) 生彈性或非彈性散射，激發(fā)樣品產(chǎn)生二次電子，通過電子檢測器，接收信號形成圖像來進(jìn)行 有效控制。
FIB待分析樣品需要固定在其標(biāo)準(zhǔn)的金屬樣品放置平臺上進(jìn)行操作。首先將需要 分析的樣品利用銅膠、鋁膠或碳膠固定在樣品臺上，放入FIB進(jìn)行定位，必需通過FIB外接 顯示器提示，調(diào)整樣品臺位置進(jìn)行對樣品的尋找，找到樣品并調(diào)節(jié)樣品的縱、橫軸(以下簡 稱X、Y)后才能進(jìn)行分析、加工。當(dāng)一個樣品完成加工后，需要再通過顯示器尋找才能加工 另一個樣品，耗費(fèi)時(shí)間比較長。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種聚焦離子束顯微鏡樣品臺，能進(jìn)行快速、有 效地定位。為此，本發(fā)明還要提供一種上述聚焦離子束顯微鏡樣品臺的使用方法。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的聚焦離子束顯微鏡樣品臺采用如下技術(shù)方案
所述樣品臺邊緣刻有一凹槽，以該凹槽為原點(diǎn)設(shè)有平面坐標(biāo)軸，在樣品臺表面沿 該坐標(biāo)軸的X、Y方向分別刻有若干條間隔一致的細(xì)槽線，形成數(shù)十個大小相等的正方形， 并在正方形內(nèi)標(biāo)有標(biāo)識符；所述正方形中央設(shè)有便于外接顯示器確定該正方形位置的小 孔。
—種上述聚焦離子束顯微鏡樣品臺的使用方法，包括如下步驟
(1)將樣品臺放入聚焦離子束顯微鏡，用外接顯示器找到樣品臺正方形中心小孔 的位置，把該位置以正方形內(nèi)的標(biāo)識符為名稱進(jìn)行保存；
(2)重復(fù)步驟(1)，直至完成所有正方形中心小孔位置的保存；
(3)將己存有所有正方形中心小孔位置的樣品臺數(shù)據(jù)文件保存到聚焦離子束顯微 鏡的內(nèi)置硬盤中；
(4)把樣品貼在樣品臺正方形上，以小孔為中心，樣品的Χ、Υ方向?qū)?yīng)樣品臺的X、 Y方向；
(5)把貼有樣品的樣品臺放入聚焦離子束顯微鏡，調(diào)出步驟C3)保存的樣品臺數(shù) 據(jù)文件，點(diǎn)擊與樣品放置位置一致的標(biāo)識符即可找到樣品。[0013]由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明的聚焦離子束顯微鏡樣品臺，能進(jìn)行高效、簡便地 定位操作，節(jié)省工作時(shí)間，提高工作效率。


圖1是本發(fā)明聚焦離子束顯微鏡樣品臺的示意圖；
圖2是本發(fā)明聚焦離子束顯微鏡樣品臺的使用方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
本發(fā)明的聚焦離子束顯微鏡樣品臺，應(yīng)用于集成電路失效分析技術(shù)領(lǐng)域：
中聚焦離 子束顯微鏡的硅片樣品的放置，所述樣品臺邊緣刻有一凹槽，以該凹槽為原點(diǎn)設(shè)有平面坐 標(biāo)軸，在樣品臺表面沿該坐標(biāo)軸的X、Y方向分別刻有若干條間隔一致的細(xì)槽線，形成數(shù)十 個大小相等的正方形，并在正方形內(nèi)標(biāo)有標(biāo)識符。所述標(biāo)識符可采用數(shù)字、字母或圖形。
所述正方形中央設(shè)有便于外接顯示器確定該正方形位置的小孔。
所述樣品臺可設(shè)為圓盤狀。
在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，樣品臺為直徑200mm圓盤，厚度、底部構(gòu)造與FIB的標(biāo) 準(zhǔn)金屬樣品放置平臺相同。在該圓盤的邊緣刻出一個標(biāo)識，開一個長2mm，寬1mm，深0. 5mm 的凹槽，以凹槽為坐標(biāo)，垂直于凹槽的為X方向，平行于凹槽為Y方向。兩個方向各劃寬1mm， 深0. 5mm的細(xì)槽，槽與槽間隔可根據(jù)需要自行設(shè)定。例如，可根據(jù)芯片大小，將槽與槽間隔 設(shè)定為20mm，細(xì)槽線形成20X20mm的正方形，在正方形中間挖直徑2mm，深0. 5mm的小孔，右 下方用數(shù)字進(jìn)行編號(見圖1)。將樣品臺放入FIB，用外接顯示器找到樣品臺正方形中的 小孔，利用FIB位置保存功能將該位置以正方形右下角數(shù)字編號進(jìn)行保存。重復(fù)操作，直到 完成所有表面正方形中心小孔位置保存，并將已存有所有正方形中心小孔位置的樣品臺數(shù) 據(jù)文件保存到FIB內(nèi)置硬盤中。
使用時(shí)，將樣品貼在樣品臺正方形上，以小孔為中心，硅片的X、Y方向?qū)?yīng)樣品臺 的Χ、γ方向。將樣品臺放入FIB，調(diào)出已保存的樣品臺，點(diǎn)擊與樣品放置位置一致的編號不 需要通過外接顯示器即可找到樣品(見圖2)。如需轉(zhuǎn)換到另一個樣品直接點(diǎn)擊另一個編號 即可。
權(quán)利要求
1.一種聚焦離子束顯微鏡樣品臺，其特征在于，所述樣品臺邊緣刻有一凹槽，以該凹槽 為原點(diǎn)設(shè)有平面坐標(biāo)軸，在樣品臺表面沿該坐標(biāo)軸的X、Y方向分別刻有若干條間隔一致的 細(xì)槽線，形成數(shù)十個大小相等的正方形，并在正方形內(nèi)標(biāo)有標(biāo)識符；所述正方形中央設(shè)有便 于外接顯示器確定該正方形位置的小孔。
2.如權(quán)利要求
1所述的聚焦離子束顯微鏡樣品臺，其特征在于，所述標(biāo)識符采用數(shù)字、 字母或圖形。
3.如權(quán)利要求
1所述的聚焦離子束顯微鏡樣品臺，其特征在于，所述樣品臺為圓盤狀。
4.一種權(quán)利要求
1所述的聚焦離子束顯微鏡樣品臺的使用方法，其特征在于，包括如 下步驟(1)將樣品臺放入聚焦離子束顯微鏡，用外接顯示器找到樣品臺正方形中心小孔的位 置，把該位置以正方形內(nèi)的標(biāo)識符為名稱進(jìn)行保存；(2)重復(fù)步驟(1)，直至完成所有正方形中心小孔位置的保存；(3)將已存有所有正方形中心小孔位置的樣品臺數(shù)據(jù)文件保存到聚焦離子束顯微鏡的 內(nèi)置硬盤中；(4)把樣品貼在樣品臺正方形上，以小孔為中心，樣品的X、Y方向?qū)?yīng)樣品臺的X、Y方向；(5)把貼有樣品的樣品臺放入聚焦離子束顯微鏡，調(diào)出步驟C3)保存的樣品臺數(shù)據(jù)文 件，點(diǎn)擊與樣品放置位置一致的標(biāo)識符即可找到樣品。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種聚焦離子束顯微鏡樣品臺，所述樣品臺邊緣刻有一凹槽，以該凹槽為原點(diǎn)設(shè)有平面坐標(biāo)軸，在樣品臺表面沿該坐標(biāo)軸的X、Y方向分別刻有若干條間隔一致的細(xì)槽線，形成數(shù)十個大小相等的正方形，并在正方形內(nèi)標(biāo)有標(biāo)識符，所述正方形中央設(shè)有便于外接顯示器確定該正方形位置的小孔。本發(fā)明還公開了該樣品臺的使用方法。本發(fā)明的聚焦離子束顯微鏡樣品臺能進(jìn)行高效、簡便地定位操作，節(jié)省工作時(shí)間，提高工作效率。
文檔編號H01L21/66GKCN101191776 B發(fā)布類型授權(quán) 專利申請?zhí)朇N 200610118716
公開日2011年5月4日 申請日期2006年11月24日
發(fā)明者裘鶯 申請人:上海華虹Nec電子有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (3), 非專利引用 (1),