專利名稱：鹽霧沉降量傳感器的制作方法
技術領域：
本實用新型公開了一種測量液霧沉降量的傳感器，特別是測量鹽霧沉降量的傳感器，屬于環(huán)境試驗設備領域。
現(xiàn)有的鹽霧腐蝕試驗設備的鹽霧沉降量測定，通常是將收集漏斗和量筒放在試驗設備內進行，憑肉眼觀測讀數(shù)。由于試驗時，設備內霧氣騰騰，看不清量筒的刻度，以致不能及時觀測到沉降量。國外的一些小型鹽霧腐蝕試驗箱，是將放在箱內的收集漏斗收集到霧液用橡皮軟管引到箱外的量筒里進行觀測。由于軟管對霧液的粘附，以致會造成較大的讀數(shù)誤差。對于大型的試驗箱或試驗室，這種方法將因為引出的軟管太長、喪失精度而不能應用。對于降雨量的測定，已有技術仍是采用傳統(tǒng)的漏斗加量筒的方法。
本實用新型的目的在于提供一種液霧沉降量測定用的傳感器。它既可以避免現(xiàn)有技術中因軟管引起的測量誤差，又為實現(xiàn)液霧沉降量的數(shù)字測量和控制提供基礎的元件。
本實用新型可以用下述方式實施一個錐狀的收集漏斗(1)將沉降的霧液貯存在由圓筒形的外電極(3)和圓柱形的內電極(4)所組成的管狀貯液器中。外電極(3)的底部可為平底或下凹的，相應地內電極(4)的底部可以是平的，也可以是圓弧面的，在內電極(4)的外表面或外電極(3)的里面被覆一層絕緣介質層(5)，內電極(4)的下底距離外電極(3)的內底2～10毫米。
當液霧沉降時，內電極(4)和外電極(3)之間隔了一層絕緣介質(5)和液柱(12)，因此內電極(4)和外電極(3)就成了一圓柱形電容器。它由兩部分電容器并聯(lián)組成有液柱(12)的部分和沒有液柱(12)的部分。當液柱(12)的高度超過內電極(4)的底部時，其電容變化量將與液柱(12)的高度變化量成正比。當液霧沉降時，只要通過內、外電極的引出線(8)和(14)測出電容的變化量就可以間接地測得液柱(12)高度的變化量，進而測得液霧的實時沉降量。
由絕緣材料制造的端蓋(2)用來支承漏斗(1)并固定內電極(4)。收集漏斗(1)的口徑為φ90～φ210毫米，其錐度為60°～120°，由金屬或塑料制成。內、外電極(4)和(3)用導電材料制成。由塑料制成的底座(6)用來支承整個傳感器。安裝在底座(6)上的兩個互相垂直的管狀水準泡(9)用來指示傳感器的放置是否水平。而底座(6)下部的底腳螺釘(7)是用作水平調整的。
溢出孔(13)用來溢出過多的霧液，放液孔(11)則用作定量或定時放液，以便進行重復測量。溢出孔(13)和放液孔(11)是可有可無的，當設有放液孔(11)時，應外加一個塞子(10)或微型電磁閥，以便控制放液。
附

圖1是本實用新型的結構示意圖。
下面結合實施例對本實用新型作進一步的描述。
1.當測量鹽霧沉降量時，收集漏斗(1)的直徑為φ101±0.1毫米；當測量降雨量時收集漏斗(1)的直徑為φ200±0.3毫米。
2.內電極(4)的外徑為φ18～φ22毫米，高度為140～148毫米，最佳的外徑和高度為φ19.5毫米和144毫米。外面被覆的絕緣介質層(5)的厚度為0.2～0.5毫米，材料為聚乙烯或聚四氟乙烯。
3.外電極(3)為平底圓筒形，其內徑為φ30毫米，高度為155毫米。
權利要求1.一種液霧沉降量傳感器，特別是鹽霧沉降量傳感器，屬于環(huán)境試驗設備領域，其特征在于它由收集漏斗(1)、端蓋(2)、外電極(3)、帶絕緣層(5)的內電極(4)、底腳螺釘(7)、水準泡(9)和引出線(8)、(14)所組成，而內、外電極(4)、(3)分別為圓柱形和圓筒形，兩者是同心放置的，中間隔有一層絕緣層(5)。
2.按權利要求1所述的鹽霧沉降量傳感器，其特征在于收集漏斗(1)的口徑為φ90～φ210毫米。
3.按權利要求1或2所述的鹽霧沉降量傳感器，其特征在于內電極(4)的外徑為φ18～φ22毫米，高度為140～148毫米；其外電極(3)的內徑為φ30毫米，高度為155毫米。
4.按權利要求3所述的鹽霧沉降量傳感器，其特征在于內電極(4)的底部可以是平的，也可以是圓弧面的。
5.按權利要求4所述的鹽霧沉降量傳感器，其特征在于內電極(4)的外面或內電極(3)的里面被覆的絕緣介質層(5)的厚度為0.2～0.5毫米。
6.按權利要求5所述的鹽霧沉降量傳感器，其特征在于它可以附有溢出孔(13)和放液孔(11)。
專利摘要本實用新型公開了一種測量液霧沉降量的傳感器。特別是測量鹽霧沉降量的傳感器，屬于環(huán)境試驗設備領域。上述傳感器由收集漏斗、圓柱形的表面被覆絕緣層的內電極、以及和內電極同心的密底圓筒形的外電極、端蓋和底座等主要部件組成。通過內外電極間電容量的檢測就可以確定液霧的實時沉降量。本實用新型特別適用作鹽霧腐蝕試驗設備的鹽霧沉降量實時測定，也可以作為降雨量數(shù)字測定儀的傳感器。
文檔編號G01N27/22GK2030723SQ8820377
公開日1989年1月11日 申請日期1988年3月1日 優(yōu)先權日1988年3月1日
發(fā)明者葉錦琪 申請人:廣州電器科學研究所