專(zhuān)利名稱(chēng)：醫(yī)用放射性同位素污染探測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及醫(yī)用放射性同位素污染的探測(cè)裝置，特別是涉及γ放射性污染的探測(cè)裝置。
目前，在醫(yī)療單位使用放射性同位素越來(lái)越多，因此就存在如何準(zhǔn)確探測(cè)放射性同位素污染的問(wèn)題，尤其是γ放射性污染的準(zhǔn)確探測(cè)問(wèn)題。
但是，用目前常用的這類(lèi)裝置是不能進(jìn)行準(zhǔn)確探測(cè)的。例如使用的NaI(T1)晶體來(lái)探測(cè)γ輻射，只有當(dāng)Er≥150Kev時(shí)，晶體的發(fā)光效率和能量的響應(yīng)才呈線性關(guān)系(見(jiàn)

圖1)。用這種晶體測(cè)量Er＜150Kev的γ放射性污染或者根本測(cè)不出來(lái)，或者探測(cè)效率極低。但不幸的是，在醫(yī)用放射性同位素污染探測(cè)領(lǐng)域，碰到的放射性同位素的Er常常是低于100Kev，例如用得最多的碘－125，Er＝27Kev。
因此，本發(fā)明的任務(wù)就在于改進(jìn)已有的NaI(T1)閃爍體，提高其低能端的探測(cè)效率，從而能夠準(zhǔn)確探測(cè)醫(yī)用放射性同位素的污染。
為了提高低能端的探測(cè)效率，在按照本發(fā)明的探測(cè)裝置中使了一種復(fù)合晶體，即將有機(jī)晶體NaI(T1)晶體合理地組合在一起，二者相互作用的結(jié)果，使它們總的探測(cè)效率隨能量的響應(yīng)在較寬的范圍內(nèi)趨于一條直線。
現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例，其中圖1是NaIT1)閃爍體的γ探測(cè)效率(η1)隨能量(Er)的響應(yīng)曲線；圖2是有機(jī)晶體的γ探測(cè)效率(η2)隨能量(Er)的響應(yīng)曲線；圖3是本發(fā)明的復(fù)合晶體的γ探測(cè)效率(η3)隨能量(Er)的響應(yīng)曲線；
圖4是本發(fā)明的探測(cè)裝置的示意圖。
由圖1可知，使用NaI(T1)晶體測(cè)不出Er＜100Kev的γ射線。由圖2可知，有機(jī)晶體的低能探測(cè)效率較好，甚至于可以低至幾個(gè)Kev。因此，可以設(shè)想將圖1和圖2的曲線迭加起來(lái)就可以得到如圖3所示的較寬范圍平坦的響應(yīng)曲線，也就是說(shuō)，可以將NaI(T1)晶體和有機(jī)晶體聯(lián)合起來(lái)使用，二者取長(zhǎng)補(bǔ)短，既可得到更為滿(mǎn)意的醫(yī)用γ放射性污染探測(cè)的效果。其中的可以有兩個(gè)有機(jī)晶體可以位于NaI(T1)晶體的兩測(cè)，或者只有一塊有機(jī)晶體，位于NaI(T1)晶體的一側(cè)。
圖4就是本發(fā)明的最佳實(shí)施例的一般布置示意圖，其中標(biāo)號(hào)1－－－鋁箔2－－－有機(jī)晶體3－－－有機(jī)晶體4－－－NaI(T1)晶體5－－－密封物6－－－硅脂鋁鉑的作用是屏蔽可見(jiàn)光，一般μm薄的鋁箔即可不漏光，但不影響甚至幾個(gè)Kev的γ射線的穿透，幾個(gè)Kev的γ射線穿過(guò)鋁箔1射到晶體2，3，4上，在本實(shí)施力中，鋁箔厚度為8－12μm；NaI(T1)晶體為φ40mm×1mm晶體；有機(jī)晶體2為φ55mm×1mm；有機(jī)晶體3為φ55×9mm；其中封裝物5為丙酮。
使用本發(fā)明的探測(cè)裝置可在5.9Kev～500Kev的能量區(qū)間內(nèi)準(zhǔn)確進(jìn)行測(cè)量γ放射性污染。
放射性同位素的能量(Kev)探測(cè)效率(η)5.93227398139122383644041240
權(quán)利要求1.一種醫(yī)用放射性同位素污染測(cè)量裝置，它包括鋁箔(1)用于屏蔽可見(jiàn)光，它還包括NaI(T1)晶體(4)，密封物(5)，其特征在于它還包括有晶體(2，3)。
2.一種如權(quán)利要求1所述的探測(cè)裝置，其特征在于，其中所說(shuō)的有機(jī)晶體(2)(3)位于所說(shuō)NaI(T1)晶體的兩側(cè)。
3.一種如權(quán)利要求1所述的探測(cè)裝置，其特征在于，其中所說(shuō)的有機(jī)體(2)(3)位于所說(shuō)的NaI(T1)晶體的一側(cè)。
4.一種如權(quán)利要求1，2或3所術(shù)的探測(cè)裝置，其特征在于，其中所說(shuō)的NaI(T1)晶體為φ40mm×1mm晶體，所說(shuō)的有機(jī)晶體為φ55mm×1mm和φ55mm×9mm晶體。
專(zhuān)利摘要醫(yī)用放射性同位素污染探測(cè)裝置是用于放射性醫(yī)學(xué)中測(cè)量放射性同位素污染的一種探測(cè)裝置。本實(shí)用新型包括鋁箔，有機(jī)晶體，碘化鈉晶體，密封物，硅脂構(gòu)成一種完整的新型探測(cè)裝置。具有測(cè)量低能γ射線和探測(cè)效率高，線性好特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01T1/00GK2035890SQ88213410
公開(kāi)日1989年4月12日 申請(qǐng)日期1988年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1988年9月20日
發(fā)明者趙長(zhǎng)河 申請(qǐng)人:中國(guó)人民解放軍海軍總醫(yī)院