一種薄膜芯片制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體器件的制作方法，尤其涉及一種薄膜芯片制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體氣敏元件分為燒結(jié)型、厚膜型和薄膜型。它們各自的結(jié)構(gòu)，制作工藝不同，其性能特點也各異。目前，燒結(jié)元件逐步在被厚、薄膜元件代替。厚、薄膜元件具有靈敏度高、重復性、穩(wěn)定性好、功耗低、壽命長等優(yōu)點，但薄膜元件制作對工藝設(shè)備要求很高，制造成本高，不易產(chǎn)業(yè)化推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種方法簡單、操作過程簡單，成本低廉，芯片性能穩(wěn)定，易批量生產(chǎn)的薄膜芯片制備方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種薄膜芯片制備方法，包括如下步驟:
[0005]用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理；
[0006]將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；
[0007]用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜，并固化處理；
[0008]用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；
[0009]將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗；
[0010]將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
[0011]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進。
[0012]進一步，所述將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0013]將質(zhì)量比為10:1?20:1的PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上。
[0014]進一步，所述用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜，并固化處理步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0015]用甩膠機在1000?2500rpm轉(zhuǎn)速下涂布20?50s，形成均勻的PDMS薄膜，膜厚約30?40 μ m，長和寬與底層PDMS芯片相同，并在50?80°C溫度條件下固化處理。
[0016]進一步，所述將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗步驟的具體實現(xiàn)如下:
[0017]將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗30?60s。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:
[0019]1.方法簡單、操作過程簡單，成本低廉；
[0020]2.芯片性能穩(wěn)定，易批量生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明一種薄膜芯片制備方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0022]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0023]如圖1所示，一種薄膜芯片制備方法，包括如下步驟:
[0024]用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理；
[0025]將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；
[0026]用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜，并固化處理；
[0027]用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；
[0028]將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗；
[0029]將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
[0030]實施例1:
[0031]用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理；將1gPDMS前聚物與Ig固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；用甩膠機在100rpm轉(zhuǎn)速下涂布20s，形成均勻的PDMS薄膜，膜厚約30 μ m，長和寬與底層PDMS芯片相同，并在50°C溫度條件下固化處理；用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗30s ;將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
[0032]實施例2:
[0033]用光刻膠制作陽模,將制備好的陽模進行娃燒化處理；將15gPDMS前聚物與Ig固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；用甩膠機在1500rpm轉(zhuǎn)速下涂布30s，形成均勻的PDMS薄膜，膜厚約35 μ m，長和寬與底層PDMS芯片相同，并在60°C溫度條件下固化處理；用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗50s ;將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
[0034]實施例3:
[0035]用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理；將20gPDMS前聚物與Ig固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；用甩膠機在2500rpm轉(zhuǎn)速下涂布50s，形成均勻的PDMS薄膜，膜厚約40 μ m，長和寬與底層PDMS芯片相同，并在80°C溫度條件下固化處理；用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗60s ;將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
[0036] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜芯片制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理； 將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上； 用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜，并固化處理； 用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔； 將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗； 將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜芯片制備方法，其特征在于，所述將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上步驟的具體實現(xiàn)如下: 將質(zhì)量比為10:1?20:1的PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜芯片制備方法，其特征在于，所述用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜,并固化處理步驟的具體實現(xiàn)如下: 用甩膠機在1000?2500rpm轉(zhuǎn)速下涂布20?50s，形成均勻的PDMS薄膜，膜厚約30?40 μ m,長和寬與底層PDMS芯片相同，并在50?80°C溫度條件下固化處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜芯片制備方法，其特征在于，所述將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗步驟的具體實現(xiàn)如下: 將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗30?60s。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種薄膜芯片制備方法，包括如下步驟：用光刻膠制作陽模，將制備好的陽模進行硅烷化處理；將PDMS前聚物與固化劑混合均勻，去除氣泡，涂在經(jīng)硅烷化處理的陽模上；用甩膠機涂布，形成均勻的PDMS薄膜，并固化處理；用打孔器在中層PDMS薄膜上與下層液體通道端點相對應(yīng)的位置打孔；將已固化好的底層PDMS芯片從陽模上揭下，將帶有通道的一面朝上和固化好的中層PDMS薄膜一起放進等離子清洗器中清洗；將底層PDMS芯片帶有溝道的一面與中層PDMS薄膜芯片沒有通道的一面貼合。本發(fā)明方法簡單、操作過程簡單，成本低廉，芯片性能穩(wěn)定，易批量生產(chǎn)。
【IPC分類】G01N33-00
【公開號】CN104535713
【申請?zhí)枴緾N201410565795
【發(fā)明人】周祖渝
【申請人】重慶市旭星化工有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年10月22日