偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液壓控制領(lǐng)域，特別是偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥技術(shù)領(lǐng)域，具體地是指一種偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]伺服閥是伺服系統(tǒng)的核心精密控制元件。偏轉(zhuǎn)板射流式兩級(jí)伺服閥廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域，其中偏轉(zhuǎn)板射流式前置級(jí)是整閥的關(guān)鍵組件，其性能決定了整閥的性能。因此，偏轉(zhuǎn)板的精確位移，對(duì)于前置級(jí)特性乃至整閥特性的研究具有重要意義。
[0003]偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥前置級(jí)是偏轉(zhuǎn)板射流放大器，包括彈簧管、偏轉(zhuǎn)板、射流盤坐寸O
[0004]文獻(xiàn)“Two-StageServovalve Development Using a First Fluidic Amplifier,Richard Deadwyler, HDL-TM-80-21:26_28”介紹了偏轉(zhuǎn)板射流放大器的工作原理，通過(guò)偏轉(zhuǎn)板的機(jī)械偏轉(zhuǎn)，使得接受器端口形成壓差，控制接受器端口獲得能量的比例來(lái)進(jìn)行力的控制。但是該文獻(xiàn)并沒(méi)有涉及到解決偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量實(shí)際技術(shù)問(wèn)題的具體技術(shù)方案。
[0005]偏轉(zhuǎn)板的幾何尺寸精度達(dá)到微米級(jí)，而其偏轉(zhuǎn)分辨率為亞微米級(jí)，對(duì)其位移的測(cè)量為精密測(cè)量；同時(shí)其受力時(shí)位移變化非常敏感，采用接觸式測(cè)量方法會(huì)對(duì)偏轉(zhuǎn)板產(chǎn)生不必要的外力，干擾測(cè)量結(jié)果；再者，偏轉(zhuǎn)板裝配完成后處于封閉結(jié)構(gòu)中，直接測(cè)量位移較為困難，如果破壞外部結(jié)構(gòu)則會(huì)影響磁回路，改變伺服閥的特性，導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果偏離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)板裝配完成后處于封閉結(jié)構(gòu)中，難以直接測(cè)量偏轉(zhuǎn)板位移，而且，直接測(cè)量偏轉(zhuǎn)板位移易對(duì)偏轉(zhuǎn)板產(chǎn)生不必要的外力，干擾測(cè)量結(jié)果。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，避免對(duì)偏轉(zhuǎn)板的位移產(chǎn)生干擾，實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)板位移的精密測(cè)量。
[0007]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，包括非接觸式測(cè)量設(shè)備、偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥和測(cè)桿延伸段。
[0008]優(yōu)選地，測(cè)桿延伸段在偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥整體的外部，與測(cè)桿相連接。
[0009]優(yōu)選地，非接觸式測(cè)量設(shè)備與測(cè)桿延伸段在同一高度。
[0010]優(yōu)選地，測(cè)桿延伸段具有可測(cè)量的端面。
[0011]優(yōu)選地，測(cè)桿延伸段與測(cè)桿連接方式為焊接或粘接。
[0012]本發(fā)明中測(cè)桿延伸段的位移與偏轉(zhuǎn)板的位移之間存在固定的換算關(guān)系:S卩，測(cè)桿延伸段與偏轉(zhuǎn)板同處于剛性的測(cè)桿軸線上，測(cè)桿延伸段位移與偏轉(zhuǎn)板位移的比例等于測(cè)桿延伸段到旋轉(zhuǎn)中心距離與偏轉(zhuǎn)板到旋轉(zhuǎn)中心距離的比例。
[0013]本發(fā)明的有益效果為:
[0014](I)偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置增加測(cè)桿延伸段，通過(guò)測(cè)量測(cè)桿延伸段的位移計(jì)算偏轉(zhuǎn)板的位移，避免了直接測(cè)量對(duì)伺服閥磁回路的影響；
[0015](2)偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置增加測(cè)桿延伸段，測(cè)桿延伸段在偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥的外部，對(duì)測(cè)桿延伸段的位移測(cè)量，能夠避免對(duì)偏轉(zhuǎn)板施加外力而影響偏轉(zhuǎn)板的位移特性；
[0016](3)偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置增加測(cè)桿延伸段，通過(guò)測(cè)量測(cè)桿延伸段的位移計(jì)算偏轉(zhuǎn)板的位移，能夠?qū)崿F(xiàn)偏轉(zhuǎn)板的精確測(cè)量。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置的示意圖；
[0018]圖2是測(cè)桿延伸段的示意圖。
[0019]如圖1至2所示，非接觸式測(cè)量設(shè)備1，測(cè)桿延伸段2，偏轉(zhuǎn)板3，測(cè)桿4。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021]如圖1、2所示，測(cè)桿4上連接一段測(cè)桿延伸段2，使其延伸出偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥整體的外部。被測(cè)偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥安裝在測(cè)試臺(tái)上，非接觸式測(cè)量設(shè)備I采用激光位移傳感器。激光傳感器與測(cè)桿延伸段2處于同一高度。偏轉(zhuǎn)板3與測(cè)桿4垂直連接,偏轉(zhuǎn)板3的移動(dòng)方向與測(cè)桿4移動(dòng)方向相同，彈簧管圍繞測(cè)桿旋轉(zhuǎn)。當(dāng)伺服閥銜鐵組件轉(zhuǎn)過(guò)一個(gè)角度時(shí)，激光位移傳感器在不接觸伺服閥部件的情況下可以測(cè)量出此時(shí)測(cè)桿延伸段2的位移，根據(jù)測(cè)桿延伸段2的位移與偏轉(zhuǎn)板3的位移之問(wèn)的比例關(guān)系，可以計(jì)算出偏轉(zhuǎn)板3的位移。由于激光測(cè)試不會(huì)對(duì)測(cè)桿4施加外力，因此可以避免對(duì)測(cè)桿4及偏轉(zhuǎn)板3的位移產(chǎn)生干擾。
[0022]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，只要采用了本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行了非實(shí)質(zhì)性改進(jìn)，或者未經(jīng)改進(jìn)，將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其他伺服閥的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，包括非接觸式測(cè)量設(shè)備、偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥，其特征在于:所述測(cè)量裝置還包括測(cè)桿延伸段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，其特征在于:所述測(cè)桿延伸段在偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥整體的外部，與測(cè)桿相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，其特征在于:所述測(cè)桿延伸段與測(cè)桿連接方式為焊接或粘接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，其特征在于:所述測(cè)桿延伸段與非接觸式測(cè)量設(shè)備在同一高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，其特征在于:所述測(cè)桿延伸段具有可測(cè)量的端面。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，該裝置屬于液壓控制領(lǐng)域，用于偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥的偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量。該偏轉(zhuǎn)板位移測(cè)量裝置，包括非接觸式測(cè)量設(shè)備(1)、偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥測(cè)桿延伸段(2)。測(cè)桿延伸段(2)在偏轉(zhuǎn)板射流式伺服閥整體的外部，與測(cè)桿相連接。測(cè)桿延伸段(2)與測(cè)桿的連接方式為焊接或粘接。采用本技術(shù)方案后，可以避免對(duì)測(cè)桿和偏轉(zhuǎn)板(3)的位移產(chǎn)生干擾，實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)板位移的精密測(cè)量。
【IPC分類】G01B11-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104567686
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310488933
【發(fā)明人】張恒軒, 楊文祥, 張俊杰, 劉茂林, 韓現(xiàn)會(huì)
【申請(qǐng)人】北京精密機(jī)電控制設(shè)備研究所, 北京實(shí)驗(yàn)工廠, 中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月18日