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      Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針的制作方法

      文檔序號(hào):8359922閱讀:286來(lái)源:國(guó)知局
      Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及Ka頻段電路的場(chǎng)分布探測(cè)、在線調(diào)試和故障診斷技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種磁耦合近場(chǎng)探針。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,近場(chǎng)探針常用于電路的EMC測(cè)試診斷,降低EMC/EMI問(wèn)題帶來(lái)的干擾和雜散,判斷電路的工作狀態(tài)。通常磁探針用于1-6GHZ的頻段,基于同軸電纜的電耦合探針可用于1-20GHZ的頻段,Ka頻段探針通常使用波導(dǎo)探針。
      [0003]EMC磁探針和電探針工作頻率較低,保護(hù)用塑料套會(huì)產(chǎn)生損耗。波導(dǎo)探針體積較大,不適合毫米波電路測(cè)試用。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題:
      [0005]針對(duì)毫米波模塊調(diào)試的需求,發(fā)明了適應(yīng)毫米波電路近場(chǎng)測(cè)量的基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,同時(shí)滿足對(duì)模塊干擾小、操作簡(jiǎn)單的要求。
      [0006]本發(fā)明的技術(shù)方案:
      [0007]Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,采用介質(zhì)基板替代同軸電纜或波導(dǎo),在基板上集成磁耦合探頭,通過(guò)共面波導(dǎo)和帶狀線過(guò)渡至連接器。
      [0008]Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,本探針包括第一電路基板和第二電路基板、第一金屬結(jié)構(gòu)件、第二金屬結(jié)構(gòu)件和連接器。
      [0009]第一電路基板為T形雙層金屬介質(zhì)板,T形雙層金屬介質(zhì)板正面的豎直段從饋電面至耦合面蝕刻出導(dǎo)線,導(dǎo)線從上到下依次為帶狀線、共面波導(dǎo)、過(guò)渡節(jié)、窄饋線以及金屬化耦合通孔,T形雙層金屬介質(zhì)板正面導(dǎo)線兩側(cè)的金屬部分為導(dǎo)線的地;在耦合面上方的T形雙層金屬介質(zhì)板反面上蝕刻出T形終端,T形終端的最下端為金屬化耦合通孔,T形雙層金屬介質(zhì)板反面T形終端上方的金屬部分為導(dǎo)線的地;導(dǎo)線在T形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和T形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化接地通孔連通。
      [0010]第二電路基板為矩形雙層金屬介質(zhì)板,矩形雙層金屬介質(zhì)板的大小與T形雙層金屬介質(zhì)板水平段一致,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面左右兩側(cè)蝕刻為第一電路基板導(dǎo)線的地;矩形雙層金屬介質(zhì)板反面為第一電路基板導(dǎo)線的地,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和矩形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化接地通孔連通。
      [0011]矩形雙層金屬介質(zhì)板正面覆蓋于T形雙層金屬介質(zhì)板水平段的正面,第一金屬結(jié)構(gòu)件壓合在矩形雙層金屬介質(zhì)板反面,第二金屬結(jié)構(gòu)件壓合在T形雙層金屬介質(zhì)板水平段反面,連接器的法蘭安裝在第一金屬結(jié)構(gòu)件和第二金屬結(jié)構(gòu)件上,連接器的內(nèi)導(dǎo)體壓接在導(dǎo)線上端。
      [0012]連接器采用同軸連接器。
      [0013]本發(fā)明的有益效果:
      [0014]本發(fā)明采用基于雙層金屬介質(zhì)基板的磁耦合探針采用PCB工藝配合簡(jiǎn)單機(jī)加工藝制造,制造簡(jiǎn)單成本低,體積小,傳輸性能好。探針無(wú)需塑料套保護(hù),可以直接手持操作,不需要專用測(cè)試架,沒(méi)有短路的危險(xiǎn)。適合用于Ka頻段電路磁場(chǎng)測(cè)量,對(duì)空間需求小,適應(yīng)性強(qiáng),測(cè)量數(shù)據(jù)更加穩(wěn)定。
      【附圖說(shuō)明】
      [0015]圖1為Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針圖形。圖1中I為第一電路基板,2為第二電路基板,3為第一金屬結(jié)構(gòu)件,4為第二金屬結(jié)構(gòu)件,5為連接器。
      [0016]圖2為第一電路基板圖形。圖2中6為饋電面,7為稱合面,8為帶狀線,9為共面波導(dǎo),10為過(guò)渡節(jié),11為窄饋線,12為金屬化耦合通孔,13為地,14為T形終端,15為金屬化接地通孔。
      [0017]圖3為第二電路基板圖形。
      【具體實(shí)施方式】
      [0018]Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,采用介質(zhì)基板替代同軸電纜或波導(dǎo),在基板上集成磁耦合探頭,通過(guò)共面波導(dǎo)和帶狀線過(guò)渡至連接器。
      [0019]Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,本探針包括第一電路基板和第二電路基板、第一金屬結(jié)構(gòu)件、第二金屬結(jié)構(gòu)件和連接器。
      [0020]第一電路基板為T形雙層金屬介質(zhì)板,T形雙層金屬介質(zhì)板厚度為厚度0.254mm-0.508mm的微波介質(zhì)板,T形雙層金屬介質(zhì)板正面的豎直段從饋電面至稱合面蝕刻出導(dǎo)線,導(dǎo)線從上到下依次為帶狀線、共面波導(dǎo)、過(guò)渡節(jié)、窄饋線以及金屬化耦合通孔,帶狀線、共面波導(dǎo)的寬度保證導(dǎo)線特征阻抗為50歐姆,金屬化耦合通孔邊緣與耦合面之間保留一定間隙。T形雙層金屬介質(zhì)板正面導(dǎo)線兩側(cè)的金屬部分為導(dǎo)線的地,共面波導(dǎo)部分的地要盡量靠近導(dǎo)線;在耦合面上方的T形雙層金屬介質(zhì)板反面上蝕刻出T形終端,T形終端的最下端為金屬化耦合通孔,T形雙層金屬介質(zhì)板反面T形終端上方的金屬部分為導(dǎo)線的地;導(dǎo)線在T形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和T形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化接地通孔連通,金屬化接地通孔應(yīng)靠近地的邊緣。
      [0021]第二電路基板為矩形雙層金屬介質(zhì)板,矩形雙層金屬介質(zhì)板厚度和類型與T形雙層金屬介質(zhì)板一致,矩形雙層金屬介質(zhì)板的大小與T形雙層金屬介質(zhì)板水平段一致,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面左右兩側(cè)蝕刻為第一電路基板導(dǎo)線的地;矩形雙層金屬介質(zhì)板反面為第一電路基板導(dǎo)線的地,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和矩形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化通孔連通,金屬化接地通孔應(yīng)靠近矩形雙層金屬介質(zhì)板正面的地的邊緣。
      [0022]連接器采用同軸連接器,該連接器可工作于Ka頻段。
      [0023]矩形雙層金屬介質(zhì)板正面覆蓋于T形雙層金屬介質(zhì)板水平段的正面,第一金屬結(jié)構(gòu)件壓合在矩形雙層金屬介質(zhì)板反面,第二金屬結(jié)構(gòu)件壓合在T形雙層金屬介質(zhì)板水平段反面,第一金屬結(jié)構(gòu)件和第二金屬結(jié)構(gòu)件之間通過(guò)螺釘壓合,連接器的法蘭安裝在第一金屬結(jié)構(gòu)件和第二金屬結(jié)構(gòu)件上,連接器的法蘭通過(guò)螺釘安裝,連接器的內(nèi)導(dǎo)體壓接在導(dǎo)線上端。
      [0024]實(shí)例:
      [0025]第一電路基板和第二電路基板采用Rogers5880板材,厚度0.508mm,帶狀線長(zhǎng)度6mm,寬度0.8mm,共面波導(dǎo)長(zhǎng)度5.8mm,寬度Imm,過(guò)渡節(jié)長(zhǎng)度1.2mm,寬度0.25mm,金屬化耦合通孔直徑0.3mm,金屬化耦合通孔邊緣至耦合面距離0.3mm, T形終端的豎直段寬度0.25mm,長(zhǎng)度0.2mm,水平段長(zhǎng)度0.7mm,寬帶0.3mm,距導(dǎo)帶地的間距是0.15mm。連接器使用2.92mm系列連接器。
      [0026]探針置于被測(cè)微帶線上方可獲得耦合信號(hào),在20?30GHz范圍內(nèi),耦合量在-17?-15dB之間。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,其特征是,本探針包括第一電路基板和第二電路基板、第一金屬結(jié)構(gòu)件、第二金屬結(jié)構(gòu)件和連接器; 第一電路基板為T形雙層金屬介質(zhì)板,T形雙層金屬介質(zhì)板正面的豎直段從饋電面至耦合面蝕刻出導(dǎo)線,導(dǎo)線從上到下依次為帶狀線、共面波導(dǎo)、過(guò)渡節(jié)、窄饋線以及金屬化耦合通孔,T形雙層金屬介質(zhì)板正面導(dǎo)線兩側(cè)的金屬部分為導(dǎo)線的地;在耦合面上方的T形雙層金屬介質(zhì)板反面上蝕刻出T形終端,T形終端的最下端為金屬化耦合通孔,T形雙層金屬介質(zhì)板反面T形終端上方的金屬部分為導(dǎo)線的地;導(dǎo)線在T形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和T形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化接地通孔連通; 第二電路基板為矩形雙層金屬介質(zhì)板,矩形雙層金屬介質(zhì)板的大小與T形雙層金屬介質(zhì)板水平段一致,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面左右兩側(cè)蝕刻為第一電路基板導(dǎo)線的地;矩形雙層金屬介質(zhì)板反面為第一電路基板導(dǎo)線的地,矩形雙層金屬介質(zhì)板正面的地和矩形雙層金屬介質(zhì)板反面的地通過(guò)導(dǎo)線兩側(cè)的兩排金屬化接地通孔連通; 矩形雙層金屬介質(zhì)板正面覆蓋于T形雙層金屬介質(zhì)板水平段的正面,第一金屬結(jié)構(gòu)件壓合在矩形雙層金屬介質(zhì)板反面,第二金屬結(jié)構(gòu)件壓合在T形雙層金屬介質(zhì)板水平段反面,連接器的法蘭安裝在第一金屬結(jié)構(gòu)件和第二金屬結(jié)構(gòu)件上,連接器的內(nèi)導(dǎo)體壓接在導(dǎo)線上端。
      2.如權(quán)利要求1所述的Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,其特征是,連接器采用同軸連接器。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及Ka頻段電路的場(chǎng)分布探測(cè)、在線調(diào)試和故障診斷技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種磁耦合近場(chǎng)探針。Ka頻段基板集成磁耦合近場(chǎng)探針,本探針包括第一電路基板和第二電路基板、第一金屬結(jié)構(gòu)件、第二金屬結(jié)構(gòu)件和連接器。本發(fā)明采用基于雙層金屬介質(zhì)基板的磁耦合探針采用PCB工藝配合簡(jiǎn)單機(jī)加工藝制造,制造簡(jiǎn)單成本低,體積小,傳輸性能好。探針無(wú)需塑料套保護(hù),可以直接手持操作,不需要專用測(cè)試架,沒(méi)有短路的危險(xiǎn)。適合用于Ka頻段電路磁場(chǎng)測(cè)量,對(duì)空間需求小,適應(yīng)性強(qiáng),測(cè)量數(shù)據(jù)更加穩(wěn)定。
      【IPC分類】G01R1-067
      【公開號(hào)】CN104678132
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310628600
      【發(fā)明人】趙暉, 王小軍, 聶翀
      【申請(qǐng)人】中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司雷華電子技術(shù)研究所
      【公開日】2015年6月3日
      【申請(qǐng)日】2013年11月27日
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