檢測芯片的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種檢測半導體芯片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，半導體芯片例如發(fā)光二極管芯片或太陽能電池芯片制作完成后，必須經(jīng)過一檢測流程，利用自動光學檢測裝置(Automated Optical Inspect1n,簡稱AOI)光學自動檢測10半導體芯片的外觀，篩選排除外觀具有明顯瑕疵的芯片，為了避免AOI把具有可接受的瑕疵的芯片排除，因此AOI所設(shè)定的檢測條件通常較為寬松，后續(xù)再根據(jù)芯片的電性或光學特性數(shù)據(jù)分類排列11后，由人工目檢12以更嚴格的標準再次確認全部通過AOI檢測的芯片的外觀，剔除具有不可接受的瑕疵的芯片，最后再將芯片入庫13。然而，人工目檢的速度較慢，因此增加每顆芯片的制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種檢測芯片的方法，包含:提供多個芯片，包含至少一第一部分芯片；以及以一非人工方式判斷每一個些多個芯片，包含提供一第一檢測條件判斷每一個些多個芯片，篩選出些第一部分芯片，其中些第一部分芯片通過第一檢測條件，以及提供一第二檢測條件判斷每一個些第一部分芯片為一第一類芯片或一第二類芯片，其中第二檢測條件較第一檢測條件包含較多的項目或較窄的范圍。
【附圖說明】
[0004]圖1是現(xiàn)有的半導體芯片檢測流程；
[0005]圖2是本發(fā)明第一實施例的半導體芯片檢測流程圖；
[0006]圖3是本發(fā)明第二實施例的半導體芯片檢測流程圖；
[0007]圖4a至4d是不符合第一檢測條件的瑕疵區(qū)域的型態(tài)；
[0008]圖5a至5b是不符合第二檢測條件的瑕疵區(qū)域的型態(tài)；
[0009]圖6是本發(fā)明另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]符號說明
[0011]10光學自動檢測33入庫
[0012]11分類排列341芯片特性確認
[0013]12人工目檢342芯片特性確認
[0014]13入庫41打線區(qū)域的刮傷及壓傷
[0015]20光學自動檢測42趾狀電極的刮傷
[0016]201 第一條件檢測43趾狀電極的截斷點
[0017]202 第二條件檢測44污染及缺陷
[0018]211 分類排列51外延缺陷
[0019]212 分類排列52走道殘金
[0020]22人工目檢600球泡燈
[0021]23入庫602燈罩
[0022]24芯片特性確認604透鏡
[0023]30光學自動檢測606承載部
[0024]301第一條件檢測608半導體發(fā)光元件
[0025]302第二條件檢測610發(fā)光模塊
[0026]311分類排列612燈座
[0027]312分類排列614散熱片
[0028]32人工目檢616連接部
【具體實施方式】
[0029]第一實施例
[0030]圖2是本發(fā)明第一實施例的半導體芯片檢測的流程圖。多個半導體芯片，例如發(fā)光二極管芯片或太陽能電池芯片，制作完成并經(jīng)過芯片特性確認24取得半導體芯片的第一電性或光學數(shù)據(jù)后，提供一機器以光學自動檢測20的方式檢測多個半導體芯片的外觀，在本實施例中機器可為自動光學檢測裝置(Automated Optical Inspect1n,簡稱AOI),自動光學檢測裝置(AOI)包含至少一第一檢測程序以及一第二檢測程序，其中第一檢測程序以及第二檢測程序分別包含第一檢測條件以及第二檢測條件，可分別進行第一條件檢測201以及第二條件檢測202。自動光學檢測裝置(AOI)先以第一檢測程序?qū)Χ鄠€半導體芯片進行第一條件檢測201，第一條件檢測201利用自動光學檢測裝置(AOI)內(nèi)部的光照射半導體芯片后，判斷瑕疵區(qū)域與正常區(qū)域的灰度值的差異與瑕疵區(qū)域范圍的大小。其中瑕疵區(qū)域如圖4a至4d所示，包含圖4a顯示的打線區(qū)域的刮傷及壓傷41、圖4b顯示的電極的刮傷42、圖4c顯示的趾狀電極的截斷點43、或圖4d顯示的芯片表面及周圍遭受污染及缺陷44。將多個半導體芯片中不符合第一檢測條件的芯片篩除，篩選出多個第一部分芯片；接著，自動光學檢測裝置(AOI)再以第二檢測條件對多個第一部分芯片進行第二條件檢測202，將多個第一部分芯片分成第一類芯片以及第二類芯片，其中第一類芯片符合第二條件，第二類芯片不符合第二條件。
[0031]第二條件檢測202也是利用自動光學檢測裝置(AOI)內(nèi)部的光照射半導體芯片后，判斷瑕疵區(qū)域與正常區(qū)域的灰度值的差異與瑕疵區(qū)域范圍的大小。其中瑕疵區(qū)域亦包含打線區(qū)域的刮傷及壓傷、趾狀電極的刮傷、趾狀電極的截斷點、或芯片表面及周圍遭受的污染及缺陷。第二檢測條件包含的項目可以和第一檢測條件相同或不同，但是對于在第二檢測條件與第一檢測條件中都包含的項目中，第二檢測條件中的規(guī)范比第一檢測條件更為嚴格，例如瑕疵區(qū)域與正常區(qū)域的灰度值差異在第一檢測條件中介于-70%?70%之間即可，但在第二檢測條件中必須介于-20%?20%之間；瑕疵區(qū)域范圍中兩點最大距離在第一檢測條件中小于10 μ m即可通過,但在第二檢測條件中必須小于2 μ m才可通過。如圖5a所示的外延缺陷51的直徑約為5 μ m,即無法通過第二檢測條件。第二檢測條件還可包含第一檢測條件所沒包含的項目，例如半導體芯片邊界部分不可具有瑕疵區(qū)域，例如圖5b所示的走道殘金52。
[0032]其中第一類芯片通過第一條件檢測201以及第二條件檢測202，因此無須進行人工目檢。而第二類芯片通過第一條件檢測201，無法通過較嚴苛的第二條件檢測202，屬于可能符合產(chǎn)品規(guī)格條件，但無法通過第二條件檢測202所設(shè)定的檢測條件，例如圖5a中芯片表面的小區(qū)域污染53，其直徑約為5 μ m，雖然超過第二檢測條件中所設(shè)定極限值2 μ m,但當產(chǎn)品的規(guī)格條件設(shè)定6 μ m以下的小區(qū)域污染可接受的時候，必須由人工進一步確認，以避免將符合標準的產(chǎn)品篩除，造成損失，因此第二類芯片需經(jīng)過人工目檢22。人工目檢22以一第三檢測條件判斷第二類芯片，將第二類芯片中不符合第三檢測條件的芯片篩除，篩選出第三類芯片，第三檢測條件包含打線區(qū)域的刮傷及壓傷、趾狀電極的刮傷、趾狀電極的截斷點或芯片表面及周圍遭受的污染及缺陷。其中第三檢測條件比第二檢測條件寬松。
[0033]第一類芯片可根據(jù)光學自動檢測20前的芯片特性確認24測量得到的第一電性或光學數(shù)據(jù)分成多個級別后入庫23，第二類芯片則集中在一起歸類到另一個級別，例如第一類芯片分成I?125級，第二類芯片屬于第126級。接著將芯片特性確認24測量的第一電性或光學數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成第二電性或光學數(shù)據(jù)，以對應到每一個集中在同一類別的第二類芯片，根據(jù)第二電性或光學數(shù)據(jù)，將第二類芯片進行分類排列211后，經(jīng)過人工目檢22篩選出第三類芯片，最后再與經(jīng)過分類排列212的第一類芯片一起入庫23。第一類芯片的數(shù)量與第二類芯片的數(shù)量比至少大于2:1，在較佳的實施例中比值大于9:1，因此可減少經(jīng)過人工目檢22的芯片數(shù)量，以提高芯片檢測的效率并減少人工目檢的成本。
[0034]第二實施例
[0035]圖3是本發(fā)明第二實施例的半導體芯片檢測的流程圖。第二實施例與第一實施例差異在于，第二類芯片需再經(jīng)過第二次芯片特性確認342，再進行分類排列311。多個半導體芯片，例如發(fā)光二極管芯片或太陽能電池芯片，經(jīng)由光學自動檢測30步驟中的第一條件檢測301與第二條件檢測302后，分成第一類芯片與第二類芯片。半導體芯片在進行光學自動檢測30以前，先經(jīng)過第一次芯片特性確認341獲得第一電性或光學數(shù)據(jù)，第一電性或光學數(shù)據(jù)包含順向偏壓Vf、電流Ir、亮度或者波長等，第一類芯片可根據(jù)第一電性或光學數(shù)據(jù)分成多個級別后入庫33，第二類芯片則集中在一起歸類到另一個級別，例如第一類芯片分成I?125級，第二類芯片屬于第126級。接著重新對第二類芯片進行第二次的芯片特性確認342得到第二電性或光學數(shù)據(jù)，第二電性或光學數(shù)據(jù)也包含順向偏壓Vf、電流Ir、亮度或者波長等，根據(jù)第二電性或光學數(shù)據(jù)，將第二類芯片進行分類排列311后，經(jīng)過人工目檢32篩選出第三類芯片，最后再與經(jīng)過分類排列312的第一類芯片一起入庫33。對第二類芯片進行第二次的芯片特性確認342可減少電性或光學數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的時間，但是在人工目檢32階段必須增加針對打線區(qū)上第二次的芯片特性確認342的過程留下的針痕做篩選。
[0036]圖6為依本發(fā)明另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。一球泡燈600包括一燈罩602、一透鏡604、一發(fā)光模塊610、一燈座612、一散熱片614、一連接部616以及一電連接兀件。發(fā)光模塊610包含一承載部606，以及多個前述實施例中通過檢測的的半導體芯片608在承載部606 上。
[0037]本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更都不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【主權(quán)項】
1.一種檢測芯片的方法,包含: 提供多個芯片，包含至少一第一部分芯片；以及 以一非人工方式判斷每一個該些多個芯片，包含提供一第一檢測條件判斷每一個該些多個芯片，篩選出該些第一部分芯片，其中該些第一部分芯片通過該第一檢測條件，以及提供一第二檢測條件判斷每一個該些第一部分芯片為一第一類芯片或一第二類芯片，其中該第二檢測條件較該第一檢測條件包含較多的項目或較窄的范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測芯片的方法，還包含提供一第三檢測條件檢測該些第二類-H-* I I心/T O
3.如權(quán)利要求2所述的檢測芯片的方法，其中該第一檢測條件、該第二檢測條件以及該第三檢測條件包含判斷該些多個芯片的外觀、電性或光學特性。
4.如權(quán)利要求2所述的檢測芯片的方法，其中該些第二類芯片包含至少一第三類芯片，該些第三類芯片通過該第三檢測條件。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測芯片的方法，還包含將該些第一類芯片及該些第三類芯片入庫。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測芯片的方法，其中每一該多個芯片具有一特性數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測芯片的方法，還包含依據(jù)該特性數(shù)據(jù)分類該些第一類芯片以及該些第二類芯片。
8.如權(quán)利要求6所述的檢測芯片的方法，還包含再次檢驗該些第二類芯片以取得每一該些第二類芯片的一二次特性數(shù)據(jù)，以及依據(jù)該二次特性數(shù)據(jù)分類該些第二類芯片。
9.如權(quán)利要求2所述的檢測芯片的方法，其中提供該第三檢測條件檢測該些第二類芯片的方式包含人工目檢。
10.如權(quán)利要求1所述的檢測芯片的方法，還包含提供一機器包含一程序執(zhí)行該第一檢測條件以及該第二檢測條件。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種檢測芯片的方法，其包含：提供多個芯片，包含至少一第一部分芯片；以及以一非人工方式判斷每一個些多個芯片，包含提供一第一檢測條件判斷每一個些多個芯片，篩選出些第一部分芯片，其中些第一部分芯片通過第一檢測條件，以及提供一第二檢測條件判斷每一個些第一部分芯片為一第一類芯片或一第二類芯片，其中第二檢測條件較第一檢測條件包含較多的項目或較窄的范圍。
【IPC分類】G01R31-26, G01M11-00, G01N21-88
【公開號】CN104880466
【申請?zhí)枴緾N201410071606
【發(fā)明人】林徐振, 陳明玉
【申請人】晶元光電股份有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年2月28日