錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法。
技術(shù)背景
[0002]目前衡量錫槽底磚發(fā)泡傾向指標(biāo)為氫擴(kuò)散度，氫擴(kuò)散度是以試樣所封閉的氣室壓力與大氣壓之差來表示，現(xiàn)有的氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，操作麻煩，成本高昂，使中小企業(yè)難以負(fù)擔(dān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，解決了氫擴(kuò)散度檢測(cè)操作麻煩，檢測(cè)成本高昂的問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，通過錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè)，錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置包括安裝塊，所述安裝塊上表面設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽的底面上設(shè)有第二凹槽，所述安裝塊上設(shè)有貫通安裝塊外壁面和第二凹槽內(nèi)壁面的進(jìn)氣孔和出氣孔，所述進(jìn)氣孔和進(jìn)氣管相連，所述出氣孔和出氣管相連，所述進(jìn)氣管上設(shè)有進(jìn)氣閥，所述出氣管上設(shè)有支管，所述支管上設(shè)有出氣閥，所述出氣管的外端設(shè)有壓力計(jì)，錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法包括以下步驟:
[0006]I)將錫槽底磚容置在第一凹槽中，在第一凹槽的側(cè)壁和錫槽底磚之間填入填充層，在填充層的上表面涂上密封層；
[0007]2)打開進(jìn)氣閥和出氣閥，向進(jìn)氣管中充入氫氣；
[0008]3)同時(shí)關(guān)閉進(jìn)氣閥和出氣閥，或者，先關(guān)閉進(jìn)氣閥后關(guān)閉出氣閥；
[0009]4)讀取U型壓力計(jì)的最大液面高度差Δ h，即錫槽底磚的氫擴(kuò)散度數(shù)值。
[0010]作為優(yōu)選的方案，所述第一凹槽中容置錫槽底磚，所述第一凹槽的側(cè)壁和錫槽底磚之間設(shè)有填充層，所述填充層的上表面設(shè)有密封層。
[0011]作為優(yōu)選的方案，所述步驟2)中充氫氣的時(shí)間為3?5分鐘。
[0012]本發(fā)明的有益效果:
[0013]通過將錫槽底磚容置在第一凹槽中，用填充層和密封層固定密封，錫槽底磚安裝十分快速方便，在進(jìn)氣管中通入氫氣將第二凹槽中的空氣排出后，關(guān)閉進(jìn)氣閥和出氣閥，通過壓力計(jì)直接讀數(shù)，就可以完成錫槽底磚氫擴(kuò)散度的檢測(cè)，大大簡(jiǎn)化了氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)和檢測(cè)操作過程，降低了氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置的成本。
[0014]本發(fā)明的這些特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)在下面的【具體實(shí)施方式】、附圖中詳細(xì)的揭露。
【附圖說明】
[0015]以下結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述:
[0016]圖1為本發(fā)明錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行解釋和說明，但下述實(shí)施例僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非全部。基于實(shí)施方式中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0018]參照?qǐng)D1，本發(fā)明錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置，包括安裝塊1，安裝塊I上表面設(shè)有第一凹槽11，第一凹槽11的底面上設(shè)有第二凹槽12，安裝塊I上設(shè)有貫通安裝塊I外壁面和第二凹槽12內(nèi)壁面的進(jìn)氣孔13和出氣孔14，進(jìn)氣孔13和進(jìn)氣管2相連，出氣孔14和出氣管3相連，進(jìn)氣管2上設(shè)有進(jìn)氣閥21，出氣管3上設(shè)有支管31，支管31上設(shè)有出氣閥32，出氣管3的外端設(shè)有U型壓力計(jì)4，U型壓力計(jì)讀取數(shù)值更加直觀，成本低廉。
[0019]第一凹槽11中容置錫槽底磚5，第一凹槽11的側(cè)壁和錫槽底磚5之間設(shè)有填充層6，填充層優(yōu)選采用型砂，從而進(jìn)一步降低成本，并且提高填充的便利性，錫槽底磚5被填充層固定，填充層6的上表面設(shè)有密封層7，密封層7采用填充層6的上表面涂覆一層密封膠，使氫氣無法從填充層6的空隙外溢。
[0020]錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，包括以下步驟:
[0021]I)將錫槽底磚5容置在第一凹槽11中，在第一凹槽11的側(cè)壁和錫槽底磚5之間填入填充層6，在填充層6的上表面涂上密封層7 ;
[0022]2)打開進(jìn)氣閥21和出氣閥32，向進(jìn)氣管2中充入氫氣，充氣時(shí)間為3?5分鐘；
[0023]3)同時(shí)關(guān)閉進(jìn)氣閥21和出氣閥32，或者，先關(guān)閉進(jìn)氣閥21后關(guān)閉出氣閥32 ；
[0024]4)讀取U型壓力計(jì)4的最大液面高度差Δ h，即錫槽底磚的氫擴(kuò)散度數(shù)值。
[0025]以上就本發(fā)明較佳的實(shí)施例做了說明，但不能理解為是對(duì)權(quán)利要求的限制。本發(fā)明不僅局限于以上實(shí)施例，其具體結(jié)構(gòu)允許有變化，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明作出各種改變和變形，只要不脫離本發(fā)明的精神，均屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求所定義的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，其特征在于:通過錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè)，錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)裝置包括安裝塊，所述安裝塊上表面設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽的底面上設(shè)有第二凹槽，所述安裝塊上設(shè)有貫通安裝塊外壁面和第二凹槽內(nèi)壁面的進(jìn)氣孔和出氣孔，所述進(jìn)氣孔和進(jìn)氣管相連，所述出氣孔和出氣管相連，所述進(jìn)氣管上設(shè)有進(jìn)氣閥，所述出氣管上設(shè)有支管，所述支管上設(shè)有出氣閥，所述出氣管的外端設(shè)有壓力計(jì)，錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法包括以下步驟: 1)將錫槽底磚容置在第一凹槽中，在第一凹槽的側(cè)壁和錫槽底磚之間填入填充層，在填充層的上表面涂上密封層； 2)打開進(jìn)氣閥和出氣閥，向進(jìn)氣管中充入氫氣； 3)同時(shí)關(guān)閉進(jìn)氣閥和出氣閥，或者，先關(guān)閉進(jìn)氣閥后關(guān)閉出氣閥； 4)讀取U型壓力計(jì)的最大液面高度差A(yù)h，即錫槽底磚的氫擴(kuò)散度數(shù)值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，其特征在于:所述第一凹槽中容置錫槽底磚，所述第一凹槽的側(cè)壁和錫槽底磚之間設(shè)有填充層，所述填充層的上表面設(shè)有密封層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，其特征在于:所述步驟2)中充氫氣的時(shí)間為3?5分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明公開了錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，解決了氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法操作麻煩，成本高昂的問題，本發(fā)明錫槽底磚氫擴(kuò)散度檢測(cè)方法，包括以下步驟：1)將錫槽底磚容置在第一凹槽中，在第一凹槽的側(cè)壁和錫槽底磚之間填入填充層，在填充層的上表面涂上密封層；2)打開進(jìn)氣閥和出氣閥，向進(jìn)氣管中充入氫氣；3)同時(shí)關(guān)閉進(jìn)氣閥和出氣閥，或者，先關(guān)閉進(jìn)氣閥后關(guān)閉出氣閥；4)讀取U型壓力計(jì)的最大液面高度差Δh，即錫槽底磚的氫擴(kuò)散度數(shù)值。
【IPC分類】G01N13/00
【公開號(hào)】CN104931390
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510236758
【發(fā)明人】范圣良
【申請(qǐng)人】浙江瑞泰耐火材料科技有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年5月9日