一種非接觸式接地線路電阻檢測器的制造方法
【技術領域】
[0001]發(fā)明涉及一種電阻檢測器，特別是一種非接觸式接地線路電阻檢測器。
【背景技術】
[0002]電阻經(jīng)常作為電路其他指標的判斷依據(jù)。比如電力系統(tǒng)的接地線經(jīng)常故障會被偷，接地線路的電阻值可以做為判斷接地線路是否被偷的判斷依據(jù)。因此需要檢測電路電阻檢測器?，F(xiàn)有接地線路電阻檢測器一般為接觸式的，接觸式的電阻檢測器檢測電力系統(tǒng)接地線路電阻的時候需要停電，破壞線路，把電阻檢測器接入到電路里面。電力系統(tǒng)每次停電都會造成巨大的經(jīng)濟損失，給居民的正常的生產(chǎn)、生活帶來不便。而現(xiàn)有的非接觸式電阻檢測器工作的時候一般是以接地線路的電流作為檢測工作電流的來源，這種工作方式的缺點是接地線路的電流不是恒定不變的，接地線路的電流變化直接影響電子檢測器的測量值，此外，一旦接地電路故障斷電，該非接觸式電阻檢測器就無法正常工作。
[0003]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有的電阻檢測器需要斷電檢測或者檢測值受電路電路干擾的缺點，提供一種非接觸式接地線路電阻檢測器。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明是通過以下產(chǎn)品實現(xiàn)的:
一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其包含:微處理器(I)、放大濾波電路a(2)、放大濾波電路b (3 )、電壓采集電路(4 )、電壓互感器(5 )、電流互感器(6 )、通訊接口( 7 )、常開閉接口(8)、鉗口(9)，電壓互感器(5)和電流互感器(6)分別置于鉗口(9)的邊緣位置，接地線路從鉗口(9)穿過，微處理器(I)分別與通訊接口(7)、常開閉接口(8)、放大濾波電路a
(2)、放大濾波電路b (3)、電壓采集電路(4)相連接，電流互感器(6)與放大濾波電路a (2)相連接，電壓互感器(5)與放大濾波電路b (3)相連接，同時電壓互感器(5)與電壓采集電路(4)相連接。
[0006]進一步地，其特征在于所述的電壓互感器(5)、電流互感器(6)外面設置有抗干擾層(10)。
[0007]進一步地，其特征在于所述的抗干擾層由三層組成:最外層為高飽和磁通低導磁率層(10-3)、中間層為高導電率層(10-2)、最里層為低飽和磁通高導磁率層(10-1)，每一層單獨接地，互不連接。
[0008]進一步地，其特征在于鉗口(9)分為上下兩個部分，兩部分之間通過螺絲(11)連接。
[0009]本發(fā)明的功效在于:本發(fā)明產(chǎn)品采用非接式，本發(fā)明產(chǎn)品的電阻電測器正常工作的時候電力系統(tǒng)接地線路無需斷電，此外，本發(fā)明產(chǎn)品設置有電壓互感器、電流互感器、校準電路，可以產(chǎn)生工作電流，無需依賴接地電路的電流，測量結果更準確。本發(fā)明產(chǎn)品經(jīng)常需要運用于檢測電力系統(tǒng)的接地線路電阻，電力設備的特性決定了所處的環(huán)境干擾比較多，本發(fā)明產(chǎn)品的電壓互感器(5)、電流互感器(6)外面設置有抗干擾層(10)，可以有效過濾環(huán)境干擾。
[0010]
【附圖說明】
[0011]圖1本發(fā)明一種非接觸式接地線路電阻檢測器結構示意圖。
[0012]圖2本發(fā)明非接觸式接地線路電阻檢測器連接電纜接地回路示意圖。
[0013]圖3三重屏蔽示意圖
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步闡述:
如圖1所示一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其包含:微處理器(1)、放大濾波電路a (2)、放大濾波電路b (3)、電壓采集電路(4)、電壓互感器(5)、電流互感器(6)、通訊接口
(7)、常開閉接口(8)、鉗口(9)，電壓互感器(5)和電流互感器(6)分別置于鉗口(9)的邊緣位置，接地線路從鉗口(9)穿過，微處理器(I)分別與通訊接口(7)、常開閉接口(8)、放大濾波電路a (2)、放大濾波電路b (3)、電壓采集電路(4)相連接，電流互感器(6)與放大濾波電路a (2)相連接，電壓互感器(5)與放大濾波電路b (3)相連接，同時電壓互感器(5)與電壓采集電路(4)相連接。
[0015]為了安裝方便，鉗口(9)分為上下兩個部分，兩部分之間通過螺絲(11)連接，安裝時，螺絲(11)松開，鉗口(9)上下兩部分可以分開，接地線路的電纜放進鉗口(9)里面，螺絲
(11)鎖緊固定好即安裝完畢。
[0016]如圖2所示，非接觸式接地線路電阻檢測器工作的時候，通過電壓互感器(5)附加給電纜接地回路一個感應電壓U，微處理器(I)對這個附加的感應電壓進行電壓采樣，得到電壓值U，。在感應感應電壓U的作用下，電纜接地回路產(chǎn)生感應電流I，電流互感器(6)可以獲得感應電流I的值，由于感應電流I比較微弱，因此還設置了放大濾波電路a對電流進一步處理。微處理器根據(jù)歐姆定律，U=IR可以計算得到電纜接地回路的電阻。
[0017]同時，非接觸式接地線路電阻檢測器出廠之前會做校正。校正原理是對一組已知不同電阻值的接地回路進行測試，驗證測試的電阻值是否與實際情況一致，若有偏差，則根據(jù)多個測試點在設備中記憶偏差值，在本產(chǎn)品工作時根據(jù)偏差值調(diào)整最終結果。即本發(fā)明產(chǎn)品工作時，微處理器自動校正，顯示出最終得到的電纜接地回路的電阻。
[0018]由于本發(fā)明產(chǎn)品的工作場所是高壓電纜附近，存在很強的磁場干擾，影響非接觸式接地線路電阻檢測器的正常工作。屏蔽技術是利用金屬材料對電磁波具有良好的吸收和反射能力進行抗干擾的，根據(jù)電磁干擾的特點選擇良好的低電阻導電材料或?qū)Т挪牧?，構成合適的屏蔽體就可以減小電磁干擾，屏蔽體的作用好比是在一個等效電阻(儀表)兩端并聯(lián)上一根短路線，當干擾信號躥入時直接通過短路線，對等效電阻(儀表)幾乎無影響。一般為了獲得較高的屏蔽性能，需要使用導磁率較高的材料，但是高導磁率的材料在強磁場下容易飽和，而如果用比較不容易飽和的材料，導磁率較低，屏蔽性能又達不到要求。
[0019]如圖3所示，針對本發(fā)明產(chǎn)品工作場所的特殊性，本發(fā)明產(chǎn)品在電壓互感器(5)、電流互感器(6)外面設置有抗干擾層(10)?？垢蓴_層由三層組成:最外層為高飽和磁通低導磁率層(10-3)、中間層為高導電率層(10-2)、最里層為低飽和磁通高導磁率層(10-1)，每層單獨接地，互不連接。當本發(fā)明產(chǎn)品在高壓電路附近工作時，最外層的高飽和磁通低導磁率層(10-3)導磁率相對較低一些，先將干擾磁場強度HO衰減到較低的程度H1。然后中間層的高導電率層(10-2)是用來實現(xiàn)對電場的屏蔽。最后最里層的低飽和磁通高導磁率層(10-1)導磁率較第一層高，進一步把衰減后的磁場強度Hl衰減到不影響設備正常工作的H2。通過這樣的三重屏蔽處理，提高了本發(fā)明產(chǎn)品的抗干擾能力，滿足在高壓電路附近工作的需求。
[0020]以上所記載，僅為利用本創(chuàng)作技術內(nèi)容的實施例，任何熟悉本項技藝者運用本創(chuàng)作所做的修飾、變化，皆屬本創(chuàng)作主張的專利范圍，而不限于實施例所揭示者。
【主權項】
1.一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其特征在于其包含:微處理器(1)、放大濾波電路a (2)、放大濾波電路b (3)、電壓采集電路(4)、電壓互感器(5)、電流互感器(6)、通訊接口(7)、常開閉接口(8)、鉗口(9)，電壓互感器(5)和電流互感器(6)分別置于鉗口(9)的邊緣位置，接地線路從鉗口(9)穿過，微處理器(I)分別與通訊接口(7)、常開閉接口(8)、放大濾波電路a (2)、放大濾波電路b (3)、電壓采集電路(4)相連接，電流互感器(6)與放大濾波電路a (2)相連接，電壓互感器(5)與放大濾波電路b (3)相連接，同時電壓互感器(5)與電壓采集電路(4)相連接。2.如權利要求1所述的一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其特征在于所述的電壓互感器(5 )、電流互感器(6 )外面設置有抗干擾層(10 )。3.如權利要求2所述的一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其特征在于所述的抗干擾層由三層組成:最外層為高飽和磁通低導磁率層(10-3)、中間層為高導電率層(10-2)、最里層為低飽和磁通高導磁率層(10-1 )，每一層單獨接地，互不連接。4.如權利要求1所述的一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其特征在于鉗口(9)分為上下兩個部分，兩部分之間通過螺絲(11)連接。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種非接觸式接地線路電阻檢測器，其包含：微處理器（1）、放大濾波電路a（2）、放大濾波電路b（3）、電壓采集電路（4）、電壓互感器（5）、電流互感器（6）、通訊接口（7）、常開閉接口（8）、鉗口（9），電壓互感器（5）和電流互感器（6）分別置于鉗口（9）的邊緣位置，接地線路從鉗口（9）穿過。本發(fā)明產(chǎn)品正常工作的時候電力系統(tǒng)接地線路無需斷電，測量時本發(fā)明產(chǎn)品產(chǎn)生工作電流，無需依賴接地電路的電流，測量結果更準確。此外，本發(fā)明產(chǎn)品設置有抗干擾層（10），可以有效過濾環(huán)境干擾。
【IPC分類】G01R27/20
【公開號】CN104950183
【申請?zhí)枴緾N201510429728
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】廈門一聯(lián)高科信息技術有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年7月21日