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      用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法

      文檔序號:9545458閱讀:301來源:國知局
      用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種氮氧化物氣體傳感器的制備方法,特別涉及一種用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]現(xiàn)代工業(yè)在飛速發(fā)展的同時也在伴隨著不斷增加的各種有害氣體(如N03、C0、NH3、302等),這對人類的健康造成了很大的危害。其中氮氧化物(N0X)作為一種有毒有害氣體,是酸雨和光化學(xué)煙霧形成的主要原因。隨著人類環(huán)保意識的增強,具有高靈敏度、高選擇性、可重復(fù)性等特點的氣敏傳感器是人們所希望的。W03氣敏材料工作溫度高(250°C左右)的缺點給傳感系統(tǒng)集成化帶來了復(fù)雜性和不穩(wěn)定性。為此,科技人員一直致力于降低氣敏材料工作溫度的研究。研究表明,二維氧化鎢納米片具有較大的比表面積、表面活性以及較強的氣體吸附能力,從而能進(jìn)一步提高靈敏度的同時有效的較低工作溫度。
      [0003]氧化鎢作為一種極具研究與應(yīng)用前景的半導(dǎo)體敏感材料,已廣泛用于檢測各種有毒和危險性的氣體。其對氮氧化物氣體的敏感機理屬于表面電阻控制型,是基于空氣中的氧氣和被檢測二氧化氮氣體在半導(dǎo)體金屬氧化物表面吸附和反應(yīng)對半導(dǎo)體材料的電阻調(diào)制過程。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供一種用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,克服現(xiàn)有技術(shù)中氧化鎢氣敏傳感器工作溫度高、功耗大的問題。
      [0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,具有以下步驟:
      [0006](1)清洗陶瓷片(三氧化二鋁)基底
      [0007]采用陶瓷片作為基底,將陶瓷片基底依次放入丙酮溶劑、無水乙醇中超聲振蕩15-20min,除去表面有機物雜質(zhì)。隨后將陶瓷片基底放入去離子水中清洗,沖洗完成后放入無水乙醇中,并置于紅外烘箱中烘干;
      [0008](2)在陶瓷片基底上制備Pt的叉指電極
      [0009]將陶瓷片基底置于DPS-1II型高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室中,采用質(zhì)量純度99.99%的金屬鉑作為靶材,以質(zhì)量純度99.999%的氬氣作為工作氣體,濺射工作壓強為2.0Pa,濺射功率80-90W,濺射時間8_10min,基底溫度為室溫,在氧化鋁基底表面形成叉指鉑電極;
      [0010](3)制備溶劑熱反應(yīng)溶液
      [0011]首先配置0.04M-0.06M的六氯化鎢溶液,將六氯化鎢溶于65ml乙二醇中,磁力攪拌至全部溶解,形成黃色透明的六氯化鎢溶液;
      [0012](4)溶劑熱法制備氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器
      [0013]將步驟(2)中鍍有鉑電極的氧化鋁基底置于內(nèi)襯為聚四氟乙烯的不銹鋼水熱反應(yīng)釜中,同時將步驟(3)制備的六氯化鎢溶液也轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中,密封,然后將反應(yīng)釜置于恒溫干燥箱中,在反應(yīng)溫度180-210°C下在氧化鋁基底表面合成氧化鎢納米片結(jié)構(gòu),反應(yīng)時間為6-10h,反應(yīng)完畢后,將反應(yīng)釜自然冷卻到室溫;
      [0014](5)清洗溶劑熱反應(yīng)后氧化鋁基底
      [0015]將步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)后的氧化鋁基底,反復(fù)經(jīng)去離子水和無水乙醇浸泡清洗,然后在60_80°C的真空干燥箱中干燥8-10h ;
      [0016](6)氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的熱處理
      [0017]將步驟(4)所制備的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件置于馬弗爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為300-400°C,保溫時間為2h,升溫速率為2-5°C /min,用以增加氧化鎢納米片的結(jié)晶性。
      [0018]與已有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
      [0019]1)提供了一種可低成本制備氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的方法。溶劑熱法操作較為簡單,所需控制的工藝條件少,且對環(huán)境無污染。
      [0020]2)提供了一種可室溫探測極低濃度(可達(dá)0.lppm)氮氧化物氣體,具有高靈敏度、快速響應(yīng)/恢復(fù)的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,具有重要的實踐和研究意義。
      【附圖說明】
      [0021]圖1是實施例1所制備的氧化鎢納米片的掃描電子顯微鏡照片,標(biāo)尺為2μ m ;
      [0022]圖2是實施例1所制備的氧化鎢納米片的透射電子顯微鏡照片,標(biāo)尺為200nm;
      [0023]圖3是實施例1所制備的氧化鎢納米片的XRD圖譜;
      [0024]圖4是實施例1所制備的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫條件下對
      0.l-3ppm ~02氣體的動態(tài)響應(yīng)曲線圖;
      [0025]圖5是是實施例1所制備的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫條件下的靈敏度與N02氣體濃度的對應(yīng)關(guān)系圖。
      【具體實施方式】
      [0026]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0027]本發(fā)明所用原料均采用市售化學(xué)純試劑。
      [0028]實施例1
      [0029](1)清洗陶瓷片(三氧化二鋁)基底:
      [0030]采用陶瓷片(lCmX2Cm)作為基底,將陶瓷片基底依次放入丙酮溶劑、無水乙醇中超聲振蕩15min,除去表面有機物雜質(zhì)。并置于紅外烘箱中烘干待用。
      [0031](2)在陶瓷片基底上制備Pt的叉指電極:
      [0032]將陶瓷片基底置于DPS-1II型高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室中,采用質(zhì)量純度99.99%的金屬鉑作為靶材,以質(zhì)量純度99.999%的氬氣作為工作氣體,濺射工作壓強為2.0Pa,濺射功率85W,濺射時間lOmin,基底溫度為室溫,在氧化鋁基底表面形成叉指鉑電極。
      [0033](3)制備溶劑熱反應(yīng)溶液:
      [0034]首先配置0.05M的六氯化鎢溶液,稱取1.19g六氯化鎢溶于65ml乙二醇中,磁力攪拌至全部溶解,形成黃色透明的六氯化鎢溶液。
      [0035](4)溶劑熱法制備氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器:
      [0036]將步驟⑵中鍍有鉑電極的氧化鋁基底置于100ml水熱反應(yīng)釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中,同時將步驟(3)制備的六氯化鎢溶液也轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中,密封,然后將反應(yīng)釜置于恒溫干燥箱中,在反應(yīng)溫度200°C下在氧化鋁基底表面合成氧化鎢納米片結(jié)構(gòu),反應(yīng)時間為9h,反應(yīng)完畢后,將反應(yīng)釜自然冷卻到室溫;
      [0037](5)清洗溶劑熱反應(yīng)后氧化鋁基底:
      [0038]將步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)后的氧化鋁基底,反復(fù)經(jīng)去離子水和無水乙醇浸泡清洗,然后在80°C的真空干燥箱中干燥9h。
      [0039]實施例1所制備的氧化鎢納米片的表面形貌的電子顯微鏡分析結(jié)果如圖1所示。會在氧化鋁傳感器基底上形成均勻分布的厚度為30-300nm,直徑為0.3-3.5 μπι的納米片;此外,氧化鎢納米片的透射電子顯微鏡分析結(jié)果如圖2所示。
      [0040](6)氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的熱處理:
      [0041]將步驟(4)所制備的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件置于馬弗爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為350°C,保溫時間為2h,升溫速率為2.5°C /min。
      [0042]實施例1所制備的氧化鎢納米片的X射線衍射分析結(jié)果如圖3所示。XRD譜圖顯不氧化媽納米片的晶相為單晶的八方相W03,并具有良好的結(jié)晶性。
      [0043]實施例1制得的氧化媽納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫下對0.l-3ppm的N02氣體的動態(tài)響應(yīng)曲線如圖4所示。其在室溫下的靈敏度與N02氣體濃度的對應(yīng)關(guān)系示意圖如圖5所示,其中對0.1,0.5、l、2、3ppm N02氣體的靈敏度分別為3.9,9.6,15.9,22.3和30.5o
      [0044]實施例2
      [0045]本實施例與實施例1的不同之處在于:步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)的反應(yīng)溫度為180°C,所制得的氧化媽納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫下對1 ppm 1^02氣體的靈敏度為
      6.72。
      [0046]實施例3
      [0047]本實施例與實施例1的不同之處在于:步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)的反應(yīng)溫度為190°C,所制得的氧化媽納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫下對1 ppm 1^02氣體的靈敏度為
      8.34。
      [0048]實施例4
      [0049]本實施例與實施例1的不同之處在于:步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)的反應(yīng)溫度為210°C,所制得的氧化媽納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件在室溫下對1 ppm 1^02氣體的靈敏度為
      3.87。
      [0050]以上參照附圖和實施例,對本發(fā)明進(jìn)行了示意性描述,該描述沒有限制性。應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,其特征在于,具有以下步驟: (1)清洗陶瓷片基底 采用陶瓷片作為基底,將陶瓷片基底依次放入丙酮溶劑、無水乙醇中超聲振蕩15-20min,除去表面有機物雜質(zhì);隨后將陶瓷片基底放入去離子水中清洗,沖洗完成后放入無水乙醇中,并置于紅外烘箱中烘干; (2)在陶瓷片基底上制備Pt的叉指電極 將陶瓷片基底置于高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室中,在氧化鋁基底表面形成叉指鉑電極; (3)制備溶劑熱反應(yīng)溶液 首先配置0.04M-0.06M的六氯化鎢溶液,將六氯化鎢溶于65ml乙二醇中,磁力攪拌至全部溶解,形成黃色透明的六氯化鎢溶液; (4)溶劑熱法制備氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器 將步驟(2)中鍍有鉑電極的氧化鋁基底置于內(nèi)襯為聚四氟乙烯的不銹鋼水熱反應(yīng)釜中,同時將步驟(3)制備的六氯化鎢溶液也轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中,密封,然后將反應(yīng)釜置于恒溫干燥箱中,在反應(yīng)溫度180-210°C下在氧化鋁基底表面合成氧化鎢納米片結(jié)構(gòu),反應(yīng)時間為6-10h,反應(yīng)完畢后,將反應(yīng)釜自然冷卻到室溫; (5)清洗溶劑熱反應(yīng)后氧化鋁基底 將步驟(4)中溶劑熱反應(yīng)后的氧化鋁基底,反復(fù)經(jīng)去離子水和無水乙醇浸泡清洗,然后在60-80°C的真空干燥箱中干燥8-10h ; (6)氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的熱處理 將步驟(4)所制備的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件置于馬弗爐中進(jìn)行熱處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)高真空對靶磁控濺射設(shè)備為DPS-1II型高真空對靶磁控濺射設(shè)備的真空室中,采用質(zhì)量純度99.99%的金屬鉑作為靶材,以質(zhì)量純度99.999%的氬氣作為工作氣體,濺射工作壓強為2.0Pa,濺射功率80-90W,濺射時間8_10min,基底溫度為室溫。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,其特征在于,所述步驟(6)熱處理溫度為300-400°C,保溫時間為2h,升溫速率為2-5°C /min。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于室溫工作的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,包括清洗陶瓷片基底,在陶瓷片基底上制備鉑的叉指電極,制備溶劑熱反應(yīng)溶液,溶劑熱法制備氧化鎢納米棒結(jié)構(gòu)氣敏傳感器,清洗溶劑熱反應(yīng)后氧化鋁基底,氧化鎢納米棒結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的熱處理的步驟。本發(fā)明提供了一種可低成本制備氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的方法。溶劑熱法操作較為簡單,所需控制的工藝條件少,且對環(huán)境無污染。提供了一種可室溫探測極低濃度(可達(dá)0.1ppm)氮氧化物氣體,具有高靈敏度、快速響應(yīng)/恢復(fù)的氧化鎢納米片結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備方法,具有重要的實踐和研究意義。
      【IPC分類】G01N27/12, B82Y30/00, B82Y40/00
      【公開號】CN105301063
      【申請?zhí)枴緾N201510718189
      【發(fā)明人】胡明, 王自帥, 王毅斐, 劉相承, 袁琳
      【申請人】天津大學(xué)
      【公開日】2016年2月3日
      【申請日】2015年10月29日
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