晶圓測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種晶圓測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，是現(xiàn)有晶圓測(cè)試方法的探針臺(tái)的探針卡的走向示意圖，在晶圓測(cè)試中，需要采用探針臺(tái)進(jìn)行測(cè)試，探針臺(tái)的探針卡上設(shè)置有多個(gè)探針，通過探針卡的多個(gè)探針和晶圓101上的芯片接觸實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯片的同測(cè)，和探針卡相對(duì)應(yīng)，晶圓上包括了多個(gè)測(cè)試單位102，每個(gè)測(cè)試單位由多個(gè)相鄰的用于同測(cè)的芯片組成?，F(xiàn)有方法采取如標(biāo)記103所示的“之”字形走向的策略，現(xiàn)有這種探針卡的“之”字形走向方法所帶來的一個(gè)問題是探針容易造成污染，被污染的探針則容易和芯片之間形成不良接觸，容易直接導(dǎo)致測(cè)試良率(yield)降低。為了提高接觸特性，不得不增加探針卡的清潔次數(shù)，對(duì)探針卡的探針進(jìn)行清潔的同時(shí)也是對(duì)探針本身進(jìn)行損耗，最后會(huì)導(dǎo)致針卡壽命的快速消耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓測(cè)試方法，能提高測(cè)試良率，延長(zhǎng)探針卡的壽命。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的晶圓測(cè)試方法包括如下步驟:
[0005]步驟一、進(jìn)彳丁晶圓外圈和晶圓內(nèi)圈的劃分，所述晶圓內(nèi)圈為晶圓曝光有效區(qū)域，所述晶圓外圈位于所述晶圓內(nèi)圈外部，位于所述晶圓外圈和所述晶圓內(nèi)圈之間的呈環(huán)帶狀區(qū)域?yàn)榫A曝光無效區(qū)域。
[0006]步驟一■、根據(jù)晶圓上的測(cè)試單位和所述晶圓外圈和所述晶圓內(nèi)圈的位置關(guān)系確定測(cè)試單位所處的測(cè)試區(qū)域塊，將和所述晶圓曝光無效區(qū)域相交的所述測(cè)試單位圍繞形成的測(cè)試區(qū)域塊定義為外圈測(cè)試區(qū)域塊，將由所述外圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)部的所述測(cè)試單位組成的測(cè)試區(qū)域塊定義為內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊。
[0007]步驟三、對(duì)所述晶圓進(jìn)行測(cè)試前先對(duì)探針臺(tái)的探針卡上的探針進(jìn)行清潔。
[0008]步驟四、探針清潔后使用所述探針臺(tái)先對(duì)所述內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的所述測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試分多次進(jìn)行，每一次測(cè)試都對(duì)一個(gè)所述測(cè)試單位進(jìn)行全覆蓋測(cè)試，一個(gè)所述測(cè)試單位測(cè)試完成后移動(dòng)所述探針卡對(duì)下一個(gè)所述測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，直至所述內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢。
[0009]步驟五、所述內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢后移動(dòng)所述探針卡對(duì)所述外圈測(cè)試區(qū)域塊的所述測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試分多次進(jìn)行，每一次測(cè)試都對(duì)一個(gè)所述測(cè)試單位進(jìn)行全覆蓋測(cè)試，一個(gè)所述測(cè)試單位測(cè)試完成后移動(dòng)所述探針卡對(duì)下一個(gè)所述測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，直至所述外圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢。
[0010]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟三中使用清針片對(duì)所述探針進(jìn)行清潔。
[0011]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟三的清潔工藝將所述探針上的鋁肩或鎢塞污染清除掉。
[0012]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，所述探針上的鋁肩或鎢塞污染來源于對(duì)上一片晶圓進(jìn)行測(cè)試時(shí)的步驟五中產(chǎn)生的。
[0013]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟五中和所述測(cè)試單位的位于所述晶圓曝光無效區(qū)域接觸的探針產(chǎn)生鋁肩或鎢塞污染。
[0014]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟四中對(duì)測(cè)試過程中的所述探針卡的移動(dòng)方向設(shè)定為:選擇一個(gè)靠近所述外圈測(cè)試區(qū)域塊的所述測(cè)試單位為測(cè)試起點(diǎn)，之后以螺旋型向內(nèi)移動(dòng)直至所述內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢。
[0015]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟四中對(duì)測(cè)試過程中的所述探針卡的移動(dòng)方向設(shè)定為:選擇一個(gè)最內(nèi)側(cè)所述測(cè)試單位為測(cè)試起點(diǎn)，之后以螺旋型向外移動(dòng)直至所述內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢。
[0016]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，步驟五中對(duì)測(cè)試過程中的所述探針卡的移動(dòng)方向設(shè)定為:選擇一個(gè)所述測(cè)試單位為測(cè)試起點(diǎn)，之后按照所述外圈測(cè)試區(qū)域塊圓圈的順時(shí)針方向或者逆時(shí)針方向進(jìn)行移動(dòng)直至所述外圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)的所有所述測(cè)試單位都測(cè)試完畢。
[0017]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，所述測(cè)試單位由多個(gè)相鄰的用于同測(cè)的芯片組成。
[0018]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，所述全覆蓋測(cè)試是指利用所述探針卡上的探針對(duì)所述測(cè)試單位中的所有芯片都進(jìn)行測(cè)試連接實(shí)現(xiàn)所述測(cè)試單位中的所有芯片的同測(cè)。
[0019]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，所述晶圓曝光無效區(qū)域的環(huán)帶狀寬度為3毫米?5毫米。
[0020]進(jìn)一個(gè)的改進(jìn)是，所述晶圓曝光無效區(qū)域的接觸墊的通孔呈暴露出來的狀態(tài)。
[0021]本發(fā)明通過根據(jù)晶圓曝光有效區(qū)域?qū)A進(jìn)行內(nèi)外圈的劃分，以及根據(jù)測(cè)試單位和晶圓內(nèi)外圈的位置關(guān)系進(jìn)行內(nèi)外圈測(cè)試區(qū)域塊的劃分，在對(duì)探針卡進(jìn)行一次清潔之后先對(duì)內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，再對(duì)外圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試單位進(jìn)行測(cè)試，由于內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試單位都不會(huì)和晶圓曝光無效區(qū)域相交，能夠避免晶圓曝光無效區(qū)域內(nèi)暴露的通孔對(duì)探針的污染，提高內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試良率；由于對(duì)內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試過程中探針不會(huì)被污染，所以在整個(gè)內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試過程中都不需要對(duì)探針進(jìn)行清洗；而在之后對(duì)外圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試過程中，外圈測(cè)試區(qū)域塊呈一環(huán)形結(jié)構(gòu)，對(duì)沿外圈測(cè)試區(qū)域塊的圓心對(duì)稱的兩個(gè)位置的測(cè)試時(shí)晶圓曝光無效區(qū)域內(nèi)的芯片所對(duì)應(yīng)使用的探針在探針卡上的位置大致相反，所以能夠降低外圈測(cè)試區(qū)域塊的測(cè)試過程對(duì)探針的污染，從而能提高測(cè)試的穩(wěn)定性和測(cè)試良率。另外，在整個(gè)測(cè)試過程中進(jìn)行在對(duì)內(nèi)外圈測(cè)試區(qū)域塊進(jìn)行一次探針的清潔即可，所以本發(fā)明能夠減少探針的清潔次數(shù)，提高探針卡的壽命。
【附圖說明】
[0022]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0023]圖1是現(xiàn)有晶圓測(cè)試方法的探針臺(tái)的探針卡的走向示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例方法流程圖；
[0025]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例方法的步驟一中進(jìn)行晶圓內(nèi)外圈的劃分以及步驟二中確定內(nèi)外圈測(cè)試區(qū)域塊的示意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例方法的探針臺(tái)的探針卡的走向示意圖；
[0027]圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例方法的探針臺(tái)的探針卡的走向示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]如圖2所示，是本發(fā)明第一實(shí)施例方法流程圖；本發(fā)明第一實(shí)施例晶圓測(cè)試方法包括如下步驟:
[0029]步驟一、如圖3所示，進(jìn)行晶圓外圈203和晶圓內(nèi)圈204的劃分，所述晶圓內(nèi)圈204為晶圓曝光有效區(qū)域，所述晶圓外圈203位于所述晶圓內(nèi)圈204外部，位于所述晶圓外圈203和所述晶圓內(nèi)圈204之間的呈環(huán)帶狀區(qū)域?yàn)榫A曝光無效區(qū)域。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例中，所述晶圓曝光無效區(qū)域的環(huán)帶狀寬度為3毫米?5毫米。所述晶圓曝光無效區(qū)域的接觸墊(pad)的通孔呈暴露出來的狀態(tài)。
[0031]步驟二、如圖3所示，根據(jù)晶圓201上的測(cè)試單位202和所述晶圓外圈203和所述晶圓內(nèi)圈204的位置關(guān)系確定測(cè)試單位202所處的測(cè)試區(qū)域塊，將和所述晶圓曝光無效區(qū)域相交的所述測(cè)試單位202圍繞形成的測(cè)試區(qū)域塊定義為外圈測(cè)試區(qū)域塊，將由所述外圈測(cè)試區(qū)域塊內(nèi)部的所述測(cè)試單位202組成的測(cè)試區(qū)域塊定義為內(nèi)圈測(cè)試區(qū)域塊。
[0032]所述測(cè)試單位202由多個(gè)相鄰的用于同測(cè)的芯片組成，圖3中顯示了所述測(cè)試單位202中包括了 24個(gè)同測(cè)的芯片。
[0033]步驟三、對(duì)所述晶圓201進(jìn)行測(cè)試前先對(duì)探針臺(tái)的探針卡上的探針進(jìn)行清潔。
[0034]較佳選擇為，使用清針片對(duì)所述探針進(jìn)行清潔。清潔工藝將所述探針上的鋁肩或鎢塞污染清除掉。所述探針上