，從而檢測氣體的選擇性降低。
[0060]在第一實(shí)施方式的氣體傳感器100中，在加熱器132和氣體反應(yīng)膜191及參照膜192之間配置熱傳導(dǎo)率高的均熱部(即，均熱膜177及溫接點(diǎn)連接線171)。因此，由加熱器132產(chǎn)生的熱在均熱部中分散到均熱部整體后，分別均勻地傳遞至氣體反應(yīng)膜191及參照膜192，因此抑制了氣體反應(yīng)膜191及參照膜192中的溫度不均的發(fā)生。另外，氣體反應(yīng)膜191中的由催化燃燒產(chǎn)生的熱也在均熱部中被分散。因此，即使是在氣體反應(yīng)膜191中可燃性氣體的燃燒的發(fā)熱量不均勻的情況下，也能夠抑制在氣體反應(yīng)膜191上發(fā)生溫度不均。
[0061]這樣，根據(jù)第一實(shí)施方式的氣體傳感器100，抑制了氣體反應(yīng)膜191及參照膜192上發(fā)生溫度不均導(dǎo)致的偏差的增大或偏移的增大，因此能夠以更高的靈敏度檢測可燃性氣體，并且能夠提高氣體濃度的測定再現(xiàn)性。另外，通過抑制氣體反應(yīng)膜191中的溫度不均的發(fā)生，能夠抑制可燃性氣體的檢測靈敏度的降低、選擇性的降低。
[0062]而且，在第一實(shí)施方式中，利用金屬形成均熱部，因此能夠同時形成由金屬(導(dǎo)電體)形成的氣體傳感器100的各部分的配線。因此，不需要分別設(shè)置用于形成均熱部的工序，因此能夠使具有均熱部的氣體傳感器100的制造工序更簡單。并且，一般情況下，由金屬構(gòu)成的導(dǎo)電膜170具有比隔膜121高的韌性，因此通過設(shè)置均熱部，抑制了制造工序和完成后的氣體傳感器100的破損。
[0063]此外，形成溫接點(diǎn)的溫接點(diǎn)連接線171和決定均熱部(即溫接點(diǎn)連接線171和均熱膜177)的大部分外形的均熱膜177通過光刻等應(yīng)用在半導(dǎo)體制造工藝中的形成圖案技術(shù)來形成，能夠提高溫接點(diǎn)相對于均熱部的位置的精度。并且，在氣體反應(yīng)膜191上產(chǎn)生的熱由均熱部分散后，傳遞至溫接點(diǎn)，因此即使在氣體反應(yīng)膜191的形成位置處存在波動的情況下，也抑制分別傳遞至多個溫接點(diǎn)的熱的波動。因此，能夠抑制偏差、偏移或者靈敏度等氣體傳感器100的特性在每個個體上波動。
[0064]另外，在第一實(shí)施方式的氣體傳感器100中，如上所述，形成溫接點(diǎn)的溫接點(diǎn)連接線171、均熱膜177、氣體反應(yīng)膜191及參照膜192、加熱器132均形成在隔膜121上。該隔膜121—般形成得薄(約1?5μπι)，因此隔膜121自身的熱容小。并且，在隔膜121的下表面形成有不傳遞熱的空洞部119。這樣，通過將氣體反應(yīng)膜191形成在隔膜121的上部，該隔膜121形成在空洞部191上并且熱容小，而即使在氣體反應(yīng)膜191上的由可燃性氣體的催化燃燒產(chǎn)生的熱量少的情況下，也能夠使氣體反應(yīng)膜191的溫度充分上升。因此，能夠進(jìn)一步提高氣體傳感器100的可燃性氣體的檢測靈敏度。另外，形成于隔膜121的下表面的空洞部119不傳遞熱，因此也可以稱作絕熱部。
[0065]B.第2實(shí)施方式:
[0066]圖7A及圖7B、圖8A及圖8B、圖9A及圖9B、乃至圖10A及圖10B是表示第2實(shí)施方式中的氣體傳感器200的制造工序的各階段的說明圖。圖7A、圖8A、圖9A、圖10A表示從上表面觀察在各階段得到的半成品200a、200b、200c及氣體傳感器200的樣子。并且，圖7B、圖8B、圖9B、圖10B表示半成品200a、200b、200c及氣體傳感器200的剖面線A處的剖面。第2實(shí)施方式的氣體傳感器200在如下方面與第一實(shí)施方式不同，將第一實(shí)施方式中形成為η型半導(dǎo)體膜130的加熱器132形成為導(dǎo)電膜270 ;在形成為導(dǎo)電膜270的均熱膜MSI?MS3的基礎(chǔ)上，使用形成為η型半導(dǎo)體膜230的均熱膜235 ;與這些變更相對應(yīng)地變更各部分的形狀。其他方面與第一實(shí)施方式相同。
[0067]與第一實(shí)施方式相同地，在氣體傳感器200的制造工序中，首先，如圖7Α及圖7Β所示，準(zhǔn)備將絕緣膜220和掩膜202a成膜的基板210a，在該絕緣膜220上形成具有η型熱電元件231和均熱膜235的η型半導(dǎo)體膜230。接下來，如圖8Α及圖8Β所示，在形成η型半導(dǎo)體膜230的半成品200a上形成層間絕緣膜240b和由ρ型熱電元件251構(gòu)成的ρ型半導(dǎo)體膜250。接下來，如圖9Α及圖9Β所示，對層間絕緣膜240b、在形成ρ型半導(dǎo)體膜250的半成品200b上成膜的層間絕緣膜形成接觸孔H21?H24后，形成導(dǎo)電膜270。由此，與第一實(shí)施方式相同地，在形成溫接點(diǎn)連接線271、冷接點(diǎn)連接線272、信號輸出電極273、熱電堆連接線274、加熱器通電電極275及接地配線276的同時，形成加熱器278、將加熱器278連接到接地配線276的加熱器配線279、均熱膜MSI?MS3。另外，均熱膜MSI?MS3的形狀可以進(jìn)行各種變更，例如，可以形成為兩個均熱膜MS1、MS3以包圍溫接點(diǎn)連接線271的方式在溫接點(diǎn)連接線271的外側(cè)連續(xù)，或者，也可以與第一實(shí)施方式的均熱膜177相同地，空出狹窄間隙地包圍溫接點(diǎn)連接線271。而且，也可以在加熱器278的線之間形成均熱膜。
[0068]如圖9A及圖9B所示，在形成導(dǎo)電膜270后，如圖10A及圖10B所示，在半成品200c上形成設(shè)有開口部281?283的保護(hù)膜280。由此，在氣體傳感器200的上表面形成:露出信號輸出電極273的信號輸出盤P21、P23 ;露出加熱器通電電極275的加熱器通電盤P22、P24 ;露出接地配線276的接地盤P25。而且，通過以設(shè)有開口部209的掩膜202a為遮擋的蝕刻，來形成設(shè)于基板210的空洞部219，由此形成絕緣膜220在背面?zhèn)嚷冻龅母裟?21。接下來，通過在保護(hù)膜280上形成氣體反應(yīng)膜291及參照膜292，得到第二實(shí)施方式的氣體傳感器200。
[0069]根據(jù)圖10A及圖10B可知，在第二實(shí)施方式的氣體傳感器200中，與第一實(shí)施方式的氣體傳感器100相同地，形成溫接點(diǎn)的溫接點(diǎn)連接線271、均熱膜235、MSI?MS3、氣體反應(yīng)膜291及參照膜292、加熱器278均位于隔膜221上。并且，形成冷接點(diǎn)冷接點(diǎn)連接線272形成為位于基板210剩余的基板區(qū)域。
[0070]另一方面，在第2實(shí)施方式的氣體傳感器200中，具有作為第一均熱部的形成為η型半導(dǎo)體膜230的均熱膜235、作為第二均熱部的形成為導(dǎo)電膜270的均熱膜MSI?MS3及溫接點(diǎn)連接線271。并且，與均熱膜MSI?MS3及溫接點(diǎn)連接線271相同地，加熱器278形成為導(dǎo)電膜270。因此，加熱器278在各功能膜的層疊方向上位于形成有第一均熱部的區(qū)域和形成有第二均熱部的區(qū)域之間，因此也可以說是形成在第一和第二均熱部之間。
[0071]這樣，在第2實(shí)施方式的氣體傳感器200中，也通過設(shè)置均熱部，能夠抑制在氣體反應(yīng)膜291及參照膜292上發(fā)生溫度不均。因此，抑制了偏差的增大或偏移的增大，因此能夠以更高的靈敏度檢測可燃性氣體，并且能夠提高氣體濃度的測定再現(xiàn)性。另外，通過抑制氣體反應(yīng)膜291上的溫度不均的發(fā)生，能夠抑制可燃性氣體的檢測靈敏度的降低和選擇性的降低。
[0072]另外，在第2實(shí)施方式中，利用η型半導(dǎo)體形成第一均熱部，并利用金屬形成第二均熱部。因此，第一均熱部能夠與η型熱電元件231同時形成，第二均熱部能夠與氣體傳感器200的各部分的配線同時形成。因此，不需要分別設(shè)置用于形成第一和第二均熱部的工序，因此能夠使具有這兩個均熱部的氣體傳感器200的制造工序更簡單。另外，第一均熱部也可以由Ρ型半導(dǎo)體形成。在該情況下，第一均熱部能夠與Ρ型熱電元件251同時形成，因此能夠使氣體傳感器200的制造工序更簡單。并且，一般情況下，由半導(dǎo)體構(gòu)成的η型半導(dǎo)體膜230和由金屬構(gòu)成的導(dǎo)電膜270均具有比隔膜221高的韌性，因此通過設(shè)置這兩個均熱部，抑制了制造工序和完成后的氣體傳感器200的破損。
[0073]而且，形成溫接點(diǎn)的溫接點(diǎn)連接線271，和第一及第二均熱部通過光刻等應(yīng)用在半導(dǎo)體制造工藝中的形成圖案技術(shù)來形成，因此能夠提高溫接點(diǎn)相對于這兩個均熱部的位置的精度。因此，即使是在氣體反應(yīng)膜291的形成位置處存在波動的情況下，也能夠抑制分別傳遞至多個溫接點(diǎn)的熱的波動，能夠抑制偏差、偏移或者靈敏度等氣體傳感器200的特性在每個個體上波動。
[0074]另一方面，在第2實(shí)施方式的氣體傳感器200中，設(shè)置第一和第二均熱部，并在這兩個均熱部之間設(shè)置加熱器278。因此，由加熱器278產(chǎn)生的熱比設(shè)置單個均熱部的第一實(shí)施方式的氣體傳感器100更均勻地分散，因此能夠更有效地抑制氣體反應(yīng)膜291及參照膜292上的溫度不均的發(fā)生。
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