散熱模塊的散熱效果測試裝置的制造方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及散熱效果測試裝置，特別是涉及一種散熱模塊的散熱效果測試裝置?！尽颈尘凹夹g】】
[0002]電子產品的元器件在工作時發(fā)熱，需要使用散熱模塊(Heat sink Assy)對其進行散熱，所述散熱模塊通常會包括銅片、熱管及風扇。而散熱模塊的散熱性能的好壞就會影響到電子元器件(例如CPU--中央處理器)是否能夠正常工作以及其壽命。這就需要對散熱模塊的散熱性能進行測試，而對散熱模塊性能測試通常會測試其進行散熱的熱源的熱阻值即Rja值。
[0003]之前的測試方式，是采用adapter本體作為代替CPU的模擬熱源，因其本體接觸面接過大，接觸材質為塑料，功率和溫度不穩(wěn)等因素會導致誤差較大。
[0004]有鑒于此，實有必要開發(fā)一種散熱模塊的散熱效果測試裝置，以解決上述問題。
【
【發(fā)明內容】
】
[0005]因此，本發(fā)明的目的是提供一種散熱模塊的散熱效果測試裝置，以解決散熱模塊散熱效果測試時測試結果不準確的問題。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明提供的散熱模塊的散熱效果測試裝置，包括:
[0007]基座，其上設有容置槽及設于所述容置槽外側的安裝孔；
[0008]模擬芯片，其放置于所述容置槽內，且該模擬芯片的上端與所述散熱模塊的接觸端貼合；
[0009]壓合塊，其與所述基座間壓合設有所述模擬芯片及所述散熱模塊的接觸端；
[0010]螺絲，所述壓合塊與所述基座間通過所述螺絲固定。
[0011]可選地，所述容置槽的個數(shù)為兩個，分別對應不同的模擬芯片的大小尺寸。
[0012]可選地，所述模擬芯片包括依序設立的銅合金塊層、硅晶片上層、軟質導熱材上層、發(fā)熱電阻層、軟質導熱材下層、硅晶片下層、亞克力板材層。
[0013]可選地，所述發(fā)熱電阻層還串接有一熱阻斷元件(thermal breaker)。
[0014]可選地，所述發(fā)熱電阻層采用發(fā)熱電阻絲繞合而成。
[0015]可選地，所述發(fā)熱電阻絲兩端電壓值為12V。
[0016]可選地，所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲，截取0.41米的長度繞合成規(guī)格為37.5mm*37.5mm的外框形狀或者截取0.57米的長度繞合成規(guī)格為32mm*32mm的外框形狀。
[0017]可選地，所述發(fā)熱電阻層采用若干個發(fā)熱電阻并聯(lián)而成。
[0018]可選地，所述發(fā)熱電阻為10個，各發(fā)熱電阻的阻值為500歐姆。
[0019]可選地，所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻兩端電壓值為42V或者35V。
[0020]相較于現(xiàn)有技術，利用本發(fā)明的散熱模塊的散熱效果測試裝置，采用模擬芯片與散熱模塊的接觸端貼合，進而測試其穩(wěn)定工作后，在模擬芯片的預設功率情況下，散熱模塊的散熱效果。由于采用模擬芯片更接近于芯片的結構及散熱情況，同時該裝置的壓合結構可以使得模擬芯片與散熱模塊的接觸端更貼合，從而可以達成對散熱模塊的散熱效果測試目的且測試結果準確。
【【附圖說明】】
[0021]圖1繪示為本發(fā)明散熱模塊的散熱效果測試裝置一較佳實施例的組裝結構示意圖。
[0022]圖2繪示為本發(fā)明散熱模塊的散熱效果測試裝置一較佳實施例的分解結構示意圖。
[0023]圖3繪示為本發(fā)明一較佳實施例中模擬芯片的分解結構示意圖。
[0024]圖4繪示為本發(fā)明一較佳實施例中發(fā)熱電阻層的第一實施方式結構示意圖。
[0025]圖5繪示為本發(fā)明一較佳實施例中發(fā)熱電阻層的第二實施方式結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0026]請結合參閱圖1、圖2，圖1繪示為本發(fā)明散熱模塊的散熱效果測試裝置一較佳實施例的組裝結構示意圖、圖2繪示為本發(fā)明散熱模塊的散熱效果測試裝置一較佳實施例的分解結構示意圖。
[0027]為了達到上述目的，本發(fā)明提供的散熱模塊的散熱效果測試裝置，包括:
[0028]基座100，其上設有容置槽101及設于所述容置槽101外側的安裝孔102 ；
[0029]模擬芯片200，其放置于所述容置槽101內，且該模擬芯片200的上端與所述散熱模塊300的接觸端貼合，于本實施例，所述容置槽101的個數(shù)為兩個，分別對應放置不同大小尺寸的模擬芯片200 ；
[0030]壓合塊400，其與所述基座100間壓合設有所述模擬芯片200及所述散熱模塊300的接觸端；
[0031]螺絲500，所述壓合塊400與所述基座100間通過所述螺絲500固定。
[0032]請再參閱圖3，圖3繪示為本發(fā)明一較佳實施例中模擬芯片的分解結構示意圖。
[0033]所述模擬芯片200可以包括依序設立的銅合金塊層201、硅晶片上層202、軟質導熱材上層203、發(fā)熱電阻層204、軟質導熱材下層205、娃晶片下層206、亞克力板材層207。如此可以更好地接近于真實芯片的發(fā)熱效果。
[0034]于使用時，采用模擬芯片200與散熱模塊300的接觸端貼合，用所述螺絲500將所述壓合塊400與所述基座100鎖合固定，所述模擬芯片200及所述散熱模塊300的接觸端被固定于其間。對所述模擬芯片200兩端通電一段時間直至穩(wěn)定工作后，在模擬芯片200的預設功率情況下，通過測試模擬芯片200的溫度，進而得出散熱模塊300的散熱效果。由于采用模擬芯片200更接近于芯片的結構及散熱情況，同時該裝置的壓合結構可以使得模擬芯片200與散熱模塊300的接觸端更貼合，從而可以達成對散熱模塊300的熱阻值測試目的且測試結果準確。
[0035]散熱模塊300的的散熱效果通過計算模擬芯片200到環(huán)境的熱阻值Rja來判斷。而模擬芯片200到環(huán)境的熱阻值Rja = {模擬芯片的溫度-環(huán)境溫度}/芯片輸入功率。即Rja = (Tj - Tc) /P，而環(huán)境溫度例如為室溫(23.5+/-1.5度)。
[0036]例舉如下:對于輸入功率35W，模擬芯片200穩(wěn)定工作時的實測溫度為61度。對于此類Rja的規(guī)格標準為不大于1.5，則熱阻Rja = (61度-23.5度)/35W = 1.07 (pass)。若測得值超出Rja值上限，則判定為NG。
[0037]請再參閱圖4，圖4繪示為本發(fā)明一較佳實施例中發(fā)熱電阻層的第一實施方式結構示意圖。
[0038]于該發(fā)熱電阻層204的第一實施方式中，所述發(fā)熱電阻層204還串接有一熱阻斷元件210 (thermal breaker)，在散熱模塊300的風扇意外停止時，當溫度達到一預設溫度(例如為105°C )，適時斷電以保護裝置，避免長時間空燒損壞裝置。
[0039]于該第一實施方式，所述發(fā)熱電阻層204采用發(fā)熱電阻絲繞合而成，所述發(fā)熱電阻絲兩端電壓值為12V。
[0040]例如，對于35W功率，所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲，截取0.41米的長度繞合成規(guī)格為37.5mm*37.5mm的外框形狀；對于25W功率，所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲，截取0.57米的長度繞合成規(guī)格為32mm*32mm的外框形狀。
[0041]該第一實施方式可以在電壓不變的情況下，通過采用不同的發(fā)熱電阻絲來達到獲得不同的功率。
[0042]圖5繪示為本發(fā)明一較佳實施例中發(fā)熱電阻層的第二實施方式結構示意圖。
[0043]于該發(fā)熱電阻層204的第二實施方式中，所述發(fā)熱電阻層204還串接有一熱阻斷元件210 (thermal breaker)，在散熱模塊300的風扇意外停止時，當溫度達到一預設溫度(例如為100°C )，適時斷電以保護裝置，避免長時間空燒損壞裝置。
[0044]于該第一實施方式，所述發(fā)熱電阻層204采用若干個發(fā)熱電阻211并聯(lián)而成，例如所述發(fā)熱電阻211為10個，各發(fā)熱電阻211的阻值為500歐姆，則并聯(lián)后的并聯(lián)電阻值為50歐姆。
[0045]例如，對于35W功率，所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻211兩端電壓值為42V (具體為41.83V);對于25W功率，所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻211兩端電壓值為35V(具體為35.35V)。
[0046]該第二實施方式可以在發(fā)熱電阻層204的電阻不變的情況下，通過改變發(fā)熱電阻層204兩端的電壓來達到獲得不同的功率。
[0047]需指出的是，本發(fā)明不限于上述實施方式，任何熟悉本專業(yè)的技術人員基于本發(fā)明技術方案對上述實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，都落入本發(fā)明的保護范圍內。
【主權項】
1.一種散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，其包括: 基座，其上設有容置槽及設于所述容置槽外側的安裝孔； 模擬芯片，其放置于所述容置槽內，且該模擬芯片的上端與所述散熱模塊的接觸端貼合； 壓合塊，其與所述基座間壓合設有所述模擬芯片及所述散熱模塊的接觸端； 螺絲，所述壓合塊與所述基座間通過所述螺絲固定。2.如權利要求1所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述容置槽的個數(shù)為兩個，分別對應不同的模擬芯片的大小尺寸。3.如權利要求1所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述模擬芯片包括依序設立的銅合金塊層、硅晶片上層、軟質導熱材上層、發(fā)熱電阻層、軟質導熱材下層、硅晶片下層、亞克力板材層。4.如權利要求3所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻層還串接有一熱阻斷元件。5.如權利要求3或4所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻層采用發(fā)熱電阻絲繞合而成。6.如權利要求5所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻絲兩端電壓值為12V。7.如權利要求6所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲，截取0.41米的長度繞合成規(guī)格為37.5mm*37.5mm的外框形狀或者截取0.57米的長度繞合成規(guī)格為32mm*32mm的外框形狀。8.如權利要求3或4所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻層采用若干個發(fā)熱電阻并聯(lián)而成。9.如權利要求8所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述發(fā)熱電阻為10個，各發(fā)熱電阻的阻值為500歐姆。10.如權利要求9所述的散熱模塊的散熱效果測試裝置，其特征在于，所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻兩端電壓值為42V或者35V。
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種散熱模塊的散熱效果測試裝置，包括：基座，其上設有容置槽及設于所述容置槽外側的安裝孔；模擬芯片，其放置于所述容置槽內，且該模擬芯片的上端與所述散熱模塊的接觸端貼合；壓合塊，其與所述基座間壓合設有所述模擬芯片及所述散熱模塊的接觸端；螺絲，所述壓合塊與所述基座間通過所述螺絲固定。利用本發(fā)明的散熱模塊的散熱效果測試裝置，采用模擬芯片與散熱模塊的接觸端貼合，進而測試其穩(wěn)定工作后，在模擬芯片的預設功率情況下，散熱模塊的散熱效果。由于采用模擬芯片更接近于芯片的結構及散熱情況，同時該裝置的壓合結構可以使得模擬芯片與散熱模塊的接觸端更貼合，達成對散熱模塊的散熱效果測試目的且測試結果準確。
【IPC分類】G01N25/20
【公開號】CN105466965
【申請?zhí)枴緾N201410457894
【發(fā)明人】張榮斌, 張徐林
【申請人】神訊電腦(昆山)有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2014年9月10日